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161.
Based on Zak's stress function, the eigen-equation of stress singularity ofbi-materials with a V-notch was obtained. A new definition of stress intensity factor for a perpendicular interfacial V-notch of bi-material was put forward. The effects of shear modulus and Poisson's ratio of the matrix material and attaching material on eigen-values were analyzed. A generalized expression for calculating/(i of the perpendicular V-notch of bi-materials was obtained by means of stress extrapolation. Effects of notch depth, notch angle and Poisson's ratio of materials on the singular stress field near the tip of the V-notch were analyzed systematically with numerical simulations. As an example, a finite plate with double edge notches under uniaxial uniform tension was calculated by the method presented and the influence of the notch angle and Poisson's ratio on the stress singularity near the tip of notch was obtained. 相似文献
162.
提出了一种新的遗传算法最优保存策略,该策略在最优个体保留的基础上,添加一个与最优个体相异因子较大,而适应值不过小的个体.这样做既利用了最优保存策略的全局收敛性,又通过新添加的个体来保持种群的多样性,以防止早熟现象的出现.对典型优化函数进行了测试,结果表明基于新的最优保存策略的遗传算法(DESGA)收敛性能显著好于一般简单遗传算法(SGA)和最优保存简单遗传算法(ESGA).该策略与最优保存策略一样具有一般通用性. 相似文献
163.
引入Γ-函数等特殊函数,利用权函数方法和实分析技巧,建立一个具最佳常数的复合核积分不等式.考虑了它的等价式,证明了它们的常数因子是最佳的,并通过取特殊的参数值,得到一些有意义的结果. 相似文献
164.
165.
为了进一步研究纳米导线阵列的排列形状以及阵列数目对其场发射行为的影响,利用镜像悬浮球模型对正方形以及六边形排列的纳米导线阵列的场发射行为进行计算与模拟,近似的得到纳米导线阵列的场发射增强因子满足如下的变化趋势:β=h/ρ(1/1+W)+1/2(1/1+W)2+3,其中h为纳米导线的高度,ρ为纳米导线的半径,W是以R为自变量的函数,R为纳米导线阵列的间距.结果显示纳米导线阵列的排列形状对其场发射性能的影响较小,而阵列间距则是影响场发射性能的关键因素:当R<R0时,场发射增强因子随着阵列间距的减小而急剧减小;当R>R0时,场发射增强因子基本不变,其中R0为导线阵列场发射的最佳间距.进一步研究表明改变纳米导线阵列的数目基本不会改变阵列的场发射性能随间距的变化趋势,但是随着阵列数目的增加,R0会有一定程度的减小,场发射增强因子也会降低.
关键词:
纳米导线
场发射
增强因子
阵列数目 相似文献
166.
P. Mali S. K. Sarkar A. B. Bhattacharya 《International Journal of Infrared and Millimeter Waves》2001,22(1):153-171
Radio wave operating in millimetrewave and microwave frequency bands are adversely affected due to rain. Particularly the attenuation is of immense significance for sensitive remote measurements by satellites using frequencies greater than 10 GHz. Maintenance of an uninterrupted communication link requires a precise knowledge of the attenuation effect due to rain for commissioning right kind of transmitting sources for various purposes required in present day situation. Precise measurement of attenuation at various frequencies will enable us to choose the right frequency, polarization, incident angle and power of the source for different purposes. In this paper we have compared the results of earlier works using aRb Olsen et al, (1) and the formulation by Moupfouma, (2) on the basis of theoretical analysis for explaining the observed results. Effect of temperature, considered in detail in this communication, has contributed the necessary correction factor of the rain attenuation for explaining the observed results. Theoretical analyses to measure the attenuation of the propagating wave due to temperature variation in the rain path have been presented. Correction factor due to temperature profile (temperature from the ground to the rain height within which the radio wave traces its path) has been incorporated in two models by using the concept of dipole energy changes. The effect of this temperature is noted to be quite significant and incorporates an error to the extent of 7–8%. 相似文献
167.
168.
在掺铒玻璃波导放大器(EDWA)的三能级速率-传输方程中,考虑两次离子交换工艺中波导掩模窗口宽度w不同所导致的抽运光、信号光模场与光强分布的不同,讨论不同w对EDWA增益特性的影响,得到光强分布的数值解.引入描述波导中抽运光和信号光的归一化光强重叠因子,对EDWA的传统近似解提出修正,得到了修正解,使其更加接近光强分布的数值解.模拟结果表明,在条波导长度为4 cm、抽运光波长为980 nm、功率为80 mW、信号光波长为1534 nm、功率为-10 dBm条件下,不同w所导致EDWA的增益差别可达297 dB.修正解的结果比传统近似解更加接近光强分布的数值解.修正解对于EDWA的理论研究、器件设计具有指导作用.
关键词:
集成光学
掺铒玻璃波导放大器
重叠积分因子
增益 相似文献
169.
170.
In this work, we derive the nuclear form factor for the spin-independent collision between the WIMPs and nucleus in terms of the relativistic mean field (RMF) theory. Comparison with the traditional form factors which are commonly used in literature is given and it is found that our results are slightly above that of the 2PF model by 4% to 8%, but deviate from the Helm form factor by 15% to 25% for the whole recoil energy spectrum of 0 ∽ 100keV. Moreover, taking Xe and Ge as examples, we show the dependenceof the form factor on the recoil energy. 相似文献