泡沫铝夹芯双方管结构准静态轴压性能的实验研究

对几种泡沫铝夹芯方管结构的准静态轴压性能进行了实验研究。结果表明,较空管及泡沫铝夹芯单管结构,泡沫铝夹芯双管结构的承载能力及能量吸收效率明显得到增强。双管夹芯结构中外管撕裂模式的结构行程利用率和能量吸收效率高于相应的外管周期折叠模式。而泡沫铝四角填充方式提高了双管夹芯结构相同变形模式下的能量吸收效率和结构变形的稳定性。同时研究了内管管壁及材料强度对泡沫铝夹芯双管结构的影响。随着内管壁厚增大,双管夹芯结构的能量吸收效率提高,而内管材料强度影响不明显。     

方钢管型钢再生混凝土组合短柱偏压性能试验研究

对12个短柱试件进行偏心受压试验,研究方钢管型钢再生混凝土组合短柱的偏压力学性能,观察试件的偏压破坏过程及破坏形态,获取试件的偏压荷载-挠度曲线、荷载-应变曲线、侧向挠度及刚度退化曲线,分析再生混凝土强度、型钢配钢率、方钢管宽厚比、偏心距、再生粗骨料取代率对组合短柱偏压性能的影响规律,研究结果表明：在偏压荷载作用下,各试件的破坏特征较为相似,主要表现为组合柱中部型钢的受压侧最先开始到达屈服状态,随着偏压荷载的继续增加,外部钢管的受压侧也进入屈服状态,最后核心再生混凝土被压碎,组合柱的破坏是由于外部钢管的中部出现了明显的局部鼓曲;试件偏压承载力分别随再生粗骨料取代率和偏心距的增大而逐渐降低,其中偏心距对试件的偏压承载力和侧向挠度影响显著,再生粗骨料取代率对试件偏压承载力和变形能力影响是不利的;增加方钢管壁厚或型钢配钢率均对于提高试件的偏压性能是有利的;提高再生混凝土强度会降低组合短柱的变形能力,这与普通混凝土类似,但试件的偏压承载力会得到相应的增强。总体上,该组合柱在偏压荷载作用下具有较高的承载力和良好的变形能力,研究结论可为该组合柱的工程应用提供一定参考。     

近似程度对强耦合磁极化子平均数特性的影响

本文应用幺正变换和线性组合算符法研究了极性晶体内强耦合磁极化子的平均数n与磁场B和温度T之间的依赖关系.讨论了在不同的近似计算程度情况下,磁极化子平均数与磁场和温度的特性.对RbCl晶体所作的数值计算结果表明:当计算的近似程度较低时,磁极化子的平均数随温度的升高而减小,但随磁场的加强而增大;当计算的近似程度较高时,磁极化子的平均数随温度的升高而增大,但随磁场的加强而减小.     

碳纳米管膜的高温纯化研究

为了获得纯度更高的碳纳米管膜, 保证材料发热稳定性, 需要对通过化学气相沉积法得到的碳纳米管膜进行二次纯化. 通过使用高温纯化炉, 在真空状态下, 从1700℃到3200℃分7挡温度对碳纳米管进行纯化, 并对其含碳量和方块电阻进行比较. 结果表明, 高温纯化后的碳纳米管膜含碳量从95.0%提高到99.9%, 解决了含碳量低的问题. 同时, 在高温纯化中发现碳纳米管膜方块电阻从纯化前3Ω降低到0.5Ω, 方块电阻的降低对碳纳米管膜具有十分重要的意义, 同样对碳纳米管膜后续产品的开发也有重要作用.     

傅里叶变换近红外光谱法测定大麦中蛋白质、淀粉和赖氨酸含量

采用傅里叶变换近红外光谱法测定大麦中蛋白质、淀粉、赖氨酸的含量,并用光谱影响值法(leverage)对异常值进行判断和处理。蛋白质、淀粉和赖氨酸含量近红外光谱分析模型的测定系数R。分别为0．985、0．973和0．978;检验集的化学值与模型预测值的相关系数r分别为0．9853、0．9644和0．9172,分析模型的预测相对标准偏差RSD分别为4．0％、2．4％和5．4％,该结果可替代经典分析方法,满足农产品快速分析的需要。     

