座壳孢菌对烟粉虱致病力的研究

座壳孢属(Aschersonia)是粉虱和介壳虫的一类重要病原真菌,可用于世界性害虫烟粉虱(Bemisiatabaci)的生物防治.本文对来自世界各地的15株座壳孢菌进行了产孢、萌发性状比较,在此基础上筛选出11株产孢、萌发能力较好的菌株测定其对烟粉虱的致病力.菌株Aa5、Ag1、Aa8、Aa7、Aa2和Aa1均表现出高致病性(＞60%),此外本研究还发现菌株的致病力与其萌发率成明显正相关(r=0.86),而与产孢量不相关.     

短脉冲激光尾流场中的前向Raman散射

用212维粒子模拟分析了前向Raman散射对激光尾流场加速电子的影响.前向Raman散射使脉冲长度在传播方向上被拉长，脉冲后沿变陡，产生的尾流场相速度明显减小，而且超热电子的最大动能明显小于理论估计值.此外激光频率整体向低频移动.     

狄拉克方程的单旋量解法以及由此引起的认识上的差异

把狄拉克方程分解成了两个单旋量的联立方程组．指出现行的自旋理论仅考虑了其中的一个方程，是以一个单旋量代替双旋量来描述状态而建立起来的．笔者在认同现行自旋理论可以作为狄拉克方程的一种求解方法，因而同意其中的某些提法外，对于其主要的物理观念：微观粒子存在着独立于现实的位形空间之外的一个自旋空间，在这个自旋空间内禀着角动量S和磁矩μ；这个自旋理论是相对论性量子力学导出的必然结论等等看法予以否定．笔者认为，只有同时考虑两个单旋量的方程，同时计及两个单旋量，才能准确地描述状态，从而正确地描述客观规律．     

基于"纵横向拉开档次法"的上市公司经营业绩评价

鉴于目前已具有较全面、完整、连续的有关上市公司各项指标的纵横向数据，为充分利用数据所蕴涵的信息，本文提出运用“纵横向拉开档次”的综合评价方法，其特点是使指标权重的确定能尽量将被评价对象在纵横向拉开档次。将该法运用于安徽地方板块的18家上市公司业绩评价，获得了各公司在1999～2001年间动态发展的分析结果。     

激光水下偏振特性用于目标图像探测

利用激光水下偏振特性获得偏振差分图像(PDI),并运用PDI技术,从理论和实验上对水下目标探测进行了研究.介绍了PDI基本概念和实验系统原理,然后比较分析了不同条件下普通图像与PDI在辨别目标距离及其纹理上的差别和PDI中背景偏振光的影响,得出利用目标和背景偏振光的差异区分二者,从而提高探测距离的结论,并取得了较好的效果.在此基础上提出了通过处理有关PDI偏振参量来进一步辨别目标与背景的设想.     

非保守力和非完整约束对Hamilton系统Lie对称性的影响

研究非保守力和非完整约束对Hamilton系统的Lie对称性和守恒量的影响.分别研究了Hamilt on系统受到非保守力和非完整约束作用时，系统的Lie对称性保持不变的条件，同时给出了 系统的结构方程和守恒量保持不变的条件.以著名的Emden方程和Appell-Hamel模型为例进行 了分析讨论. 关键词： 分析力学 Hamilton系统 非保守力 非完整约束 对称性 守恒量     

有向全图的幂敛指数和周期

设G是有向图,T(G)表示G的有向全图.本文得到了它们的幂敛指数k(G)和k(T)之间的关系:对任何有向图G,周期p(T(G))=1;当G是本原图时,k(T)≤k(G)+1,文中给出了取得k(G)+1的两类图;当G是无圈图时,k(T)=2k(G)-1,当G是有向圈时,k(T)=2|V(G)|-1,当G是强连通时得到了k(T)的一些估计.     

N[a,b]类中边界Nevanlinna-Pick插值(I)

用所谓的Hankel向量方法求解N[a,b]函数类中带边界插值数据的Nevanlina-Pick插值(BNP(N[a,b]))问题,并建立BNP(N[a,b])问题与[a,b]上的某种带约束条件的Hausdorff矩量问题之间等价的可解条件以及解之间明确的一一对应关系.这使得当BNP(N[a,b])问题有多解时,能通过带约束条件的矩量问题的可解性准则和解获得BNP(N[a,b])问题的可解性准则和解的参数化描述,而在唯一解的情况下,通过BNP(N[a,b])问题解的存在唯一性准则和唯一解来获得带约束条件的     

火力发电厂废水中悬浮物处理的影响因素探讨

对火力发电厂废水中悬浮物处理的影响因素如pH值、水温、接触介质、进水水质、混凝剂加入量等进行分析，对主要影响因素水温和混凝剂加入量进行了试验分析，制定出废水悬浮物处理的合理方案。     

二代树状碳硅烷液晶研究Ⅰ.端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含36个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的二代树状碳硅烷液晶(D2),并用元素分析,氢谱,激光质谱,红外,紫外,偏光显微镜,DSC和WAXD法表征.D2为向列相,与M5相同,二代树状物相态由介晶基元相态决定.D2液晶态相行为是K85N107I103N69K,其熔点比M5降低27～41℃,清亮点比M5降低17～18℃,液晶态温区比M5加宽10～23℃.二代碳硅烷(D2)与一代碳硅烷(D1)相比熔点增加2～3℃,清亮点降低26～29℃,液晶态温区减少29～31℃.在二代树状物中观察到S=+3/2的高强向错.