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101.
本文研究了独立随机变量之和的绝对矩的几个性质, 其中包括$\ep|X+Y|-\ep|X-Y|$的表达式, 这里$X$和$Y$是相互独立的随机变量. 相似文献
102.
103.
SiCp/Y112铝基复合材料制备工艺及性能 总被引:2,自引:0,他引:2
3种不同铸造工艺条件下铝基复合材料的微观组织,并对其硬度进行了测定.研究表明:与全液态铸造法和半固态铸造法相比,搅熔铸造制备的SiCp/Y112铝基复合材料,其增强相SiC颗粒分布均匀,气孔率较少.是一种较理想的金属基复合材料制备工艺.未增强的Y112基体铝合金的维氏硬度高于其半固态坯料的维氏硬度;而SiCp/Y112铝基复合材料的维氏硬度明显高于基体的维氏硬度,并随着SiC颗粒的体积分数的增加其复合材料的维氏硬度不断提高. 相似文献
104.
本文解决了超立方体的Laplace矩阵的谱问题.n维超立方体Q。的Laplace矩阵L(Q)的谱specL(Qn)。[0 2 4…2n Cn^0 Cn^1 Cn^2 … Cn^n],.其中2t(t=0,1,2,…,n)为L(Qn)的n+1个不同的特征值,二项式系数Cn为特征值2t的重数. 相似文献
105.
106.
107.
为了进一步研究纳米导线阵列的排列形状以及阵列数目对其场发射行为的影响,利用镜像悬浮球模型对正方形以及六边形排列的纳米导线阵列的场发射行为进行计算与模拟,近似的得到纳米导线阵列的场发射增强因子满足如下的变化趋势:β=h/ρ(1/1+W)+1/2(1/1+W)2+3,其中h为纳米导线的高度,ρ为纳米导线的半径,W是以R为自变量的函数,R为纳米导线阵列的间距.结果显示纳米导线阵列的排列形状对其场发射性能的影响较小,而阵列间距则是影响场发射性能的关键因素:当R<R0时,场发射增强因子随着阵列间距的减小而急剧减小;当R>R0时,场发射增强因子基本不变,其中R0为导线阵列场发射的最佳间距.进一步研究表明改变纳米导线阵列的数目基本不会改变阵列的场发射性能随间距的变化趋势,但是随着阵列数目的增加,R0会有一定程度的减小,场发射增强因子也会降低.
关键词:
纳米导线
场发射
增强因子
阵列数目 相似文献
108.
I. N. Medvedev G. A. Mikhailov 《Computational Mathematics and Mathematical Physics》2006,46(8):1442-1458
The efficiency of the “value” and “partial value” modeling related to the construction of a modeling distribution for an auxiliary random variable by multiplying the initial density by a value function is investigated. The value function usually corresponds to a solution of the adjoint equation. Conditions under which the value modeling of the initial distribution reduces the variance compared to the direct simulation are obtained. It is proved that the variance of the weighted estimate is bounded in the case of the partial value modeling. This proposition provides a basis for a method for determining whether or not the variance of the weighted estimate is bounded. This method uses the majorizing adjoint equation. Using a practically important problem in transport theory as an example, the asymptotic optimization of the distribution of the mean free path is presented. The application of the proposed method of the investigation of the variance boundedness for the analysis of the classical exponential transformation method of simulating the mean free path of a particle in the one-dimensional and the spherical variants is discussed. 相似文献
109.
110.