低温Ar基质中CF3I激光光氧化反应中间体研究

研究了１０Ｋ Ａｒ基质中ＣＦ３Ｉ与Ｏ２经２６６ｎｍ脉冲激光辐照的光氧化反应，利用低温基质隔离技术和付里叶变换红外光谱法检测反应过程中产生的中间体有ＣＦ３ＯＯＩ、ＣＦ３ＯＯ、ＣＦ３Ｏ和ＣＦ３ＯＩ。通过量子化学从头算，对ＣＦ３ＯＯＩ的结构和振动频率进行计算，并对观察到的３个吸收峰进行了归属，首次确证ＣＦ３ＯＯＩ为新的中间体，根据ＣＦ３ＯＯ、ＣＦ３ＯＯＩ、ＣＦ３Ｏ、ＣＦ３ＯＩ随光照时间的生长和衰减，提出     

二维直方图θ划分最大Shannon熵图像阈值分割

鉴于常用二维直方图区域直分法存在错分,最近提出的斜分法不具普遍性,提出了适用面更广的基于二维直方图θ划分和最大Shannon熵的图像阈值分割算法.首先给出了二维直方图θ划分方法,采用四条平行斜线及一条其法线与灰度级轴成θ角的直线划分二维直方图区域,按灰度级和邻域平均灰度级的加权和进行阈值分割,斜分法可视为该方法中θ=45°的特例;然后导出了二维直方图θ-划分最大Shannon熵阈值选取公式及其快速递推算法;最后给出了θ取不同值时的分割结果及运行时间,θ取较小值时,边界形状准确性较高,θ取较大值时,抗噪性较强,应用时可根据实际图像特点及需求合理选取θ的值.与常规二维直方图直分最大Shannon熵法相比,本文提出的方法所得分割结果更为准确,抵抗噪声更为稳健,且所需运行时间及存储空间也大为减小.     

用于测量熔合反应的静电偏转板介绍

An electrostatic deflector for separating the fusion evaporation residues from the beam-like products in heavy ion reactions was installed. The evaporation residue separation and identification with the electrostatic deflector setup was tested with the reaction ^32S＋^96Zr at several energies. The fusion evaporation residues and the beam-like particles were well separated after the electrical separation and the experimental fusion cross section obtained from the angular distribution is in good agreement with the calculated value well above the Coulomb barrier. This confirms the reliability of the setup.     

环式M(SO2)(M=Zn, Cd)分子及其阴离子的基质隔离红外光谱和密度泛函理论计算

激光溅射锌和镉原子与SO₂分子反应的低温基质隔离红外光谱实验表明,在氩和氖的惰性基质中,形成了环式M(SO₂)分子及其阴离子M(SO₂)^- (M=Zn, Cd)．相关同位素(³⁴SO₂和S¹⁸O₂)替代实验及密度泛函理论计算均证实了这一结果．此外,自然电荷布居分析表明电子从金属锌和镉的s轨道转移到了SO₂配体上形成了M⁺(SO₂)^-“离子对”复合物,且该分子中的Zn-O键以及Cd-O键均表现出强的极化共价性．而Hg原子在与SO₂反应中所表现出来的惰性可由其较强的相对论效应所致的6s价电子层收缩与高电离电位得以解     

基于转台误差隔离的捷联惯导系统尺寸效应参数标定

针对捷联惯导系统尺寸效应参数标定问题,提出了一种基于转台误差隔离的改进标定方法。先标定出捷联惯导系统中加速度计间的相对位置关系,再基于尺寸效应误差最小原则,对载体坐标系原点位置进行优化,得出尺寸效应参数。克服了传统分立式标定方法的一些不足,从原理上降低了标定对转台的依赖。对于陀螺零偏稳定性优于0.005°/h,加速度计零偏稳定性优于2×10~(-5) g的捷联惯导系统:尺寸效应参数标定重复性小于0.01 mm(转速60°/s);在摇摆条件下(幅度30°,频率0.15 Hz),4000 s纯惯性导航平均定位误差由补偿前的3100 m以上减小到补偿后的150 m以内。     

固态氢分子基质隔离高分辨光谱实验装置及其应用

建立了用傅立叶变换红外光谱和中红外差频激光光谱方法研究氢基质隔离光谱的测量装置. 作为装置的测试, 观测了3 cm长的固态氢分子晶体在1-5 μm波段的吸收光谱. 并用中红外差频激光测量其在2410 cm-1附近的W0(0)(v=0→0, J=6→0)谱线的高分辨精细结构. 通过在低温基片上喷溅沉积氢分子晶体薄膜的方法, 对氢基质隔离的CO2分子的高分辨红外吸收光谱进行了研究.     

基于广度优先搜索算法的故障隔离矩阵生成方法

相关性矩阵表示故障与测试之间的逻辑关系。隔离矩阵表示在给定的测试顺序下,故障隔离与测试之间的需求关系。测试顺序对诊断费用影响可以通过隔离矩阵进行计算。所以求解隔离矩阵是诊断费用优化的前提。针对相关性矩阵与隔离矩阵易于混淆的问题,以及传统分析方法求解隔离的不足,详述隔离矩阵的概念和生成原理,设计基于广度优先搜索的隔离矩阵生成算法。示例表明,生成算法是可行的和有效的。     

新型掺碳二氧化硅-薄膜体声波谐振器结构及其仿真验证

一定厚度的低声阻抗支撑层可以在薄膜体声波谐振器(FBAR)与衬底之间形成声学隔离层,防止声波泄漏到衬底当中。掺碳二氧化硅(CDO)是一种低声阻抗材料,对FBAR具有较好的温度补偿效果,可以作为FBAR与衬底之间的声学隔离层,从而构成一种新型的CDO-FBAR。为了分析CDO-FBAR与通孔型FBAR相比性能是否退化,以及CDO声学隔离层所需厚度,采用多物理场耦合仿真软件分析了CDO-FBAR和通孔型FBAR的谐振频率、Q值、有效机电耦合系数和S参数,并提取了CDO-FBAR纵向振动位移。分析结果表明:CDO-FBAR的谐振频率整体向下漂移;CDO声学隔离层导致S参数的寄生干扰;由于声学损耗增加,Q值略有降低,其中并联谐振点处的Q值降幅更大;有效机电耦合系数略有降低;声波传播到声学隔离层中9 m处就完全衰减,即只需要9 m厚的CDO声学隔离层就能在FBAR与衬底之间形成有效的声学隔离。由此,仿真验证了这种新颖的CDO-FBAR结构的可行性。     

AlGaInP/GaAs HBT制备中质子注入隔离

对HBT工艺中质子隔离注入及其掩膜方法进行了研究.通过计算确定了最佳注入剂量.在一定的温度下退火,可增强隔离效果,最佳退火温度依赖于离子注入剂量,当温度增高时,电阻率又开始下降,并趋向恢复到退火前的状态.采用Si3N4加光刻胶双层掩膜,工艺简单,重复性好,样品无沾污现象,隔离效果佳,制备的器件直流特性较好. 关键词：     

泛函中的两个对偶定理

本文利用＊隔离定理,证明了Ｍａｚｕｒ定理和凸集的最佳逼近元存在性定理的对偶定理．