E*-酉范畴逆半群的结构

本文通过定义本原逆半群在集合上的部分作用及其整体化,给出了E*-酉范畴逆半群的结构．     

运用反例基于识别的手写数字串分割

采用基于识别的分割方法进行手写数字串分割.在识别的过程中,运用反例样本估计分类器参数,实验数据表明,这种运用反例样本训练的分类器与没有经过反例样本训练的分类器相比,将提高拒识率到19%左右,从而保证了较高的识别率,验证了只有经过反例训练的分类器的输出结果才是可信赖的.     

正负系数中立型差分方程的正解的存在性

In this paper the sufficient conditions for the existence of positive solutions of the neutral difference equations with positive and negative coefficients are established. The results improve some known conclusions in the literature     

Hyperbolic spaces are of strictly negative type

We study finite metric spaces with elements picked from, and distances consistent with, ambient Riemannian manifolds. The concepts of negative type and strictly negative type are reviewed, and the conjecture that hyperbolic spaces are of strictly negative type is settled, in the affirmative. The technique of the proof is subsequently applied to show that every compact manifold of negative type must have trivial fundamental group, and to obtain a necessary criterion for product manifolds to be of negative type.

     

半群K(n,r)中的幂等生成元

设Singn是由一个n元集上的所有奇异变换所构成的奇异变换半群，I是由Singn中一些亏数为1的幂等元组成的集合，Howie利用有向图证明了：I是Singn的一个生成集当且仅当与其相应的有向图D（I）是强连通的完全图，本文利用多重有向图将这一结果推广到Singn的每个理想K（,r)上。     

Modifications of the Wolfe Line Search Rules to Satisfy Second-Order Optimally Conditions in Unconstrained Optimization

The line search method incorporating the Wolfe conditions is modified to ensure that a descent algorithm terminates in a finite number of steps at an approximate stationary point where the second-order conditions of optimality are satisfied. A simple procedure based on conjugate directions is proposed to determine directions of negative curvature.     

相互粒子系统中的负相关(英文)

主要研究相互粒子系统中概率测度的负相关.我们得到判定概率测度是负相关的一个充分必要条件.最后证明了具有负相关的概率测度的线性组合及乘积测度仍是负相关的.     

Ergodic theory of amenable semigroup actions

In this paper, among other things, we state and prove the mean ergodic theorem for amenable semigroup algebras.     

具有HfN/HfO2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究

研究了HfN/HfO₂高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中，负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO₂高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm，内含原生缺陷密度较低.研究表明，由于所制备的HfN/HfO₂ 高K栅结构具有低的原生缺陷密度，因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征，而非工艺缺陷引起的；进一步研究表明，该HfN/HfO₂高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO₂基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征，可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征： HfN/HfO₂ 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理，即在负 偏置和温度应力作用下，从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生，并由此产生了Si^＋陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ，这种Si^＋陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 关键词： 高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R-D)模型