在LEPⅡ及NLC能量下e+e—→bb Z0 和 tt－Z0过程中Higgs粒子的观测效应

根据最小标准模型及双Higgs二重态的扩展标准模型理论,计算了LEPⅡ以及NLC能量下e⁺e^—→bb Z⁰ 和 tt－Z⁰的总截面和微分截面以探求Higgs粒子的观测效应.我们发现,只要Higgs粒子的质量M_H≤140GeV,对e⁺e^—→bb Z⁰的测量就能清楚地提供Higgs粒子的信息.然而对e⁺e^—→tt－Z⁰,不论Higgs粒子是轻或重,它的效应都被淹没在弱电过程的本底中,没有观测的可能.     

新型晶体Nd:S-VAP激光特性研究

测量了 Nd:S-VAP[Nd:Sr₅(VO₄)₃F]晶体的吸收光谱特性,在583.0nm 和809.0nm处有强烈的吸收峰.用可调谐染料激光泵浦实现了低阈值、高效率的激光运转.在透射率15%的平-平腔情况下,斜率效率为50%,阈值2mJ,倍频绿光的中心波长为536.0nm,线宽为1.4nm.采用φ4mm×30mm 的氙灯泵浦,实现了自由运转和染料片调 Q 运转.阈值为130mJ,斜效率为1.3%.测量了不同腔长、不同染料片小信号透射率情况下的输出能量、脉冲宽度以及光束发散角和偏振特性等.     

模拟核测井工具响应的一种MC方法

描述了模拟双源距中子孔隙度测井工具响应的一种MC方法。在这个专用MC程序中,使用了几种有效方差降低技巧,如:隐吸收、权截断、能量截断、几何分裂和赌、方向偏倚等。针对这种核测井工具,将这些技巧作些改进;通过在程序中分别加上这几种方差降低技巧,对各自运行结果、精度、计算时间的分析和讨论,指出这些技巧的优缺点,亦证明了这些技巧确实有效;同时在某种程度上将此专用程序与通用程序做了比较。     

光学元件激光预处理技术研究进展及其应用

光学元件中的杂质和缺陷会引起其激光损伤阈值的大幅降低,现阶段这一问题已成为激光装置向高功率、高能量方向发展的“瓶颈”,亟待解决。在对光学元件激光损伤的研究中发现,用低于光学元件损伤阈值的激光对元件表面进行预处理,可以有效提高光学元件的抗激光损伤能力。对激光预处理技术的提出背景、定性作用机理、定量理论模型及国内外技术应用现状进行了概述。并且介绍了一种可在薄膜制备过程中进行原位实时激光预处理的新型薄膜制备技术。最后指出,激光预处理技术作为一种无污染,可有效改善光学薄膜、光学玻璃、光学晶体元件损伤阈值的最有效方法之一,其作用机理、实用化、仪器化还有待进一步发展。     

双波长外腔共振和频中Boyd-Kleinman因子优化的理论研究

双波长外腔共振是提高和频转换效率的有效手段,然而基于Boyd-Kleinman(BK)理论,和频效率除了受基频光功率密度影响外,主要受BK因子限制。本文通过分析BK因子随腔结构参数的变化关系,给出基于外腔频率转换过程中BK因子优化的一般方案,从而为搭建相关实验提供必要的理论基础。     

点阵绝对相位彩色多频光栅傅里叶变换轮廓术

提出一种将三角法测距与多频光栅相结合的方法,充分利用数字投影的RGB通道,将多频光栅与点阵同时投影在物体表面,综合控制受高度调制的相位信息的提取,最终获取物体的三维形貌。仿真结果显示,在高度跳变使高频光栅位移达102量级个周期时,可以准确还原原始形貌。通过实验验证,本方法能够同时复原169mm的陡峭高度跳变以及3mm的微小细节,提高了传统双频光栅的性能,具有处理较大截断面和保证细节部分的测量能力,较好地改善了傅里叶变换轮廓术(FTP)的应用性能。     

在LPE生长中降温和恒温对InAsPSb外延层组分分布的影响

采用LPE技术,生长出InAsPSb外延层,研究了降温、恒温两种方法对外延层组分分布的影响。结果表明,用恒温方法生长时,外延层中P、Sb组分分布较为均匀,在脉冲电流激发下,得到了3.09μm激光输出。     

固态富马酸单乙酯在变温1H MAS与CRAMPS研究

富马酸单乙酯(FAME)的单脉冲¹H MAS谱由-高分辨成分与-宽线谱成分组成.高分辨成分可由Hahn回波脉冲序列单独获得.文中通过变温¹H MAS与CRAMPS实验对两组分的性质进行了系统的研究.发现当温度趋于样品的熔点时,其¹H CRAMPS谱可观察到化学位移明显区别的两套谱,它们分别对应于¹H MAS谱的高分辨与宽线组分.实验表明:高分辨成分来自FAME样品的-塑性相,而宽线组分来自通常的刚性相.文中所给出的实验事实充分说明¹H MAS与CRAMPS技术是研究有机塑性固体的强有力的工具.     

莱特兄弟发明飞机成功的创造学启示

分析了莱特兄弟发明飞机成功的历史经验及其创造学启示:正确选题;重视学习和继承前人的研究成果;抓住主要矛盾并确定正确的主攻方向;注重理论的指导作用;强调试验和实验的重要性;具体问题具体分析并寻找解决问题的可能途径;抓住新技术诞生的历史机遇.     

碱土和过渡金属掺杂NdAlo3导电陶瓷的制备、结构与电性能研究

采用有机凝胶法结合后期高温烧结制备了较为致密的六方钙钛矿结构Nd0．9Sr0．1Al1-xO3—δ（M=Co,Fe,Mn;X=0,0．15,0．3,0．5）系列陶瓷,详细研究了过渡金属元素及掺杂量对其结构特征和电性能的影响．结果表明,凝胶前驱体在900。C焙烧5h可制得结晶良好且粒径较为细小的钙钛矿结构精细粉体,陶瓷体的晶格参数随过渡金属含量z的增加而增大,且按Co,Mn,Fe顺序递增;所有陶瓷样品在空气气氛中都是氧离子与电子空穴的混合导体,碱土金属Sr单掺杂NdAlo3的氧离子迁移数由500℃时的0．32单调增加到850℃时的0．63,其电导率随温度的升高由以电子电导为主逐渐转变为以离子电导为主;而Sr与过渡金属共掺杂样品的氧离子迁移数均在0．001以下,其电导率主要取决于P型电导,且随X的增加而增大,并按Mn,Fe,Co顺序递增,相应活化能的变化刚好与之相反,在所制备的样品中Nd0．9Sr0．1Al0．5Co0.5O3—δ具有最高的电导率（800℃时达到100．8S／cm）和最低的表观活化能（0．135eV）．在结构和电性能上所观察到的这些变化行为可根据掺杂过渡金属Co,Fe,Mn的离子半径及其金属一氧（M-O）键的键能和共价性的不同来进行解释．