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971.
张辉  王志玺 《数学学报》2002,45(3):589-592
设 H是域 k上的有限维 Hopf代数,K为 H的任意子 Hopf代数,A是右 H-余模代数.设 =(H/K+ H)*和,且有 c∈A,t ·c=1.本 文刻划了 A作为 A# *-模的投射性且证明了:如果A/AH*是 H-Frobenius扩张, 则 A /AH*是 K-Frobenius扩张;如果 A/AH*是 H-Galois扩张,则 A */AH*是 K-Galois扩张.  相似文献   
972.
人们知道SU(2)的不可约酉表示的矩阵元是相互正交且平方可积的(Peter Weyl定理). 对于SU(2,R)的主级数表示和离散级数表示的矩阵系数是否有类似的结果?在该文中,作者部分给出了这个问题的肯定回答,即关于主级数表示的矩阵系数是准平方可积的,关于离散级数表示 的矩阵系数是平方可积的. 此外,他们还得到了离散级数表示(除狀=±1外)在子空间′狀上的矩阵系数是绝对可积的.  相似文献   
973.
四苯硼钾从水到水-乙醇混合溶剂中的标准迁移自由能   总被引:1,自引:0,他引:1  
在298.15K,对四苯硼钾在不同比例的水-乙醇混合溶剂中的活度积及从水到混合溶剂中的标准迁移自由能进行了研究,并对四苯硼钾在水-乙醇混合溶剂中的介质效应进行了分析讨论。  相似文献   
974.
975.
MOCVD的InGaAs/GaAs应变层量子阱的低温光致发光研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
王小军  郑联喜 《发光学报》1994,15(3):190-200
本文中利用MOCVD方法得到了高质量的InGaAs/GaAs应变层量子阱材料,4.3nm量子阱10KPLFWHM仅为3.49meV.通过对样品荧光谱在变激发强度,变温时的峰位、峰形研究,我们发现,合金组分起伏散射是样品低温荧光谱展宽的主要原因,因而是MOCVD生长中应该首先解决的问题,实验结果还表明,在讨论低温PL谱形时,必需考虑光生载流子由随机起伏势中高能位置向低能位置的迁移过程。  相似文献   
976.
曾云波  李翊神 《数学进展》1995,24(2):111-130
本文综述了作者关于将无穷维可积Hamilton系统(IDIHS)分解为两个可交换的有限维可积Hamilton系统(FDIHS)的一般途径方面能做的工作,该途径提出了联系势和特征函数的一般约束(包括高阶约束),提供了从IDIHS到FDIHS的一般方法;在零曲率表示理论框架内,统一处理了一族IDIHS的分解;证明了在一般约束下,一族IDIHS中的每一个都可以分解为两个可交换的x-和tn-FDIHS;建  相似文献   
977.
可积模的权     
张贺春 《数学学报》1995,38(1):30-37
本文定义了Kac-Moody代数的一个新的可积模范畴,并且给出了一个可积模是否属于这个模范畴的一个判别准则.另外还详细研究了这个模范畴中的可积模的权系。特别我们定义了虚权和实权。还详细地计算了一些模的虚权和实权,还给出了双曲型广义Cartan矩阵的新刻划.这使我们能够计算一些双曲型Kac-Moody代数的可积模的权。  相似文献   
978.
四元数矩阵的Jordan标准形   总被引:14,自引:1,他引:13  
本文是在四元数矩阵的重行列式理论的基础上,直接利用四元数的乘法证明了。任意一个四元数矩阵都相似于特征主值表征的Jordan标准形及其唯一性.  相似文献   
979.
本文主要利用标准型中的可积条件算法,对吴微分特征列法做了一些改进;并在计算机上,利用Mathematica工具软件,用改进的方法,对偏微分方程组进行了化简。  相似文献   
980.
潘涛  钱敏 《中国科学A辑》1990,33(3):236-246
本文引入一种谱坐标(M-C坐标)来研究有限带Dirac算子的反谱问题。利用这种坐标,将散焦NLS流分解成两个可交换的有限维完全可积Hamilton流,并求出其Cauchy问题的条件周期解。  相似文献   
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