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991.
利用紫外-可见、近红外及中红外光声光谱对钕配合物的激发态能级状况、驰豫过程,荧光性质进行探讨,并深入研究了钕离子和配体对彼此光声谱峰移动和峰强度的影响。 相似文献
992.
993.
采用磁控三靶(Si,Sb及Te)共溅射法制备了Si掺杂Sb2Te3薄膜,作为对比,制备了Ge2Sb2Te5和Sb2Te3薄膜,并且采用微加工工艺制备了单元尺寸为10μm×10μm的存储器件原型来研究器件性能.研究表明,Si掺杂提高了Sb2Te3薄膜的晶化温度以及薄膜的晶态和非晶态电阻率,使得其非晶态与晶态电阻率之比达到106,提高了器件的电阻开/关比;同Ge2Sb2Te5薄膜相比,16at% Si掺杂Sb2Te3薄膜具有较低的熔点和更高的晶态电阻率,这有利于降低器件的RESET电流.研究还表明,采用16at% Si掺杂Sb2Te3薄膜作为存储介质的存储器器件原型具有记忆开关特性,可以在脉高3V、脉宽500ns的电脉冲下实现SET操作,在脉高4V、脉宽20ns的电脉冲下实现RESET操作,并能实现反复写/擦,而采用Ge2Sb2Te5薄膜的相同结构的器件不能实现RESET操作.
关键词:
相变存储器
硫系化合物
2Te3薄膜')" href="#">Si掺杂Sb2Te3薄膜
SET/RESET转变 相似文献
994.
利用方势阱模型对InxGa1-xN/GaN MQWs结构的光特性进行了量子力学定性理论分析.并在MO源流量恒定条件下,在570℃~640℃范围内进行了不同生长温度的多量子阱制备实验,对InxGa1-xN制备过程中的In组份掺入效率的温度依赖关系进行研究.通过对制备样品的PL谱测量分析,得到了587℃~600℃的In组份最佳掺入温度区间. 相似文献
995.
996.
997.
Mourad Bellassoued 《数学学报(英文版)》2008,24(7):1175-1192
In this paper, we shall investigate the decay property of the solutions to the initial-boundary value problem for the elastic wave equation with a local time-dependent nonlinear damping. We give some decay rate of the energy when the damping term is effective only in a neighborhood of a suitable subset of the boundary. The results obtained in this paper extend, in particular, the known results for the scalar wave equation. 相似文献
998.
二维Rayleigh—Benard对流问题稳定性的数值追踪 总被引:1,自引:0,他引:1
用分解算子法和延续算法对二维Rayleigh-Benerd对流问题的稳定性进行了数值追踪研究。画出了Pr=1.0时不同Ra所对应的流线,等涡线和等温线图;并求出了对于不同Pr数所对应的临界Ra数,其值大约为2740,计算结果与物理分析相一致与三维实验结果比较也合理。 相似文献
999.
2-氨基-4''-溴-二苯甲酮的合成 总被引:1,自引:0,他引:1
2-氨基-4'-溴-二苯甲酮(1)是植物生长调节剂及园艺用杀菌剂异菸碱酰替苯胺的关键中间体[1] ,也是医药原料的重要中间体,可用于合成治疗眼科发炎类药物[2].文献合成路线如下: 相似文献
1000.
四乙烯溴化铵—氟化物复合模板剂合β沸石(Ⅱ):β沸石 … 总被引:1,自引:0,他引:1
采用FT-IR、XRD,SEM,TG,ICP-AES等技术研究了四乙经铵-氟化物复合模板剂体系合成β沸石的晶化过程。,发现本体系β沸石的合成遵循液相转变机理,在诱导期向生长期转变的转折点存在过渡态,氟离子对过渡态的形成和转变起重要作用。在诱导期初期固是富铝的,但晶生长期固相硅铝比基本不变,表明硅铝同步进入骨架。 相似文献