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122.
对Sn-C60薄膜进行紫外可见光吸收,X-射线衍射和扫描电镜的测定结果显示,薄膜样品紫外可见光吸收的两个短波段吸收峰比纯C60薄膜的吸收峰显著下降,说明Sn-C60薄膜的电子光吸收跃迁为间接跃迁,能带中有杂质能级的存在;样品的X射线衍射峰则对应于面心立方结构;扫描电镜结果显示薄膜为纳米级颗粒组成。 相似文献
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ICP-AES测定饮用水源中的Cu、Mn、Pb、Cd、Zn 总被引:7,自引:2,他引:5
用ICP-AES法同时测定饮用水源中的Cu、Mn、Pb、Cd、Zn等重金属元素,具有基体效应小、测量范围宽等优点。检出限为0.2-4.0μg/L,回收率为91.5%-103.9%,相对标准偏差为0.29%-1.5%,测定密码样与实际样品,结果令人满意。 相似文献
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126.
初文昌 《高校应用数学学报(A辑)》1991,6(3):337-341
应用文[1]新近建立的Gould-Hsu反演的双变量形式,本文研究了一类二元有理插值公式的构造,确定了该类插值函数所表现的函数类,并给出了差分表计算的递归公式 相似文献
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本文报道了对分子束外延(MBE)生长的In0.25Ga0.75As-GaAs应变层量子阱结构在77K下的压力光荧光(PL)研究的结果。流体静压力从0到50kbar.,给出了In0.25Ga0.75As-GaAs应变层量子阱的Γ谷压力系数,实验观察到了量子阱中能级与势垒GaAs中X谷的能级交叉。通过对其压力行为的分析,给出了In0.25Ga0.75As-GaAs异质结的导带与价带跃变比:Qc=△Ec:△Ev=0.68:0.32。对(InGa)As-GaAs应变量子阱常压下的理论分析与实验符合很好。本文也对Al0.3Ga0.70As-GaAs量子阱进行了讨论。
关键词: 相似文献
128.
正在研制的上海激光电子γ源是MeV量级的高品质γ光束线站,基于该装置可以开展一系列核天体物理实验, 从而更准确的确定各天体核合成反应的反应率. 本文研究了天体核合成中的关键反应12C(α,γ)16O的反应率. 根据多组实验和理论截面数据分别计算了反应率, 并给出了这些反应率计算结果的平均值和统计误差. 根据该结果拟合了理论反应率的解析形式, 确定了新的参数. 进而给出俘获反应12C(α,γ)16O在He燃烧环境下的反应率和误差, 并讨论了电子屏蔽效应对天体反应率的修正. 相似文献
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Using geometric methods, Hall has proved that the Segal-Bargmann transform for a con-nected Lie group K of compact type is an isometric isomorphism [H1] and is unique when Kis simply connected [H7]. Furthermore, Hall considered geometric quantization of T~*(K), K'scotangent bundle [H9]. Using the vertical polarization and a natural Khler polarization obtainedby identifying T~*(K) with the complexified group KC, Hall concluded that the pairing map be-tween the two Hilbert Spaces induced by these two polarizations coincides with the generalizedSegal-Bargmann transform C_t (up to constant). 相似文献
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