全文获取类型
收费全文 | 1859篇 |
免费 | 327篇 |
国内免费 | 120篇 |
专业分类
化学 | 114篇 |
晶体学 | 11篇 |
力学 | 1038篇 |
综合类 | 52篇 |
数学 | 307篇 |
物理学 | 784篇 |
出版年
2024年 | 16篇 |
2023年 | 42篇 |
2022年 | 55篇 |
2021年 | 41篇 |
2020年 | 31篇 |
2019年 | 49篇 |
2018年 | 40篇 |
2017年 | 39篇 |
2016年 | 51篇 |
2015年 | 43篇 |
2014年 | 123篇 |
2013年 | 78篇 |
2012年 | 83篇 |
2011年 | 105篇 |
2010年 | 77篇 |
2009年 | 85篇 |
2008年 | 114篇 |
2007年 | 75篇 |
2006年 | 100篇 |
2005年 | 77篇 |
2004年 | 92篇 |
2003年 | 88篇 |
2002年 | 62篇 |
2001年 | 62篇 |
2000年 | 41篇 |
1999年 | 55篇 |
1998年 | 56篇 |
1997年 | 56篇 |
1996年 | 50篇 |
1995年 | 53篇 |
1994年 | 59篇 |
1993年 | 55篇 |
1992年 | 58篇 |
1991年 | 54篇 |
1990年 | 68篇 |
1989年 | 43篇 |
1988年 | 9篇 |
1987年 | 7篇 |
1986年 | 4篇 |
1985年 | 5篇 |
1984年 | 2篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 1篇 |
1980年 | 1篇 |
排序方式: 共有2306条查询结果,搜索用时 15 毫秒
81.
A new silicon-on-insulator(SOI)power lateral MOSFET with a dual vertical field plate(VFP)in the oxide trench is proposed.The dual VFP modulates the distribution of the electric field in the drift region,which enhances the internal field of the drift region and increases the drift doping concentration of the drift region,resulting in remarkable improvements in breakdown voltage(BV)and specific on-resistance(Ron,sp).The mechanism of the VFP is analyzed and the characteristics of BV and Ron,spare discussed.It is shown that the BV of the proposed device increases from 389 V of the conventional device to 589 V,and the Ron,sp decreases from 366 m·cm2to 110 m·cm2. 相似文献
82.
研究了行车环境下激光条纹图像中心线快速、准确且可靠的提取方法。基于ENet深度学习模型实现了激光条纹的多区段快速分割;通过统计各区段内光条梯度方向的直方图来确定各分段光条的法线主方向,并构造了相应的方向模板;利用分区域多模板匹配的灰度重心法实现了光条中心的亚像素坐标提取。研究结果表明,该方法可以有效克服室外行车环境中各类干扰信息对光条中心提取的影响,单幅钢轨轮廓图像的光条提取时间仅为2.1 ms,误差均值约为0.082 pixel,标准差为0.047 pixel,兼顾了光条中心提取的时效性和准确率。 相似文献
83.
84.
85.
86.
The equivalent air gap method is a simple way to trace the ray propagation in an isotropic medium, but it cannot be applied to an anisotropic medium. We present the exact general expressions of the equivalent air gap thicknesses and the displacements for the plane-parallel uniaxial crystal plates. They are also suitable for the isotropie medium. This method is useful when one determines whether certain size plane-parallel plates can be fitted into the available air of an optical system, and also in the prism system design. 相似文献
87.
88.
89.
研究了钝化在抑制电流崩塌的同时,会引起HEMT器件击穿电压的下降.而采用场板结构的AlGaN/GaN场板HEMT器件(FP-HEMT)的击穿电压从46V提高到了148V,表明了场板对提高击穿电压有显著作用(3倍以上).接着,比较了FP-HEMT器件与常规HEMT器件,钝化后HEMT器件在应力前后的电流崩塌程度,得出了采用场板结构比之钝化对器件抑制电流崩塌有更明显作用的结论.从理论上和实验上都表明,采用场板结构能够很好解决提高击穿电压与抑制电流崩塌之间的矛盾.
关键词:
GaN
场板
击穿电压
电流崩塌 相似文献
90.