核反应堆简介

 说起核反应堆,你一定不陌生。大亚湾、秦山早已是我们耳熟能详的名字,燃料棒、控制棒、一回路、二回路这些名词你可能也听说过一些,核电站、核潜艇都是电视节目里的常客,当然,还有令人不愉快的一些事故,都与核反应堆有密切的关系。但这并不是核反应堆的全部,除了这些,它还有很多我们不熟悉的方面。下面,我们就从它的物理原理谈起。     

不同形貌氧化锌纳米棒的CVD法制备及生长机制讨论

采用CVD技术制备了不同形貌的ZnO纳米棒.并利用XRD、SEM、能谱仪、荧光光谱仪对比研究了其表面结构、成份、相结构及光致发光特性.结果表明,样品形貌随着沉积位置的变化而变化,其生长遵循金属自催化机制.并且表明离子化氧空位的存在有利于ZnO的绿光发射.     

室温氧化还原反应制备AgCuSe三元纳米棒

在室温下通过氧化还原反应制备了AgCuSe三元纳米棒.用X射线粉末衍射、透射电镜和X射线光电子能谱对产物进行了表征.X射线粉末衍射结果表明,产物是四方相AgCuSe;透射电镜结果表明,产物是纳米棒,其直径为5～20nm,长度为200～600nm;X射线光电子能谱结果表明,产物的纯度是很高的,没有单质Ag、Cu等杂质.应用化学热力学原理讨论了产物AgCuSe的生成机理.热力学计算表明,在这个反应体系中最终产物是纯AgCuSe.溶剂乙二胺不仅作为双齿配体与Ag+和Cu+形成稳定的配合物,而且还能溶解金属硒、增强硒的反应性,乙二胺在控制AgCuSe的成核和纳米棒的生长过程中起着重要的作用.     

含传感器增益故障的不确定离散时滞系统静态输出反馈鲁棒H∞容错控制

针对一类含有不确定参数的离散时滞系统,研究了当传感器发生增益故障情况下的静态输出反馈鲁棒H∞容错控制器设计问题.系统中的参数不确定性满足广义匹配条件,传感器元件具有部分增益故障.根据Lyapunov稳定性理论和线性矩阵不等式(LMI)方法,分别给出了含有时滞记忆和无时滞记忆静态输出反馈鲁棒容错镇定控制器以及静态输出反馈H∞容错控制器的存在条件.通过求解一组线性矩阵不等式可以得到使得闭环系统渐近稳定并且H∞范数小于给定界γ的鲁棒容错控制器.最后通过仿真示例说明本文提出设计方法的正确性.     

Growth of Indium Nanorods by Magnetron Sputtering

Indium nanorods are grown on silicon substrates by using magnetron-sputtering technique. Film morphologies and nanorod microstructure are investigated by using scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy （HRTEM）, and x-ray diffraction. It is found that the mean diameter of the nanorods ranges from 30nm to 100nm and the height ranges from 30nm to 200nm. The HRTEM investigations show that the indium nanorods are single crystals and grow along the [100] axis. The nanorods grow from the facets near the surface undulation that is caused by compressive stress in the indium grains generated during grain coalescence process. For low melting point and high diffusivity metal, such as bismuth and indium, this spontaneous nanorod growth mechanism can be used to fabricate nanostructures.     

激光棒位置对热不灵敏凹凸腔运转特性的影响

以典型商用凹凸谐振腔为例，系统地分析了激光棒位置对热不灵敏腔运转特性的影响，对有关结果进行了讨论．     

ZnO纳米棒的低温溶液法制备、光电特性研究及其在有机/无机复合电致发光中的应用

利用水热法制备了垂直于衬底的定向生长的ZnO纳米棒,利用扫描电子显微镜及光致发光的方法对其形貌及光学特性进行了表征,利用场发射性能测试装置对ZnO纳米棒的场发射性能进行了测试.结果表明:利用水热法在较低的温度(95 ℃) 下生长了具有较好形貌和结构的ZnO纳米棒,并表现出了较好的场发射特性,当电流密度为1 μA/cm²时,开启电场是2.8 V/μm,当电场为6.4 V/μm时,电流密度可以达到0.67 mA/cm²,场增强因子为3360.稳定性测试表明,在5 h内,4.5 V/μm的电场下,其波动不超过25%.将制备的ZnO纳米棒应用到有机/无机电致发光中,其中ZnO纳米棒为电子传输层,m-MTDATA(4,4',4″-tris{N,(3-methylphenyl)-N-phenylamino}-triphenylamine) 为空穴传输层,得到了ZnO的342 nm的紫外电致发光,此发光较ZnO纳米棒光致发光的紫外发射有约40 nm的蓝移. 关键词： ZnO纳米棒 场发射 水热法 有机/无机复合电致发光     

Li掺杂ZnO纳米棒的导电和发光特性(英文)

利用气相输运方法,在(111)面硅衬底上制备了名义上原子数分数为2%的Li掺杂的ZnO纳米棒(样品A)。作为比较,我们在相同的生长条件下制备了没有任何掺杂的ZnO纳米棒(样品B)。XRD分析测试表明:样品A和样品B中的ZnO纳米棒具有纤锌矿六边形结构,没有其他氧化物,例如Li2O。Hall效应测量表明:样品A导电类型为p型,空穴载流子浓度为6.72×1016cm-3,空穴载流子迁移率为2.46 cm2.V-1.s-1。样品B为n型,电子载流子浓度为7.16×1018cm-3,电子载流子迁移率为4.73 cm2.V-1.s-1。低温光致发光光谱测试表明,样品A和样品B发光峰明显的区别是位于3.351 eV(样品B)和3.364 eV(样品A)处。根据文献报道,在没有掺杂的ZnO中,3.364 eV发光峰源于施主束缚激子发光。通过变温光致发光光谱的测试,证明了在样品A中,位于3.351 eV的发光峰源于受主束缚激子发光,其光学受主能级位于价带顶142meV处。     

计及碳排放配限额的虚拟电厂多目标风险规避优化模型

将风电场、光伏发电、生物质发电、储能和燃气轮机及柔性负荷聚合为虚拟电厂(Virtual power plant,VPP).进一步,为刻画风光不确定性风险,分别利用条件风险价值方法(Conditional risk at value,CVaR)构造最小化运营风险目标函数及利用鲁棒随机优化理论转化含不确定性变量约束条件,并选取最大化运营收益和最小化碳排放总量,构建VPP多目标风险规避优化模型.最后,选取改进IEEE30节点系统进行算例分析,结果表明:1)所提风险规避模型能够兼顾效益、风险和碳排放多方诉求;特别是,当鲁棒系数Γ≤0.85,较小的不确定性会带来较大的风险,表明决策者风险态度会影响VPP调度方案;2)预测误差e较高时,相同的Γ增长幅度会带来更高的CVaR增长幅度,表明较低的预测精度会放大不确定性风险,意味着决策者需通过提升预测精度以降低VPP运营风险;3) META能凸显清洁能源环境友好特性,实现VPP整体的最优均衡运行.综上,所提模型能够为决策制定最优VPP调度策略提供决策支撑.