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51.
二维红外相关光谱法研究温度对交联胶原结构的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用傅里叶红外光谱和二维相关分析研究了改性前后胶原在升温(25~115℃)过程中结构的变化。结果显示,改性前后胶原的特征吸收峰强度降低,峰值向低波数移动,其中酰胺II带的变化最明显,降低了~10cm-1,表明维系胶原三股螺旋结构稳定的氢键被破坏,结构发生改变。在1 515cm-1处自相关峰强度最强,说明温度对酰胺II带的影响最大。与未改性胶原相比,改性胶原的相关程度更弱,表明改性胶原结构受温度影响要小,交联提高了胶原的热稳定性;改性后胶原结构变化的顺序也不一样。由此可见,二维红外相关分析法能提供由温度引起的胶原结构动态变化的微观信息,对进一步研究改性胶原结构和功能之间的关系有一定的意义。 相似文献
52.
本文用涡团法模拟了有限平板的绕流问题,计算出一个长度为1的无穷薄平板在静止的流体中突然起动并作匀速运动的周围流场的变化情况。方法上,用保角变换解决了在涡团法中遇到的一个拉普拉斯方程,并对变换中的奇点作了特殊处理,最后得到一个与已有的实验结果完全吻合的周期性数值解。 相似文献
53.
54.
重力场与静电场特点的比较 总被引:1,自引:1,他引:1
“场”是一种客观存在的物质,但由于“场”具有不易直接感受的特殊存在形态,同学们对“场”的物质性的理解不够深刻,解决“场”的相关问题时也感到棘手.笔者就高中阶段最典型的两种场——“重力场”和“静电场”的力学性质与能量特点进行比较,使同学们对“场”的概念有更深刻的认识. 相似文献
55.
E. P. Dolzhenko 《Mathematical Notes》1996,60(2):130-136
Letd(;z, t) be the smallest diameter of the arcs of a Jordan curve with endsz andt. Consider the rapidity of decreasing ofd(;)=sup{d(;z, t):z, t , ¦z–t¦} (as 0,0) as a measure of nicety of . Letg(x) (x0) be a continuous and nondecreasing function such thatg(x)x,g(0)=0. Put¯g(x)=g(x)+x, h(x)=(¯g(x))2. LetH(x) be an arbitrary primitive of 1/h
–1(x). Note that the functionH
–1
x is positive and increasing on (–, +),H
–1 0 asx– andH
–1+ asx +. The following statement is proved in the paper.Translated fromMatematicheskie Zametki, Vol. 60, No. 2, pp. 176–184, August, 1996.This research was supported by the Russian Foundation for Basic Research under grant No. 93-01-00236 and by the International Science Foundation under grant No. NCF000. 相似文献
56.
设Mn为Riemann流形,给定类空浸入:Mn→Rn,p,如果存在另一个类空浸入:Mn→Rn,p,使与在共形对应之下且对应点的地空间平行,则称类空子流形是可保高斯映射共形形变的.本文给出可保高斯映射共形形变的充要条件.对n=2,p=1的情形,如果上述形变是同向的,我们分类了曲面;如果是反向的,我们用主曲率满足的方程来描述. 相似文献
57.
分析了色偏振的光谱与d(no-ne)的关系曲线 ,得出了色偏振现象的一些规律和应用。同时 ,指出由色偏振理论可以改变透射光的色调和饱和度的方法 相似文献
58.
59.
60.
采用原位X射线衍射仪、拉曼光谱仪和X射线反射仪分别研究了Cu-Sb2Te 薄膜的微结构、成键结构和结晶前后的密度变化. Sb2Te薄膜的结晶温度随着Cu含量的增加而增大. 在10 at.%和14 at.% Cu的Sb2Te薄膜中, Cu与 Te 成键, 结晶相由六方相的Cu7Te4、菱形相的Sb及六方相的Sb2Te构成. 10 at.% 和14 at.% Cu 的Sb2Te薄膜在结晶前后的厚度变化分别约为3.2%和 4.0%, 均小于传统的Ge2Sb2Te5 (GST)薄膜. 制备了基于Cu-Sb2Te薄膜的相变存储单元, 并测试了其器件性能. Cu-Sb2Te器件均能在10 ns的电脉冲下实现可逆SET-RESET操作. SET和RESET操作电压随着Cu含量的增加而减小. 疲劳测试结果显示, Cu 含量为10 at.%和14 at.%的PCRAM单元的循环操作次数分别达到1.3×104和1.5×105, RESET和SET态的电阻比值约为100. Cu-Sb2Te可以作为应用于高速相变存储器(PCRAM)的候选材料. 相似文献