海森堡群上的Littlewood—Paley g-函数的估计

建立了Littlewood—Paley g-函数在Heisenberg群上某些Herz型空间上的有界性．     

具有HfN/HfO2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究

研究了HfN/HfO₂高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中，负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO₂高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm，内含原生缺陷密度较低.研究表明，由于所制备的HfN/HfO₂ 高K栅结构具有低的原生缺陷密度，因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征，而非工艺缺陷引起的；进一步研究表明，该HfN/HfO₂高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO₂基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征，可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征： HfN/HfO₂ 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理，即在负 偏置和温度应力作用下，从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生，并由此产生了Si^＋陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ，这种Si^＋陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 关键词： 高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R-D)模型     

交换自同构群的若干结果

借助于环论的方法研究了具有交换自同构群的有限群,提出了一种新的自同构构作技术,并用之证明了这样的非交换有限群具有非循环的中心子群,以及其每个极大子群的中心子群也都非循环.     

Curran猜想的解答

本文确定了能作为有限群自同构群的Ｐ－群的最佳下最，彻底解决了Ｃｕｒｒａｎ在１９８９年提出的关于此最佳下界的三个猜想。     

Sr1-xLaxTiO3的高温高压合成及XPS研究

 利用高温高压方法合成了有稀土元素La掺杂的钙钛矿氧化物Sr_1-xLa_xTiO₃。XRD测试表明，在x≤0.5时，样品基本为单相，呈立方相；晶胞体积随x的增加而增加，在x=0.4时开始减小。XPS测量发现，样品中存在Ti离子的变价。讨论了Ti离子价态的变化对晶格参数的影响。     

X…H2O（X=Li，Na，K）非线性光学性质的从头算理论

在MP2水平上采用6-311G基组计算了van der Waals复合物X…H2O(X=Li, Na, K)的非线性光学性质(μ, α, β), 讨论了基组效应和电子相关效应对计算结果的贡献. 在MP2/6-311++G(2df, 2pd)水平上计算得到的三个复合物分子X(X=Li, Na, K)•••H2O的非线性光学性质. 结果表明, 三种复合物分子均具有巨大的一阶超极化率, 其中最外层电子的弥散特性对一阶超极化率有很大的影响.     

In（Ⅲ）－和Y（Ⅲ）－1，2－PDTA配合物的动态核磁共振研究

研究了Ｉｎ（Ⅲ）和Ｙ（Ⅲ）－１，２－丙二胺四乙酸配合物￣１ＨＮＭＲ谱的温度依赖性，其结果显示出８个乙酸质子处于不同的磁环境中，分４组ＡＢ谱。ＡＢ谱交换现象由氮原子翻转引起，通过全线型分析求得了速率常数及相关热大学参数。对不对称的氮原子，其翻转速率不同，靠近ＣＨ＿３─基团的氮原子翻转速率要比远离ＣＨ＿３─的小．活化能与金属离子的离子势呈线性关系。     

具有六重穿插非中心对称金刚石网络结构的Cd(Ⅱ)和Zn(Ⅱ)的配位高聚物(英)

利用1，4-二-(4-羧基吡啶基)丁烷(L)合成了两个新的三维配位聚合物{(CdL₂)·4H₂O·2ClO₄}_n 1和{(ZnL₂)·4H₂O·2ClO₄}_n 2。单晶X-射线结构分析表明，1和2具有相同的计量式，但其晶体属于不同的空间群(1属于P4n2，2属于P4₂22)。两种配合物中，每个金属离子分别由配体与四个相邻的金属离子连接，从而形成具有六重穿插的金刚石网络结构，其网络中大的空腔被高氯酸根离子和(H₂O)₄分子簇所占据。     

5,7-二取代-2-(2,4-二氯苯氧乙酰亚胺基)-2H-1,2,4-噻二唑并[2,3-α]嘧啶衍生物的合成、晶体结构及除草活性

设计并合成了5种5,7-二取代-2-(2,4-二氯苯氧乙酰亚胺基)-2H-1,2,4-噻二唑并[2,3-a]嘧啶类化合物5,均为未见文献报道的新化合物.利用1H NMR、元素分析等确定了产物的结构.初步除草活性测定结果表明,化合物5对阔叶植物有优良的除草活性,且有一定的选择性.为了进一步了解该类化合物的结构,也为设计新的除草剂分子提供帮助,对其中一种化合物5b进行了X射线单晶衍射.