关于3-连通图最长圈的注

设C是3-连通图G的一个最长圈,H是G-V(C)的一个分支满足|H|≥3.文献[4]在给H附加一些条件后,证明|C|≥2d(u) 2d(v)-5,并且不等式严格成立除非G属于某些例外图类,这里u,v是G中两个不相邻的顶点.本文给出了上述例外图类的精确刻划.     

一类3—连通图的周长

设G=(V,E)是一个n阶无向简单图,本文证明了:设G是一个3-连通图,若G的每一个最长圈是控制圈,则G的周长c(G)≥min{n,2NC_2}或G同构于Petersen图,其中NC_2={|N(u)∪N(v)||u,v∈V(G),d(u,v)=2}。     

基于软弹流润滑模型的液压格莱圈密封性能分析

基于软弹流理论建立了液压往复格莱圈密封的数值分析模型,该耦合模型包括流体力学、接触力学、变形和热分析.数值求解获得了密封区域的膜厚、流体压力和接触压力分布,以及单个行程的流量和活塞杆表面的摩擦力,揭示了液压往复格莱圈密封的密封机理.通过参数化进一步分析了不同密封表面均方根粗糙度、密封压力和往复速度对密封性能的影响.结果表明:在本研究中,密封区域表现为混合润滑状态,且以微凸体接触摩擦为主;较小的密封表面均方根粗糙度值具有较好的密封性能,增大密封压力会导致泄漏量和摩擦力均增加,而增大往复速度有利于减小泄漏量.     

离散哈密顿系统多个周期解的存在性

本文利用临界点理论,建立了一类离散哈密顿系统存在多个周期解的一些充分条件.     

Comment on ＂Approximate and Conditional Teleportation of an Unknown Atomic State Without Bell-State Measurement with Two-Photon Interaction＂

In a previous work [Commun. Theor. Phys. 45 （2006） 79] a scheme was presented for approximate and conditional teleportation of an unknown atomic state in a QED-cavity without Bell-state measurement via two-photon Jaynes-Cummings model in the effective Hamiltonian approach. This comment presents an alternative method, based on the so called ＂full two-photon Jaynes-Cummings Hamiltonian approach＂. Accordingly, it describes the evolution of the two-photon degenerate process for arbitrary average photon number inside the cavity, as the correct way to implement teleportation in this scenario.     

二阶离散Hamiltonian系统的多重周期解

利用变分原理和Clark定理,研究了带参数的二阶离散Hamiltonian系统的多重周期解,得到了此类方程周期解个数的下界估计.     

有向图n·Cm的优美性

给定有向图D(V,E),如果存在一个单射f:V(D)→{0,1,…,|E|}使得对于每条有向边(u,v),诱导函数f':E(D)→{1,2,…,|E|}是一个双射函数,其中,f'(u,v)=[f(v)-f(u)](mod(|E|+1)),则f称为有向图D(V,E)的优美标号,f'称为有向图D(V,E)的诱导的边的优美标号.本文讨论了有向图n·Cm的优美性,并且证明了当m=23且n为偶数时,n·Cm是优美有向图.     

类圈图的亏格分布

一个图 G 的亏格分布是指序列{g_k}, g_k表示 G 嵌入亏格为 k 的闭的可定向曲面的数目. 该文给出了标准类圈图的亏格分布的递推公式, 并得到类圈图的嵌入多项式的计算公式.     

可圈的一个充分条件

本文我们证明如下结果:设G=(V,E)是一个n(n≥3)阶k-连通(k≥2)图,记X1,X2,…,Xk为V的子集,X=X1∪X2∪…∪Xk.若对每个I,I=1,2,…,k,满足:对任意的u,v∈Xi,有d(u) d(v)≥n或|N(u)∪N(v)|≥n-δ或|N(u)∩N(v)|≥α,这里δ是G的最小度,α是G的独立数,则G是X-可圈的.     

CRAFT TF中场线圈导体及内部接头电阻-温度特性研究

我国于2019年启动了国家大科学装置聚变堆主机关键系统综合研究设施(CRAFT)的建设,环向场(Toroidal Field, TF)线圈是聚变堆主机关键系统综合研究设施的重要组成部分.TF线圈绝缘制造采用真空压力浸渍工艺实现,因TF线圈体量巨大,为使线圈绝缘固化时温度均匀,减少绝缘树脂固化热应力,拟采用导体电流加热的方式进行加热.TF中场线圈有三个内部接头,因此需要同时知道导体和内部接头电阻与温度之间的关系,以防内部接头局部过热,导致绝缘固化失败.本文将中场内部接头样件加热到线圈绝缘工艺温度,用直流四线法测量导体和内部接头在不同温度下的电阻,得到在303～443 K温度区间内导体和内部接头电阻-温度关系式.发现相同温度下,导体电阻大于内部接头电阻,同时分析了内部接头铜套以及铬层对电阻的影响.并根据测得的电阻-温度关系式,可以得到在不同温度下超导缆及内部接头产生焦耳热的能力,从而为超导线圈绝缘固化温度控制提供重要的参考依据.