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91.
Let Um be an m×m Haar unitary matrix and U[m,n] be its n×n truncation. In this paper the large deviation is proven for the empirical eigenvalue density of U[m,n] as m/n→λ and n→∞. The rate function and the limit distribution are given explicitly. U[m,n] is the random matrix model of quq, where u is a Haar unitary in a finite von Neumann algebra, q is a certain projection and they are free. The limit distribution coincides with the Brown measure of the operator quq. 相似文献
92.
燃煤烟气中AsSePb的形态分布及SCl元素对其形态分布的影响 《燃料化学学报》2003,48(11):1298-1309
基于化学热力学平衡分析方法,计算分析了燃煤烟气中重金属As、Se、Pb的形态分布规律,研究了S、Cl等元素对As、Se、Pb的形态分布规律的影响。结果表明,氧化性气氛下,As以As2O5、As4O6、AsO等氧化物的形式存在;Se主要以SeO2形式存在;Pb在1000 K以下主要是固态PbSO4,1200 K以上为气态PbO。还原性气氛下,As在较低温度时为固态As2S2,900-1400 K以As2、AsS、AsN气体共存,2000 K以上全部转化为气态AsO。Se在1100 K以下主要以气态H2Se存在,1100 K开始生成SeS和Se2气体,1800 K时主要是气态Se和少量气态SeO;Pb在中低温时主要是PbS,1800 K以上气态Pb为主要存在形态。S在还原性气氛下增大了AsS(g)、PbS(g)、SeS(g)的比例,氧化性气氛下对As、Se、Pb形态分布基本无影响;Cl无论在氧化还是还原气氛下对As、Se影响均较小,但对Pb的形态分布影响较大。 相似文献
93.
Summary Our purpose is to extend results due to P. Chandra and L. Leindler concerning the order of approximation by means of Fourier series for functions belonging to generalized Lipschitz-classes. 相似文献
94.
In this paper, we investigate the exact distribution of the waiting time for ther-th ℓ-overlapping occurrence of success-runs of a specified length in a sequence of two state Markov dependent trials. The
probability generating functions are derived explicitly, and as asymptotic results, relationships of a negative binomial distribution
of orderk and an extended Poisson distribution of orderk are discussed. We provide further insights into the run-related problems from the viewpoint of the ℓ-overlapping enumeration
scheme. We also study the exact distribution of the number of ℓ-overlapping occurrences of success-runs in a fixed number
of trials and derive the probability generating functions. The present work extends several properties of distributions of
orderk and leads us a new type of geneses of the discrete distributions. 相似文献
95.
96.
The dependence of emission direction of fast electrons on the laser intensity has been investigated. The experimental results show that, at nonrelativistic laser intensities, the emission of fast electrons is mainly in the polarization plane. With the increase of the laser intensity, fast electrons emit towards the laser propagation direction from laser polarization direction. At relativistic laser intensities, fast electrons move away from the laser polarization plane, closely to the reflection direction of the incident laser beam. 相似文献
97.
A solution to the phase problem in optics is considered within the context of registration and analysis of two-dimensional stationary optical fields transformed by the object under study or fields forming an image. To obtain information on amplitude and phase distributions of the light field analyzed, a method of registration of two intensity distributions is used. The first distribution corresponds directly to the amplitude distribution. The other is formed for the sum of the initial field and the field shifted along a certain direction. The intensity distributions obtained allow one to calculate the two-dimensional structure of the field under study. It is noteworthy that the method requires no iteration procedures in solving the problem. This leads to speeding up of the processing and analysis of the information. Two variants of optical schemes for the analysis of light fields are considered. The first one corresponds to registration of the image of the analyzed plane and the second to registration of the spectrum of the spatial frequencies. 相似文献
98.
本文综合近邻权函数法及最小二乘法,用两阶段最小二乘估计的方法得到了半参数EV模型中参数的估计量及其强相合性,渐近正态性。同时也得到了非参数函数的估计量及其强相合性,一致强相合性。 相似文献
99.
杨青 《高等学校计算数学学报(英文版)》2003,12(2)
The mathematical model of semiconductor devices is described by the initial boundary value problem of a system of three nonlinear partial differential equations. One equation in elliptic form is for the electrostatic potential; two equations of convection-dominated diffusion type are for the electron and hole concentrations. Finite volume element procedure are put forward for the electrostatic potential, while upwind 相似文献
100.
采用显微Raman光谱方法对红外目标模拟器中重掺杂Si微电阻桥单元的热传导特性进行研究,根据Si桥的实际特性建立相应的Raman散射模型,通过测量Raman峰位的移动得到高功率激光辐照下测量点的温度.对Si桥桥面分别进行了沿某些特殊线段的逐点线扫描和覆盖全部桥面的面扫描,得到各点的温升及其分布.用基于有限元分析的软件结合Si桥结构参数对各测量点的温升进行了模拟计算,其结果在热导分布的基本趋势上与实验相一致.实验细致地揭示了热导分布的局域起伏,反映出实际器件的不均匀性,为改进器件设计、优化器件性能提供了实验依据.
关键词:
Raman光谱
Si桥
温度分布
热导 相似文献