近红外光谱-径向基神经网络在异烟肼片无损定量分析中的应用

应用异烟肼片粉末的近红外漫反射光谱数据分别结合偏最小二乘法(PLS)和径向基神经网络(RBFNN)建立定量分析模型,并用所建模型对预测集样品进行了预测,结果表明:应用RBFNN所建立的定量分析模型优于PLS模型,相关系数(r)值由0.99593提高到0.99734,交互验证均方根误差(RMSECV)值由0.00523下降到0.00423,预测均方根误差(RMSEP)值由0.00614下降到0.00501。     

Mixed-mean inequalities for subsets

For let and denote the arithmetic mean and geometric mean of elements of , respectively. It is proved that if is an integer in , then

with equality if and only if . Furthermore, as a generalization of this inequality, a mixed power-mean inequality for subsets is established.

     

基于SVR和k-近邻群的组合预测在QSAR中的应用

为提高定量构效关系(QSAR)研究的预测精度,发展了一种新的基于支持向量机回归(SVR)非线性筛选分子结构描述符、基于k-近邻群的非线性组合预测方法.首先以均方误差(MSE)最小为原则,以留一法通过多轮末尾淘汰实施分子结构描述符的非线性SVR汰选并给出最优核函数和相应保留描述符;其次基于待测样本与训练样本保留描述符向量的欧氏距离,以不同k-近邻群子模型双重留一法预测值反映样本集的异质性;然后基于MSE最小,以留一法通过多轮末尾淘汰实施近邻群子模型的非线性SVR汰选并给出最优核函数和相应保留子模型;最后基于保留子模型以双重留一法实施组合预测.以取代苯胺和苯酚类化合物对大型溞的QSAR实例验证表明:新方法在所有参比模型中预测精度最高,且能更精细地反映描述符与化合物毒性间的非线性关系,具结构风险最小、非线性、适于小样本,能有效克服过拟合、维数灾和局极小,非线性筛选描述符和子模型,非线性组合预测,自动选择最优核函数及其相应参数,泛化推广能力优异、预测精度高等诸多优点,在QSAR研究中有广泛应用前景.     

Dependence of calculated electron effective attenuation lengths on transport mean free paths obtained from two atomic potentials

We report changes in electron effective attenuation lengths (EALs) resulting from use of transport mean free paths (TMFPs) obtained from the Dirac–Hartree–Fock (DHF) potential instead of the Thomas–Fermi–Dirac (TFD) potential in an algorithm used in the National Institute of Standards and Technology (NIST) Electron Effective‐Attenuation‐Length Database (SRD 82). TMFPs from the former potential are believed to be more reliable than those obtained from the latter potential. We investigated changes in the EALs for selected photoelectron and Auger‐electron lines in four elemental solids (Si, Cu, Ag, and W), for Si 2p photoelectrons of varying energy in SiO₂, and for photoelectrons excited by Al Kα X rays in four candidate gate‐dielectric materials (HfO₂, ZrO₂, HfSiO₄, and ZrSiO₄). For each material, we computed the change in the average EAL for a range of overlayer‐film thicknesses from zero to a maximum value corresponding to attenuation of the substrate signal to 10% of its original value. This EAL change was a maximum for electrons emitted normally from the surface and decreased monotonically with increasing emission angle. The maximum EAL change varied between ?4.4% and 2.6% for the three groups of materials. We found that the maximum EAL change correlated mainly with the TMFP change. We found that TMFP changes in other solids could generally lead to maximum EAL changes between ?2.6% and 1.9% for electron energies between 500 and 2000 eV. For lower energies, the maximum EAL changes could be larger for some solids. Our revised EALs for Si 2p photoelectrons in SiO₂ excited by Mg and Al Kα X rays agree within 0.5% with values reported by Seah and Spencer from a detailed analysis of SiO₂ film‐thickness measurements by XPS and other techniques. Copyright © 2006 John Wiley & Sons, Ltd.     

An equivalent nonlinearization method for analysing response of nonlinear systems to random excitations

I.IntroductionInthelasttwodecades,theresponseofstochasticallyexcitednonlinearsystemshavebeenresearcheddeeplyandwidely.Manyexactandapproximatemethodsofpredictingtheresponseofnonlinearsystemstorandomexcitationshavebeenprop0sedl']'l21.Becauseofv4riousreasons…