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861.
The triggering and guiding of high voltage discharge by plasma filaments generated by 400 nm and 800 nm femtosecond laser were studied experimentally. The detailed diagnostics for characteristics of filaments, such as amount of free electrons, diameter and electron density, were performed using sonographic method, fluorescence imaging and resistivity measurement. A significant reduction of the breakdown voltage threshold due to the pre-ionization of the air gap by laser pulse filaments was observed. It is shown that the 400 nm laser pulses demonstrated stronger triggering ability than 800 nm laser pulse under same pulse energy. This behavior of 400 nm femtosecond pulse is connected to the rich population of highly excited particles in filaments. 相似文献
862.
We observe linewidths below the natural linewidth for a probe laser on a degenerate two-level F → F′ transition, when the same transition is driven by a strong control laser. We take advantage of the fact that each level of the transition is made of multiple magnetic sublevels, and use the phenomenon of electromagnetically induced transparency (EIT) or absorption (EIA) in multilevel systems. Optical pumping by the control laser redistributes the population so that only a few sublevels contribute to the probe absorption, an explanation which is verified by a density-matrix analysis of the relevant sublevels. We observe more than a factor of 3 reduction in linewidth in the D2 line of Rb in room-temperature vapor. Such subnatural features vastly increase the scope of applications of EIT, such as high-resolution spectroscopy and tighter locking of lasers to atomic transitions, since it is not always possible to find a suitable third level. 相似文献
863.
We propose a model of feedforward (open-loop) optical control of two-level atom in the linear form. This model allows to express the general form of solution for the atomic level populations via the arbitrary shapes of the control signal. Then we make numerical investigations of different shapes for the optical control signal. 相似文献
864.
This work demonstrates that the detuning of the fs-laser spectrum from the two-photon absorption band of organic materials can be used to reach further control of the two-photon absorption by pulse spectral phase manipulation. We investigate the coherent control of the two-photon absorption in imidazole-thiophene core compounds presenting distinct two-photon absorption spectra. The coherent control, performed using pulse phase shaping and genetic algorithm, exhibited different growth rates for each sample. Such distinct trends were explained by calculating the two-photon absorption probability considering the intrapulse interference mechanism, taking into account the two-photon absorption spectrum of the samples. Our results indicate that tuning the relative position between the nonlinear absorption and the pulse spectrum can be used as a novel strategy to optimize the two-photon absorption in broadband molecular systems. 相似文献
865.
针对计算机控制光学表面成形中光学表面存在中高频误差的问题,提出了一种基于驻留时间补偿的有效控制方法。分析了抛光误差的形成机理和影响因素,对系统的误差影响因素进行分类和定量描述,构建了抛光过程中磨损影响因子、浓度变化影响因子和系统影响因子。基于各影响因素的影响因子对抛光驻留时间的求解函数进行了修正,提出采用离散最小二乘法对修正的函数求解驻留时间。研究表明:这种补偿方法能提高计算机控制光学表面成形技术中加工模型的精度,减小光学表面的残余误差。 相似文献
866.
交叉型波荡器是一种实现软X射线自由电子激光极化控制的有效方式。以自放大自发辐射自由光电子激光为例,采用统计的方法系统地分析了交叉型波荡器软X射线自由电子激光极化控制的影响因素。通过对光场相干长度、光脉冲两分量之间相对滑移长度和光场分量平均功率差异等的分析,给出了优化交叉型波荡器极化控制方案遵循的原则,即:辐射场相干时间尽可能长,光场分量相对滑移长度尽可能短,辐射场分量功率差异尽可能小等。该原则为交叉型波荡器软X射线自由电子激光极化控制方案的优化提供了依据。 相似文献
867.
基于斜入射薄膜制备实践中镀膜误差对光谱性能的严重退化影响的认识,提出了一种基于灵敏度控制思想的主动膜系设计方法。在深入分析了镀膜中膜层结构参数误差的分布规律的基础上,运用膜系光谱系数关于膜层参数的导数计算的解析模型,建立了膜系灵敏度的定量计算模型和快速实现算法。以一45°入射高精度消偏振增透膜的设计实验为例,探讨了灵敏度控制思想在膜系设计中的可行性、快速性和有效性。结果表明,这一新型设计方法不会显著增加程序时间消耗,能获得具有良好可镀制性能的薄膜,对于正入射和宽角度入射膜同样适用,而且可以避免昂贵的失败试镀和采样,有助于缩短新薄膜的生产周期,特别是对于高精度斜入射薄膜的重复性制备具有重要意义。 相似文献
868.
采用理论分析和微波注入实验相结合的方法,分别研究了以74HC04和74LVCU04A两种芯片为核心的反相器基本缓冲及数模转换电路的微波效应问题,通过反相器闩锁过程对非线性扰乱进行了机理分析,并利用微波注入实验详细分析了非线性扰乱效应的微波有效功率阈值及其随频率、脉冲宽度的变化。实验结果表明:在固定环境温度条件下,有效注入功率大于33 dBm,频率在3 GHz以下的微波均可使74HC04效应电路的非线性扰乱强度达到10%以上;有效注入功率大于30 dBm,频率在3 GHz以下的微波均可使74LVCU04A效应电路的非线性扰乱强度达到10%以上。相同非线性扰乱强度的注入有效功率阈值近似随频率的提高而增大。非线性扰乱阈值随注入微波信号脉宽变化明显,拐点为40~70 ns不等,与反相器中的互补型金属氧化物半导体器件寄生三级管的导通电流积累有关。 相似文献
869.
870.