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141.
石化废水排放量大、污染物成分复杂,对环境的危害较大。采用三维荧光光谱扫描技术分析了某大型石化企业综合污水处理厂各处理单元(水解酸化+A/O+接触氧化工艺)进出水的荧光光谱特征。污水厂总进水包含四个荧光峰Peak A,Peak B,Peak D,Peak E,分别位于λex/λem=220/300,225/340,270/300,275/340nm附近,荧光物质主要来自工业废水,水解酸化池出水各荧光峰强度有所降低,位置基本不变,厌氧池出水λex/λem=250/425nm附近出现新荧光峰Peak C,好氧池出水荧光峰Peak C处荧光强度有所增强,二沉池出水Peak A消失,二沉池之后水样荧光谱图变化不大;该处理工艺对荧光有机物的总去除率为92.0%,Peak A,Peak B,Peak D,Peak E附近的荧光有机物去除率分别为100.0%,91.2%,80.3%,92.0%;污水厂进水IPeak B/IPeak E值波动较大而出水变化不大,表明该污水处理厂运行稳定,其处理工艺具有较强的抗冲击负荷能力。 相似文献
142.
143.
144.
145.
Kernel based visual tracking with scale invariant features 总被引:1,自引:0,他引:1
146.
A scheme for creating an arbitrary coherent superposition of two atomic states in serial multi-A-type system is proposed.This technique with the application of a control field is based on the existence of two degenerate dark states and their interaction.The mixing of the dark states can be controlled by changing the relative delay time of the control pulse.One can get any desired superposition by changing the delay time of the control pulse. 相似文献
147.
To exploit the parallelism of optics in data processing,a suitable number system and an efficient encoding/decoding scheme for handling the data are very essential.In the field of optical computing and parallel information processing,several number systems like binary,quaternary,octal,hexadecimal,etc.have been used for different arithmetic and algebraic operations.Here,we have proposed an all-optical conversion scheme from its binary to its other 2n radix based form with the help of terahertz optical asymmetric demultiplexer (TOAD) based tree-net architecture. 相似文献
148.
采用延迟器与旋光器的串联模型, 研究磁场中双折射光纤的偏振传输特性, 将它们的琼斯矩阵按照两种不同的顺序级联相乘, 导出了两种等效模型中等效相位延迟量、等效快轴方向和等效旋光角的解析表达式。研究发现, 当光纤同时具有线双折射和圆双折射时, 单位长度的等效相位延迟量并不等于其固有的线双折射, 等效旋光角也不等于其法拉第旋转角, 它们同时都与光纤的固有线双折射和磁场引起的圆双折射相关联。且在不同级联顺序的两种等效模型中, 等效相位延迟器的快轴方向都不与光纤的双折射主轴重合, 而是分别向两个相反的方向偏移一定的角度, 偏移角为等效旋光角的一半。 相似文献
149.
150.
Il-Suk Kang Young-Su Kim Hyun-Sang Seo Chi Won Ahn Jun-Mo Yang Wook-Jung Hwang 《Current Applied Physics》2011,11(6):1319-1321
The effect of two-step hydrogenation, consisting of plasma hydrogenation and annealing in hydrogen, on the hysteresis phenomenon of metal-induced unilaterally crystallized silicon thin-film transistors (MIUC-Si TFTs) was investigated. The large hysteresis level of the conventional MIUC-Si TFTs caused a wide variation of the drain current with the previous gate voltage. As the plasma exposure time increased, the plasma hydrogenation commonly used for stability in poly-Si TFTs was found to increase the hysteresis level of MIUC-Si TFTs after a minimum point. This is because plasma-induced damages correlated with unique defects of MIUC-Si such as metal-related weak bonds, are accompanied by passivation. The following annealing repaired the damages. Consequently the hysteresis level was lower, which resulted in a narrower variation of the drain current. 相似文献