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991.
992.
本文采用透射式太赫兹时域光谱技术研究0.3—2.5 THz范围内本征GaSe,S掺杂质量分数为2.5%GaSe(GaSe:S(2.5%))和S掺杂质量分数为7%GaSe(GaSe:S(7%))晶体的电导率特性,并利用Drude-SmithLorentz模型对复电导率进行拟合.研究发现GaSe晶体的电导率实部随S掺杂浓度的增大而减小,主要是由于S掺杂使GaSe晶体的费米能级逐渐向电荷中性能级转移,载流子浓度下降引起的.本征GaSe和GaSe:S(2.5%)在约0.56 THz处有明显的晶格振动峰,而GaSe:S(7%)在0.56 THz附近无晶格振动峰,这主要是由于S掺杂提高了晶体的结构硬度,减弱了晶体的层间刚性振动.且3个样品均在约1.81 THz处存在明显的窄晶格振动峰,强度随S掺杂浓度的增大先减小再增大,主要是由于S掺杂降低了GaSe的局部结构缺陷,减弱了窄晶格振动峰强度,而过量的S掺杂生成β型GaS晶体,进而增加晶体的局部结构缺陷,窄晶格振动峰强度随之增强.GaSe晶体约在1.07 THz和2.28 THz处的宽晶格振动峰强度随S掺杂浓度的增大而减弱甚至消失,主要是由于S掺杂产生... 相似文献
993.
碳材料尤其是掺杂改性的石墨和C/C复合材料仍是面对等离子体壁材料(PFM)的首选之一。近年来,我们用热压方法研制了一系列的硼(B)、钛(Ti)、硅(Si)掺杂石墨和B4C掺杂C/C复合材料。化学溅射和氢滞留与解吸实验研究表明,一定量的B杂质能够有效地减少化学溅射产额,降低氢和甲烷的解吸温度和减少甲烷的解吸产额。然而单项的模拟实验对于检验材料的综合性能是不够的,为此,有必要将材料引入Tokamak进行材料的边缘等离子体辐照实验,以研究材料的综合性能和协同效应机制,从而为材料的研制提供第一手的数据。 相似文献
994.
995.
引入三体非对角玻色相互作用计算了24Mg的能谱,克服了以往理论谱中0过低的困难,改进了理论和实验的符合程度.说明在某些情形下三体非对角玻色相互作用有可能是重要的. 相似文献
996.
利用微区Raman散射技术,对低压MOCVD生长的不同Al组分的AlxGa1-xN薄膜(x=0,0.07,0.15)进行了背散射Z(X,X)Z-几何配制下的测量.A1(LO)模式的声子频移随Al组分的变化关系为:ω(AlxGa1-xN)=(1+0.220x)ω(GaN).观察到了A1(LO)模式由于空间相关效应引起的展宽.E2模式随Al组分的的增大产生的移动很微小,但趋于展宽.这被认为是E2模式的声子频移随Al组分的增加而增大与其受到的张应力导致的声子频移随Al组分的增加而减小共同作用的结果.在多种配置下,观察到了Al0.07Ga0.93N薄膜的A1(TO)模式、A1(LO)模式、E1(TO)模式和E2模式.验证了AlxGa1-xN薄膜的Raman选择定则.表明AlxGa1-xN薄膜具有单模行为. 相似文献
997.
用一个新的变换求解了修正P(o)schl-Teller势的薛定谔方程束缚态,得到了能量本征值及相应的波函数. 相似文献
998.
999.
准确地测量资产之间的相关性,是构建有效投资组合模型的前提.文章针对资产收益率存在分形相关性的现实情况,首先通过消除趋势交叉相关分析(DCCA)等方法,构建了分形相关性统计测度,用于测量资产之间的相关性;随后,通过将分形相关性统计测度纳入到收益-风险准则之中,构建了多时间标度前置下的投资组合模型Mean-PDCCA,即分形投资组合模型,并给出了模型的解析解;最后,实证分析发现,在资产收益率存在分形相关性的典型事实约束下,分形投资组合整体上优于经典投资组合,不仅能够提升投资业绩,还具有更好的稳健性,为投资者提供了有效的决策参考. 相似文献
1000.
在反转恢复测试中磁化矢量的演化特征:辐射阻尼效应 总被引:1,自引:0,他引:1
在强辐射阻尼存在下,水样(90% H2O in D2O)的反转恢复实验表明:当两脉冲的相位相差180°且反转脉冲角<180°时,或两脉冲相位一致但反转脉冲角>180°时,在检测期观测到的信号强度将不发生从负极大值到正极大值的突变;在同样的条件下,如果存在频率偏置,信号强度存在波动,即beating效应.只有当两脉冲的相位一致而反转脉冲角<180°时,或两脉冲的相位相差180°但反转脉冲角>180°时,在检测期信号强度才发生突变,即jumping效应.这些现象都可通过辐射阻尼理论予以合理地解释.另外,在检测期当磁化矢量运动到-z轴附近(对应于τ=Trdln{tan[(π±δ)/2]}),信号强度与理论预计的偏差实际上与T1弛豫效应有关. 相似文献