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121.
关于多线性振荡奇异积分在加权Hardy-型空间上的一致估计   总被引:1,自引:0,他引:1  
吴丛明  杨大春 《数学进展》2002,31(6):527-536
本文对一类具有光滑位相函数的多线性振荡奇异积分算子建立了一致的加权(H^1(R^n),L^1(R^n))估计及一致的加权(HKp(R^n),Kp(R^n)估计。  相似文献   
122.
123.
D—AKNS族的换位表示   总被引:4,自引:0,他引:4  
乔志军 《应用数学》1991,4(4):64-70
本文根据曹策问教授的想法,求得了与D-AKNS族发展方程相联系的特征值之泛函梯度与Lenard算子对;并由此得到了D-AKNS族非线性发展方程的换位表示。文末还讨论了换位表示与定态D-AKNS方程之间的关系.  相似文献   
124.
设二元函数f(x,y)有稳定点P(x_0,y_0),并设f_(xx)(x_0,y_0)=A,f″_(xy)(x_0,y_0)=B,f″_(yy)(x_0,y_0)=C,△=AC-B~。当△=AC-B~2=0时,f(x,y)在点P(x_0,y_0)处是否有极值的问题,一般教科书都未进行过具体地讨论,本文对这一问题进行了初步地探  相似文献   
125.
岑泳霆 《应用数学》1989,2(4):15-19
本文提出“水平中段模糊算子”的概念,并且应用清晰域的观点研究了它们的性质,从而在实质上较文[1]更深刻地揭示了一般模糊算子的性质,为实际应用各种模糊算子提供了进一步的依据。  相似文献   
126.
在标准模型中,三体稀有衰变B0(Bs)→γv(-v)只有通过箱图和企鹅图才可以发生.这个过程对于确定B介子的衰变常数及其波函数有着较重要的物理意义,由于这些衰变道的分支比较小,因此也是探测新物理理论的比较好的场所.利用B介子强衰变确定的波函数,得到B0(Bs)→γv(-v)的分支比的数量级是10-9(10-8),这些结果可以在未来的实验上得到检验.  相似文献   
127.
厄米—双曲余弦—光斯光束的瞄准稳定性   总被引:2,自引:1,他引:1  
罗时荣  吕百达 《光学学报》2002,22(6):92-696
用失调叠加积分的方法,对厄米-双曲余弦-高斯光束的瞄准稳定性作了研究,得到了厄米-双曲余弦-高斯光束失调因子|ηm|^2的精确解析公式和近似解析公式,并用数值计算了相对横向偏移和相对角向偏移对失调因子|ηm|^2的影响以及对精确解析公式和近似解析公式的适用范围作了分析和说明。  相似文献   
128.
关于局部对称空间中2-调和子流形   总被引:6,自引:0,他引:6  
宋卫东 《应用数学》2002,15(1):25-29
本文研究局部对称完备黎曼流形中的紧致2-调和子流形,得到了这类流形第二基本模式长平方的Pinching定理及推广的J.Simons型积分不等式。  相似文献   
129.
A temperature-dependent photoluminescence measurement is performed in CdSe/ZnSe quantum dots with a ZnCdSe quantum well.We deduce the temperature dependence of the exciton linewidth and peak energy of the zero-dimensional exciton in the quantum dots and two-dimensional exciton in the CdSe wetting layer.The experimental data reveal a reduction of homogeneous broadening of the exciton line in the quantum dots in comparison with that in the two-dimensional wetting layer,which indicates the decrease of exciton and optical phonon coupling in the CdSe quantum dots.  相似文献   
130.
范希武 《发光学报》2002,23(4):317-329
本文系自1979年以来,宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面:第一,系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射;第二,创造性地提出并实 利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格的室温激子效应来实现在蓝绿区快响应的光学双稳的物理思想;第三,深入研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格中的激子行为以及激子与元激发态的相互作用,为利用激子获得有效蓝色自发和受激发射提供物理基础和实验途径;第四,研究了ZnSe基非对称双量子阱和组合超晶格中激子的隧穿以及激子的自发和受激发射;第五,CdSe和ZnSeS自组装量子点的生长及其形成机理;第六,ZnO薄膜的生长及其紫外发射特性。  相似文献   
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