标的资产价格服从跳-扩散过程的具有随机寿命的未定权益定价

本文在假设被终止或取消的风险与重大信息导致的标的资产价格跳跃的风险为非系统风险的情况下,应用无套利资本资产定价,推导出了标的的资产的价格服从跳-扩散过程具有随机寿命的未定权益满足的偏微分方程,然后应用Feynman-kac公式获得了未定权益的定价公式.     

N指标d维广义Wiener过程象集的m项代数和的几个性质

设珮犠（狋）：犚犖＋ →犚犱是犖指标犱维广义Ｗｉｅｎｅｒ过程，对任意紧集犈１，…，犈犿犚犖＞ ，该文研究了犿项代数和珮犠（犈１）…珮犠（犈犿）的Ｈａｕｓｄｏｒｆｆ维数，Ｐａｃｋｉｎｇ维数和正的Ｌｅｂｅｓｇｕｅ测度及内点的存在性． 其结果包含并推广了布朗单的结果．     

若干图类的邻强边染色

研究了若干图类的邻强边染色 .利用在图中添加辅助点和边的方法 ,构造性的证明了对于完全图 Kn和路 Lm 的笛卡尔积图 Kn× Lm,有χ′as(Kn× Lm) =△ (Kn× Lm) +1 ,其中△ (Kn× Lm)和χ′as(Kn× Lm)分别表示图 Kn× Lm的最大度和邻强边色数 .同理验证了 n阶完全图 Kn的广义图 K(n,m)满足邻强边染色猜想 .     

Banach空间中强增生型变分包含解的具误差的Ishikawa迭代逼近

该文研究Ｂａｎａｃｈ空间中一类强增生型变分包含解的存在性及其具误差的Ｉｓｈｉｋａｗａ迭代程序的收敛性问题．该文结果是几位作者早期与最近的相应结果的改进和推广．     

THE -PROBLEM FOR HOLOMORPHIC (0,2)-FORMS ON PSEUDOCONVEX DOMAINS IN SEPARABLE HILBERT SPACES AND D.F.N. SPACES

51. IntroductionL. H5.m.nd..l3] solved the 0problem by using the L2-estimates for partial differentialoperators in C'.. J. Kajiwara[4] studied infinite dimensional generalizations of the poten-tial kernel. Concerning the 0-problem in infinite dimensional spaces, P. ffeb.i.lll] investi-gated the a-equation for coc (o, 1)-forms in arbitrary pseudoconvex open subsets of separableHilbert spaces without growth condition. J. F. Colombeau and B. Perr.t[l1 showed that aCoc solution u of 0u = w ca…     

左Clifford半群的特征与结构

作为Clifford半群的推广,本文定义了左Clifford半群,给出了它的许多特征,建立了它的半格分解结构和ξ直积结构。还讨论了两类特殊情形。     

Lens 空间 L~n(p)的■_∧-群■_∧(L~n(p))

设η为 Lens 空间 L~n(p)上的典则复线丛,σ=η-1∈(?)(L~n(p))本文完全求出了元素 σ~i∈(?)(L~n(p))及(rσ)~i∈(?)(L~n(p))的阶.然后,我们把 k 理论中的 r~i 运算应用到 Lens 空间到欧氏空间的浸入和嵌入问题上,得出了新的结果.     

混沌实验数据处理及仿真

大学物理实验中混沌实验大多采用观察现象的方法进行,本实验采用蔡氏电路(Chua s circuit)产生混沌行为.在观察不同初始值条件下出现的倍周期分岔、阵发混沌、奇异吸引子等相图及现象的基础上,通过对采集数据进行处理,对负电阻伏安特性进行分段线性拟合,用功率频谱法、计算机仿真方法(龙格-库塔数值积分法)对混沌现象进行描绘,将实验数据与非线性方程组的数值解相结合,呈现出混沌现象的本质.     

准晶体中八方晶系点群的对称性与矩阵表示

从理论上对准晶体中八方晶系各点群进行了研究.运用八方晶系各点群的极赤投影图,列出了各点群的所有对称操作;填出了固有点群822的群乘表.运用坐标变换和群论在自定义的八方坐标系中,推导出八方晶系点群所有对称操作的矩阵.这32个3×3矩阵的结构是相当简洁的,它们的矩阵元只有5种可能取值:0,±1,±2.其中2是反映八方晶系准晶体所具有的准周期性的特殊无理数.     

β-Si3N4电子结构和光学性质的第一性原理研究

采用基于密度泛函的平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),计算了β相氮化硅(β-Si3N4)的电子结构和光学性质,得到的晶格常数、能带结构等均与实验结果较好符合.进一步还研究了β-Si3N4的光吸收系数以及禁带宽度随外压力的变化规律,为β-Si3N4材料在高压条件下的应用提供了理论参考.