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11.
一类机器人系统的最优控制 总被引:1,自引:1,他引:0
王辉 《数学的实践与认识》2002,32(3):455-459
本文通过把结构阻尼系数当作控制变量来讨论一类弹性机器人系统的最优控制问题 ,并利用Banach空间几何性质证明了最优控制元的存在唯一性 相似文献
12.
CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K. 相似文献
13.
浅析二阶齐次线性变系数微分方程的一个可积类型 总被引:1,自引:0,他引:1
姬志飞 《应用数学与计算数学学报》2006,20(1):125-128
本文讨论了二阶齐次线性变系数微分方程的特殊形式,给出了这种微分方程的一个可积类型. 相似文献
14.
考虑了热电制冷循环中热阻、热漏和焦耳热等主要不可逆性,引入了特征参量功率消耗比r,借助装置设计参量X表征了内、外不可逆性,利用有限时间热力学建立了制冷功率、制冷系数与特征参量之间的基本优化关系,导出了协调制冷功率与制冷系数的参量r、X以及电流I的优化准则。 相似文献
15.
16.
CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K.
关键词:
非弹性中子散射
填充式方钴矿
近藤绝缘体 相似文献
17.
18.
层次分析法参数化的随机模型 总被引:4,自引:0,他引:4
建立了层次分析法参数化的随机模型,通过计算难度系数,得出权向量,从而有利于广泛应用且真实可靠。 相似文献
19.
给出了线和n-2的n阶(0,1)-矩阵的最大积和式的积分表达式,并证明了该积分表达式与[1]得到的组合表达式等价。 相似文献
20.