吲哚并喹嗪衍生物的立体选择性合成

用锂铝氢四还原卟啉得到卟啉醇,它与甲乙酮反应得相应的羟甲基氨基酮,在相转移条件下,它能被转化成光学纯吲哚并喹嗪衍生物.列出了环化机理的反应流程.     

吡啶叶立德与查尔酮1,3-偶极环加成反应制备2-苯基-3-乙酰基中氮茚

报道在氧化剂存在下吡啶叶立德与查尔酮进行1,3-偶极环加成反应, 一锅法合成2-苯基-3-乙酰基中氮茚化合物的方法, 收率37%. 用类似的方法由α-溴代异喹啉季铵盐、查尔酮、碱和氧化剂进行反应, 可一锅法得到1-苯甲酰基-2-苯基-3-乙酰基吡咯并[2,1-a]异喹啉, 收率58%.     

3-(4-氯苯基)-6-取代苯氧乙酰氨基均三唑并[3,4-b]-1,3,4-噻二唑类化合物的合成

将取代苯氧乙酰氨基引入到3,6-二取代均三唑并噻二唑的分子骨架中, 设计合成了8个未见文献报道的3-(4-氯苯基)-6-取代苯氧乙酰氨基均三唑并[3,4-b]-1,3,4-噻二唑类化合物5a～5h, 结构经元素分析、IR和¹H NMR等测试得到确证.     

Synthesis and electrochemical properties of 2,6-bis（6-aryl-[1,2,4]- triazolo[3,4-b][1,3,4]-thiadiazole-3-yl）pyridines

By the condensation of 2,6-bis（4-amino-5-mercapto-[1,2,4]-triazoles-2）pyridine with aromatic acid in the presence of phosphorus oxychloride. Compounds of 2,6-bis（6-aryl-[1,2,4]-triazolo[3,4-b][1,3,4]-thiadiazole-3-yl）pyridines were synthesized. Their structures were confirmed by IR, ^1H NMR spectroscopies and elemental analysis. Their electrochemical behavior and cyclic voltammogram also were be studied. The results showed that they have high ionization potentials and good affinity.     

联苯并环丁烯的制备及其聚合物的热稳定性

苯并环丁烯树脂具有优异的综合性能,可作为微电子器件中的高性能介电薄膜材料。其优异的性能满足大规模集成电路(MCM)、微电机系统(MEMS)、液晶显示器等器件的苛刻性能要求,在微电子领域有着极为重要的应用且前景广阔[1,2,3]。苯并环丁烯单体的种类较多,其聚合物大多具有优异的     

基于苯乙烯和苯并噻二唑共聚场效应发光高分子材料的设计合成及性能研究

共轭高分子材料由于其优异的光电性能和可溶液加工等特性在有机光电器件中具有重要应用.本工作采用Stille偶联和Suzuki聚合反应,合成了两个由经典发光基元苯乙烯片段和共轭吸电子结构基元苯并噻二唑共聚的高分子材料聚(1,2-双(2,5-双(异辛氧基)亚苯基亚乙烯基-2,1,3-苯并噻二唑))(PVBT)和聚(1,2-双(2,5-双(正辛氧基)亚苯基亚乙烯基-2,1,3-苯并噻二唑))(nPVBT).通过凝胶渗透色谱(GPC)、元素分析及差式扫描量热法(DSC)对PVBT和n PVBT两种高分子材料的结构及热稳定性进行表征,结果表明它们均具有良好的热稳定性,分解温度约380℃.由于烷氧基链的存在,两个材料具有良好的溶解性及成膜加工性.PVBT和n PVBT均表现出优异的发光特性,最大发射波长在590～605nm范围,溶液下荧光量子产率为23%～35%,固态薄膜下量子产率为12%～20%.以这两个高分子材料薄膜作为活性层,所制备的顶栅-底接触型有机场效应晶体管器件显示出典型的p型电荷传输性能,空穴迁移率可达1.1×10^-4cm²·V^-1...     

基于移动边界环流的连续循环抽吸压力计算方法

连续循环钻井液技术可以减缓起钻过程中的抽吸压力,针对连续循环技术在起下钻过程中的应用,基于N-S方程理论和非牛顿流体流变规律,建立了考虑移动边界环流起下钻过程中抽吸压力的计算模型;并分析了起钻速度和钻井液循环流量对抽吸压力的影响规律,对深井起钻过程中抽吸压力控制进行了初步探讨。研究结果表明,在深井起钻过程中使用连续循环技术适当地泵送钻井液能够减小抽吸压力,有助于在不增加抽吸压力的情况下提高起钻速度,节省起下钻时间。建立的连续循环条件下的抽吸压力计算方法可为深井和窄密度窗口井起下钻过程中的最优泵量设计及起下钻速度的提高提供理论参考。     

两参数Brown运动增量的局部泛函重对数律

该文利用两参数Brown运动和两参数Brown运动增量的大偏差,得到了两参数Brown运动增量的局部泛函重对数律.     

MOCVD生长的InN薄膜中In分凝现象

利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法不同生长条件下在c面蓝宝石衬底上制备了InN薄膜,通过不同的物理表征手段研究了InN薄膜的物理性质,结果表明:合适的生长温度可以抑制InN薄膜表面分凝现象。研究认为较低的生长温度使作为N源的NH3分解率较低,In—N的成键可能性小,导致In在表面聚集出现分凝;而较高生长温度时,InN薄膜中In—N键能较小,易发生断裂,反应活性较强的N和H原子逸离薄膜表面,In滞留在薄膜表面也导致In分凝现象的出现。相对于表面分凝的样品,未出现表面分凝的样品的薄膜晶体质量和表面形貌也得到了提高。同时,通过Raman散射谱研究了晶格振动E2声子模的应力效应。     

并五噻吩分子光谱和激发态的密度泛函理论

首次采用密度泛函理论(DFT)中的B3LYP方法,在6-31G(d)水平上对并五噻吩进行了构型优化,并作振动分析,未出现虚频。频率分析得到分子红外光谱和拉曼光谱,同时也得到分子的HOMO-LUMO能隙为3.86eV,所得计算结果与实验值基本符合。利用含时密度泛函理论(TDDFT)计算其激发态,得到振荡强度最大的五个允许跃迁的单激发态,所有激发态光谱均在紫外波段,故在可见光区域分子相对稳定,不易光致分解。对前线分子轨道HOMO和LUMO分析得到,HOMO到LUMO的跃迁是电子从C原子转移到S原子上,C—C原子之间形成离域键,这正是并五噻吩区别于一般有机材料而具有导电性的根本原因。结果表明:相对于并五苯,并五噻吩具有更高的稳定性,同时具有很好的导电性能和发光性能,是新一类有机半导体材料。