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采用构造相容分布与非负上鞅的方法研究任意信源随机和相对熵密度的强极限定理,并由此得出若干任意信源,m阶马氏信源,无记忆信源的随机Shannon-Mcmillan定理.将已有的关于离散信源的结果加以推广. 相似文献
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Laxmi Narayan Tripathi Sourabh Barua 《Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials》2019,65(4):100465
This review article covers the growth and characterization of two-dimensional (2D) crystals of transition metal chalcogenides, h-BN, graphene, etc. The chemical vapor transport method for bulk single crystal growth is discussed in detail. Top-down methods like mechanical and liquid exfoliation and bottom-up methods like chemical vapor deposition and molecular beam epitaxy for mono/few-layer growth are described. The optimal characterization techniques such as optical, atomic force, scanning electron, and Raman spectroscopy for identification of mono/few-layer(s) of the 2D crystals are discussed. In addition, a survey was done for the application of 2D crystals for both creation and deterministic transfer of single-photon sources and photovoltaic systems. Finally, the application of plasmonic nanoantenna was proposed for enhanced solar-to-electrical energy conversion and faster/brighter quantum communication devices. 相似文献
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基于常规速调管,研制了用于开展空间功率合成实验的微波源系统。介绍了50 MW超大功率速调管发射机的系统组成、大功率速调管、相位控制及高功率测试系统等。重点阐述了超大功率速调管发射机的关键技术,并针对超大功率发射机的设计难点提出了具体的解决方案。为提高超大功率发射机的可靠性,设计了基于绝缘栅双极晶体管(IGBT)的感应叠加型全固态调制器。给出了超大功率发射机的测试结果,并探讨了超大功率速调管发射机的改进方法。最后对基于常规速调管,研制用于空间功率合成微波源系统的发展进行了展望。 相似文献
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束流寿命是衡量储存环性能的重要参数,直接影响着光源的正常运行。对于合肥光源(HLS),托歇克(Touschek)寿命是影响束流寿命的重要因素。为了研究Touschek寿命,需要探测由于Touschek效应所损失的电子。介绍了束流寿命的概念,说明了Touschek效应的原理和机制,利用蒙特卡罗软件EGSnrc模拟计算了丢失电子与真空壁的相互作用,通过塑料闪烁体探测器和光电倍增管获得了由于Touschek效应丢失的电子所产生的信号,然后将信号经过放大甄别和符合处理后,用计数器测量了计数率。结果表明:由于Touschek效应而成对丢失的电子的确存在,且电子损失率随流强的降低而减小。这为下一步储存环的能量标定工作做好了前期准备。 相似文献
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