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91.
GDC(He SiH4)是为HL-1M装置研制的一种常规壁处理技术。在He辉光等离子体条件下,通过气相中的电子碰撞离解、电离、离子-分子反应和在壁面上的He^ 诱导脱H2过程,在清洁的真空壁表面沉积一层无定形、半透明、致密的氢化硅(α-Si:H)薄膜。氢化硅具有良好的H(D)捕获、H2(D2)释放,能显著地降低再循环系数,有效地控制杂质水平,大大拓宽了HL-1M装置的运行范围,为HL-1M装置的LHCD、ICRH、ECRH、NBI、PI和MBI实验提供了良好的真空壁条件。 相似文献
92.
消色差的1/4波长延迟器的几何光学设计 总被引:4,自引:1,他引:4
在许多光谱学测量和实验研究中,常需要一个消色差1/4波长延迟器来满足各种实验测量条件.这可以通过一个在工作波长范围内折射率变化较小的菱型棱镜来实现.为了使用方便,在光学系统中可设计一个具有三个全内反射面的V型棱镜,其总的相位延迟达90°,同时可避免光路偏差.在实际应用中,需对棱镜的尺寸和通光孔径进行优化设计,以达到最佳效果.在本文中,我们给出了具有这种结构的几何设计例子,还结合不同参量成功地设计研制了一个消色差的1/4波长延迟器,并应用于磁光材料的克尔效应测量中.文中给出了详细计算和误差修正,所给出的计算公式可用于其他尺寸的消色差1/4波长器的设计和研制. 相似文献
93.
将部分真空室内壁蒸钛,使Z_(eff)降低到2左右,电流坪区拉长到近400ms。用多个窄脉冲补充送气,获得了密度较高的等离子体,最大达到3. 7×10~(13)cm。实验结果表明,当前改善HL-1装置放电品质的关键在于控制杂质。 相似文献
94.
碳材料尤其是掺杂改性的石墨和C/C复合材料仍是面对等离子体壁材料(PFM)的首选之一。近年来,我们用热压方法研制了一系列的硼(B)、钛(Ti)、硅(Si)掺杂石墨和B4C掺杂C/C复合材料。化学溅射和氢滞留与解吸实验研究表明,一定量的B杂质能够有效地减少化学溅射产额,降低氢和甲烷的解吸温度和减少甲烷的解吸产额。然而单项的模拟实验对于检验材料的综合性能是不够的,为此,有必要将材料引入Tokamak进行材料的边缘等离子体辐照实验,以研究材料的综合性能和协同效应机制,从而为材料的研制提供第一手的数据。 相似文献
95.
96.
利用微区Raman散射技术,对低压MOCVD生长的不同Al组分的AlxGa1-xN薄膜(x=0,0.07,0.15)进行了背散射Z(X,X)Z-几何配制下的测量.A1(LO)模式的声子频移随Al组分的变化关系为:ω(AlxGa1-xN)=(1+0.220x)ω(GaN).观察到了A1(LO)模式由于空间相关效应引起的展宽.E2模式随Al组分的的增大产生的移动很微小,但趋于展宽.这被认为是E2模式的声子频移随Al组分的增加而增大与其受到的张应力导致的声子频移随Al组分的增加而减小共同作用的结果.在多种配置下,观察到了Al0.07Ga0.93N薄膜的A1(TO)模式、A1(LO)模式、E1(TO)模式和E2模式.验证了AlxGa1-xN薄膜的Raman选择定则.表明AlxGa1-xN薄膜具有单模行为. 相似文献
97.
在反转恢复测试中磁化矢量的演化特征:辐射阻尼效应 总被引:1,自引:0,他引:1
在强辐射阻尼存在下,水样(90% H2O in D2O)的反转恢复实验表明:当两脉冲的相位相差180°且反转脉冲角<180°时,或两脉冲相位一致但反转脉冲角>180°时,在检测期观测到的信号强度将不发生从负极大值到正极大值的突变;在同样的条件下,如果存在频率偏置,信号强度存在波动,即beating效应.只有当两脉冲的相位一致而反转脉冲角<180°时,或两脉冲的相位相差180°但反转脉冲角>180°时,在检测期信号强度才发生突变,即jumping效应.这些现象都可通过辐射阻尼理论予以合理地解释.另外,在检测期当磁化矢量运动到-z轴附近(对应于τ=Trdln{tan[(π±δ)/2]}),信号强度与理论预计的偏差实际上与T1弛豫效应有关. 相似文献
98.
观察了以不同比例溶解在乙醇中的EU(3+)、Tb(3+)、1-乙酰乙酰吲哚(HL)和1,10-邻菲啉(Phen)的荧光光谱.结果表明HL能有效地把吸收的能量传递给Tb(3+),而不能有效地传递给Eu(3+).讨论了HL和Phen对Eu(3+)、Tb(3+)的配位作用及其对Eu(3+)或Tb(3+)所组成的三元体系中敏化发光性能的影响. 相似文献
99.
100.