电子枪发射系统的计算方法

提出一种混合计算方法,当电场精度较低时把电子的发射做为连续过程处理,当电场的精度较高时考虑电子发射的随机性.这种方法在保证计算准确性的前提下,较大程度地缩短了计算时间。     

MonteCaro法模拟CO在Fe（100）表面的升温脱附

以类桥位的模型为基础,采用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ算法,结合键级守恒－Ｍｐｒｓｅ热方法,模拟了ＣＯ在Ｆｅ（１００）表面上平躺式吸附,考虑了金属与吸附质（Ｍ－Ａ）,吸附质与吸附质（Ａ－Ａ）之间的相互作用。     

6H-SiC电子输运的Monte Carlo模拟

从实际测量和单粒子Monte Carlo模拟两个方面研究了6H-SiC的电子输运规律,在模拟中考 虑了6H-SiC主要的散射机理,模拟的结果体现了6H-SiC具有良好的高温和高场特性以及迁移 率的各向异性,其横向迁移率和纵向迁移率相差近5倍.模拟结果和实验数据的对比说明了对 6H-SiC输运特性的模拟是正确的. 关键词： 6H-SiC Monte Carlo模拟 迁移率 散射机理     

薄膜生长的理论模型与Monte Carlo模拟

用Monte Carlo方法模拟了薄膜的二维生长.引入Morse作用势描述粒子间的相互作用情况,研究了相互作用范围α对薄膜生长初期形貌的影响.薄膜的生长经历了由临界核的形成、团的长大、形成迷津结构到连续成膜4个阶段.模拟结果表明,随着沉积粒子数的增加,成团粒子所占百分比下降.这与实际情况相符. 关键词： 薄膜生长 Monte Carlo方法 Morse势     

体光源模拟标定法测O2(1Δ)绝对浓度

 O₂(¹Δ)绝对浓度的测量,一直是SOG和COIL研究中的重要参数之一。体光源模拟标定法测O₂(¹Δ)绝对浓度,是把发光气体以某一流速引入一已知体积的流动光池中,再通过具有低象差失真的光学系统,把该体光源成象在探测器的有效表面上。探测器和测量仪器组成的测量系统,要经过标准光源和电学标定。本方法可测出O₂(¹Δ绝对浓度和其分压,O₂(¹Δ)产率等参数。其中O₂(¹Δ)浓度测量结果的相对误差为20%。     

60Coγ和高能电子在硅中NIEL的Monte Carlo计算

本文提出了计算高能电子和γ非电离能量损失(NIEL)的Monte Carlo方法,首次利用Monte Carlo方法计算了高能电子和⁶⁰Coγ的NIEL.给出了电子和⁶⁰Coγ在半导体硅材料中产生的NIEL和缺陷分布.计算结果与文献的比较表明模型是合理的.     

两亲性梳形聚合物胶束行为的Monte Carlo模拟

采用二维和三维格子模型用Monte Carlo法模拟两亲性梳形聚合物的胶束行 为. 模拟时采用动态算法结合链的reptation运动并且编制了三维结构显示程序及获得了体系的Monte Carlo自由能. 结果表明: 约化相互作用能的选取对胶束及乳液体系的形态结构有重大影响; 三维模拟可以得到体系形态结构更为直观的结果; 亲油主链亲水侧链型梳形聚合物在水相中的胶束比在油相的胶束有更低的能量.     

Monte Carlo法模拟CO在Fe(100)表面的升温脱附

以类桥位的模型为基础,采用MonteCarlo算法,结合键级守恒-Morse势方法(BOC-MP),模拟了CO在Fe(100)表面上平躺式吸附,考虑了金属与吸附质(M-A)、吸附质与吸附质(A-A)之间的相互作用,以研究小分子在金属表面上的TPD谱图,分析了CO的解离过程和脱附过程对TPD谱图的影响,结果表明,理论模拟与实验相符.     

计算中子增殖率的时间强迫碰撞方法

为获得更多粒子在特定时间步内的碰撞信息,给出3种解决介质非均匀的时间强迫碰撞抽样目的:离散化抽样目的,强截面抽样目的和均匀时间抽样目的.将强迫碰撞目的由只适合在各自均匀的几何区域内分别强迫碰撞,扩展为也适合在特定时间步内中子可能经过任意非均匀介质的强迫碰撞.通过一个简单的增殖系统的中子增殖率计算问题,对时间强迫碰撞的3种目的和直接模拟目的进行了计算比较.结果表明,3种时间强迫碰撞目的的效率相差不大,但明显优于直接模拟目的,当步长从2×10^-5缩至10^-6μs,FOM(计算效率或称优度)约高出2至4个量级.