离心力场作用下多孔介质中强制对流换热的研究

对离心流化床中空气通过多孔物料层的强制对流换热进行了理论和实验研究。获得了气流和物料间强制对流换热的准则关联式。研究结果表明,在气流速度和温度梯度方向一致的条件下,强制对流换热比通常的边界层强制对流换热有所强化,其换热的准则关联式具有 Nu=CRePr的线性形式。从而验证了改变气流方向和热流密度矢量之间夹角可以强化换热的这一强化传热新原理。     

R407C水冷冷凝器传热强化的实验研究

本文通过实验,研究了替代制冷工质R407C在螺旋隔板花瓣管冷凝器中的传热性能,实验结果表明,随着热流密度的增加,冷凝器的总传热系数也不断增大。在相同热流密度下,其总传热系数比板式冷凝器提高40％以上。     

谈普朗克质量

简要介绍了普朗克于1912年提出的三个基本物理量：普朗克质量、普朗克长度和普朗克时间，它们巳被列入1986和1998年基本物理常数表，该文只讨论普朗克质量，假定原子核内存在量子化的核力场，命名其场量子为“引斥子”，其质量推算出恰好等于普朗克质量，由此可用4个耦合常数定量地描述四种相互作用的强度比，从而还可找到一种测定G的新方法。     

原子物理学课程的教学改革与实践

文章首先对原子物理学课程进行定位，指出原子物理学是普通物理的一部分，它属于近代物理，并概述了原子物理学课程的特点；文章接着对原子物理学课程的教学体系与教学内容的改革方面的一些重要问题分别进行了讨论；文章最后详述了原子物理学的教学改革与实践以及在教学中培养分析问题和解决问题的能力方面的尝试。     

Ψ(2S)粒子及粲夸克偶素物理实验研究——2001年度国家自然科学奖获奖项目介绍

文章介绍2001年度国家自然科学奖二等奖获奖成果，在北京正负电子对撞机上采集了Ψ（2S）粒子大数据样本，开展了粲偶素物理的广泛研究：完成了6个粲偶素涉及质量，宽度和衰变化支比等大批重要参数的首次测量或高精度测量；通过对Ψ（2S）和J／Ψ强衰变性质的比较研究，观察到一系列反常现象，挑战现有理论图像。该项研究成果对量子色动力学的检验与发展具有重要意义，为我国粲偶素物理实验研究的继续发展并保持先进水平奠定坚实基础。     

高温高压下绿辉石成因研究

在3 GPa,1 200 ℃条件下,分别以碱性玄武岩粉末和等化学计量光谱纯试剂为原料进行高温高压熔融结晶实验,对实验产物进行了电子探针测试和拉曼光谱分析,确定结晶产物为绿辉石,其拉曼谱峰的半高宽较窄且形态尖锐,表明绿辉石晶体中Si—O四面体结构稳定,矿物内部有序度高。结合前人研究成果探讨了绿辉石成因的影响因素及其原始岩浆,结果表明绿辉石的形成可能受母岩成分、体系流体含量和温压条件等多种因素影响。本实验结果为绿辉石和榴辉岩成因学研究提供可能的实验依据。     

Analytical modeling and simulation of subthreshold characteristics of back-gated SSGOI and SSOI MOSFETs: A comparative study

The Silicon–Germanium-on-Insulator (SGOI) and Silicon-on-Insulator (SOI) based MOS structures are spearheading the strained-Si technology. The present work compares the subthreshold characteristics of two short-channel back-gated (BG) strained-Si-on-SGOI (SSGOI) and BG strained-Si-on-Insulator (SSOI) MOSFETs, and provides some solutions to overcome the degradation in subthreshold characteristics with the unrelenting downscaling of the devices. Subthreshold behaviors of the MOS structures are based on surface potential model which is determined by solving the 2D Poisson's equation with suitable boundary conditions by evanescent mode analysis for both of the MOS structures. The closed form expressions for threshold voltage, subthreshold current and subthreshold swing have been derived for symmetrical as well as independent gate operation (IGO). In addition, the Electrostatic integrity (EI) factors for SSOI and SSGOI MOS structures have been estimated and compared with Double-Gate (DG) MOSFET. The numerical simulation results, obtained by ATLAS?, a 2D device simulator from Silvaco, have been used to assess the validity of the models.     

超高速碰撞产生等离子体云的粒子能量时空分布

为了研究超高速碰撞产生等离子体的粒子能量对航天器电路中元器件的毁伤,获得超高速碰撞产生等离子体粒子能量的时空分布特性是十分必要的。基于超高速碰撞产生稀薄等离子体中带电粒子的运动速度、等离子体的扩散特点,推导出等离子体的粒子能量密度与带电粒子密度及带电粒子运动速度的关系式。进而通过对超高速碰撞2024-T4铝靶实验采集的原始数据分析,利用Matlab编程得到了超高速碰撞2024-T4铝靶产生膨胀等离子体云物理过程中,等离子体的粒子能量密度与带电粒子持续时间及被测点到碰撞点距离的时空分布规律。     

大口径连续相位板远场光强的离线测试实验

为了准确测试和评价大口径连续相位板（CPP）元件的远场光强性能,根据激光装置需求建立了351 nm波长下大口径CPP远场光强离线测试系统,开展了330 mm330 mm口径CPP元件测试实验,并与标量衍射计算结果进行对比,分析了系统的测试重复性和测试精度。实测系统远场弥散斑大小为2.9倍衍射极限,可测试最大口径为圆形f600 mm和方形430 mm430 mm。测试系统在焦点2 mm范围内的能量集中度测试重复性优于0.2 %。计算和实验焦斑形貌及分布吻合,实测能量集中度比计算结果小0.85%、焦斑半径大13 m左右,差异由实测系统的时间匀滑作用引起,可通过缩短曝光时间和减小系统像差等措施进一步提高测试精度。     

PbWO4晶体空位型缺陷电子结构的研究

采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法计算了PbWO4晶体中与氧空位和铅空位相关缺陷的态密度分布,并运用过渡态方法计算了其激发能.结果表明:PbWO4晶体中WO3+VO缺陷的O2p→W5d跃迁可引起350nm和420nm附近的吸收,并且发现VPb的存在可以使WO42基团的禁带宽度明显变小 关键词： PbWO4晶体 密度泛函 氧空位和铅空位 态密度分布