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The energy deposition and electrothermal behavior of SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET)under heavy ion radiation are investigated based on Monte Carlo method and TCAD numerical simulation.The Monte Carlo simulation results show that the density of heavy ion-induced energy deposition is the largest in the center of the heavy ion track.The time for energy deposition in SiC is on the order of picoseconds.The TCAD is used to simulate the single event burnout(SEB)sensitivity of SiC MOSFET at four representative incident positions and four incident depths.When heavy ions strike vertically from SiC MOSFET source electrode,the SiC MOSFET has the shortest SEB time and the lowest SEB voltage with respect to direct strike from the epitaxial layer,strike from the channel,and strike from the body diode region.High current and strong electric field simultaneously appear in the local area of SiC MOSFET,resulting in excessive power dissipation,further leading to excessive high lattice temperature.The gate-source junction area and the substrate-epitaxial layer junction area are both the regions where the SiC lattice temperature first reaches the SEB critical temperature.In the SEB simulation of SiC MOSFET at different incident depths,when the incident depth does not exceed the device's epitaxial layer,the heavy-ion-induced charge deposition is not enough to make lattice temperature reach the SEB critical temperature. 相似文献
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To study the spectrum reconstruction of the 20 MV X-ray generated by the Dragon-I linear induction accelerator, the Monte Carlo method is applied to simulate the attenuations of the X-ray in the attenuators of different thicknesses and thus provide the transmission data. As is known, the spectrum estimation from transmission data is an ill-conditioned problem. The method based on iterative perturbations is employed to derive the X-ray spectra, where initial guesses are used to start the process. This algorithm takes into account not only the minimization of the differences between the measured and the calculated transmissions but also the smoothness feature of the spectrum function. In this work, various filter materials are put to use as the attenuator, and the condition for an accurate and robust solution of the X-ray spectrum calculation is demonstrated. The influences of the scattering photons within different intervals of emergence angle on the X-ray spectrum reconstruction are also analyzed. 相似文献
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34.
系统可靠性建模分析是开展可靠性分配、预计、故障树分析及可靠性优化设计的基础。介绍了一种光电系统可靠性建模分析方法,针对光电系统中部分分系统具有多种失效模式且各失效模式均服从指数分布的特点,依据齐次马尔科夫理论,采用马尔科夫状态转移图方法建立了产品的可靠性模型,并给出解析表达式、数值计算方法和Monte Carlo仿真方法。最后,将其应用于某机载光电系统供电回路的实例分析中。采用两种计算方法及Monte Carlo仿真方法分别进行计算,并将结果进行对比分析,证明了该方法的正确性及可行性。 相似文献
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采用Monte Carlo方法对离散混合经典Heisenberg自旋体系在周期性外场驱动下动态相变行为进行了模拟计算.在典型Heisenberg自旋体系的哈密顿量基础上,引入表征非晶相的随机各向异性能项(比例为X)和表征晶体相的单轴各向异性能项(比例为1-X),考察了该混合自旋体系磁滞后回线面积Aarea随X和单轴各向异性常数A及随机各向异性常数D的变化规律,并确定了该类自旋体系动态相变新的滞后标度关系Aarea-AδDη关键词:
海森堡模型
Monte Carlo模拟
磁滞标度
非晶纳米晶 相似文献
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37.
钝体后湍流预混燃烧的PDF模拟 总被引:3,自引:0,他引:3
本文采用PDF方法对矩形燃烧室内钝体后的湍流预混火焰进行了数值模拟。脉动速度-频率-标量联合的PDF输运方程用Monte Carlo方法求解,质量、动量和能量的平均值由基于无结构网格的有限体积法求解,压力通过状态方程获得。PDF方程中所需的平均密度、平均速度和压力由有限体积法提供,并将用Monte Carlo方法求出的雷诺应力、化学反应源项和比热比传递给有限体积法。本文对丙烷和空气燃烧的不同简化化学反应机理进行了研究,并与实验结果进行比较,获得满意的结果。 相似文献
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