Parasitic bipolar amplification in a single event transient and its temperature dependence

Using three-dimensional technology computer-aided design (TCAD) simulation, parasitic bipolar amplification in a single event transient (SET) current of a single transistor and its temperature dependence are studied. We quantify the contributions of different current components in a SET current pulse, and it is found that the proportion of parasitic bipolar amplification in total collected charge is about 30% in both 130-nm and 90-nm technologies. The temperature dependence of parasitic bipolar amplification and the mechanism of the SET pulse are also investigated and quantified. The results show that the proportion of charge induced by parasitic bipolar increases with rising temperature, which illustrates that the parasitic bipolar amplification plays an important role in the charge collection of a single transistor.     

980 nm脉冲激发下Er3+掺杂材料中4Ⅰ13/2→4Ⅰ15/2跃迁的瞬态行为

在过去的几十年人们对Er3+掺杂的玻璃材料进行了广泛的研究,因为Er3+的4Ⅰ13/2→4Ⅰ15/2跃迁能够给出适合红外光通讯窗口的1.5 μm的发射.据我们所知,目前关于脉冲激光激发下Er3+掺杂材料1.5 μm发射的动力学行为研究报道仍很少.我们引入了转移函数理论,研究了980nm脉冲激发下Er3+的4Ⅰ13/2能级荧光的动力学行为.发现在980nm脉冲激发后,其荧光衰减遵循双指数规律,4Ⅰ13/2能级布居分为指数上升和指数下降两个过程.     

模拟短脉冲激光在介质中传输的扩散综合有限元法

建立有限元模型,通过求解瞬态辐射传输方程模拟短脉冲激光在半透明介质中的传输.针对散射占优性半透明介质内辐射传输求解效率较差的问题,采用扩散综合加速迭代算法,提高计算效率,缩短计算时间.结果表明:采用精确解析式描述脉冲激光散射源项的求解策略可以获得准确的计算结果,精确地模拟快速变化的波前,不会产生数值扩散和数值振荡.此外,扩散综合迭代算法的计算时间仅为源项迭代的50%~60%.     

Transient chaos in smooth memristor oscillator

This paper presents a new smooth memristor oscillator, which is derived from Chua's oscillator by replacing Chua's diode with a flux-controlled memristor and a negative conductance. Novel parameters and initial conditions are dependent upon dynamical behaviours such as transient chaos and stable chaos with an intermittence period and are found in the smooth memristor oscillator. By using dynamical analysis approaches including time series, phase portraits and bifurcation diagrams, the dynamical behaviours of the proposed memristor oscillator are effectively investigated in this paper.     

快速瞬态传质过程中非费克效应的实验与理论研究

以ＮａＣｌ溶液和纯水快速接触质量传递过程为例,进行了快速瞬态扩散传质的实验与理 论研究。实验测定了质量传播速度与瞬态浓度分布等的变化规律,揭示了快速瞬态扩散传质所具有 的不同于经典扩散理论所描述的物理机制,并进行了相应的理论分析。结果表明,理论计算与实验 结果吻合良好,修正的Ｆｉｃｋ定律表达式能更真实的反映快速瞬态扩散传质规律。     

瞬态电磁场对多孔洞目标耦合规律的数值研究

 运用时域有限差分（FDTD）方法,用数值方法研究了瞬态电磁场对开有多个孔洞的长方体的耦合规律。分别分析了不同极化方向、不同入射方向及不同带宽的瞬态电磁场的耦合效应。入射波极化方向与孔洞的短边平行时耦合入腔体的能量最多;相同振幅、不同上升前沿和带宽的入射波以窄带、快前沿耦合入的能量为多;多孔洞腔体内场衰减很快。     

基于三维简并四波混频的PDT光敏剂HA瞬态光栅特性研究

竹红菌甲素(hypocrellin A,HA)具有丰富的激发态特性,有可能在新型光动力疗法(PDT)光敏剂、激光染料和新型光电器件方面有一定的应用前景。利用瞬态光栅技术研究了竹红菌甲素分别在不同极性和粘度溶剂中以及溶剂本身的瞬态光栅特性,把其瞬态光栅的超快过程归结为竹红菌甲素质子转移形成的过渡态TS*的衰减,得出过渡态TS*瞬态光栅的寿命为10.5 ps。竹红菌甲素分子的质子转移过渡态TS*瞬态光栅寿命不受溶剂极性和粘度的影响。     

再谈静电能的损失

本文从暂态过程的角度和能流的观点分析和讨论电容器并联过程中能量的损失问题.     

介质极化的瞬时相位与振幅

求解电子运动的二阶微分方程，在旋转波近似下，介质在外场突然变化时产生的瞬态感应极化与外场同频，但相位总是落后，最大落后为π/2；振幅大小与初态有关，随时间按指数规律衰减，衰减快慢由介质的阻尼系数决定。     

基于改进格林元的压裂水平井动态分析方法

以建立高效的动态分析方法为出发点,以边单元作为求解点,改进传统的格林元方法,减少未知数和求解矩阵维度;并提出基于改进格林元的加密网格加密方法,保证考虑复杂裂缝网络的压裂水平井动态模拟的早期精度.退化模型与半解析解、数值模拟结果进行对比,验证本文基于加密网格的改进格林元方法的准确性和动态分析的高效性.最后进行动态响应的敏感性分析,结果表明：①格林元方法是一种高精度的动态模拟方法,将求解节点设置在网格的边上可以提高压裂水平井动态模拟的速度;②改进格林元方法的加密基于叠加原理,不需要通过插值近似,其求解精度高.在相同加密网格条件下,基于本文改进格林元方法的加密效果比有限差分加密效果更佳;③复杂裂缝导流能力、改造区渗透率提高倍数、改造区大小等参数对压裂水平井动态特征影响较大,在动态分析和参数反演时,应着重考虑这些因素的影响.