纵横扩张的优化

得到了最小折数纵横扩张的判别准则．针对4-正则图的平面嵌入的纵横扩张的特殊性，给出了它的最小折数纵横扩张判别准则．     

141Nd激发态的在束γ谱学研究

通过130Te(16O,5nγ)141Nd反应布居了141Nd的高自旋态能级. 对反应产生的在束γ射线进行了γ射线单谱和γ-γ符合测量. 建立了激发能达7614.5keV的141Nd能级纲图,新发现了12条γ射线和15个能级. 基于实验测量的γ跃迁各向异性,建议了141Nd部分能级的自旋值. 用一个h11/2价中子空穴与142Nd核芯晕态的耦合可以定性地解释141Nd的能级结构.     

4英寸热氧化硅衬底上磁性隧道结的微制备

就如何在4英寸热氧化硅衬底上沉积高质量的磁性隧道结纳米多层薄膜材料和如何利用光刻方法微加工制备均匀性较好的磁性隧道结方面做了初步研究，并对磁性隧 道结的磁电性质及其工作特性进行了初步测量和讨论.利用现有的光刻设备和工艺条 件在4英寸热氧化硅衬底上直接制备出的磁性隧道结，其结电阻与面积的积 矢的绝对误差在10% 以内，隧穿磁电阻的绝对误差在7% 以内，样品的磁性隧道结性质具有较好的均匀性和一致性，可以满足研制磁随机存储器存储单元演示器件的基本要求. 关键词： 磁性隧道结 隧穿磁电阻 磁随机存储器 4英寸热氧化硅衬底     

反相薄层色谱法添加环糊精流动相分离d、l-色氨酸

研究了用β-环糊精(β-CD)作为流动相手性添加剂，在反相C18板上分离d、l-色氨酸对映体的薄层色谱法。该法不需将色氨酸进行衍生，流动相最佳组成配比为β-CD饱和溶液：甲酸t甲醇=9:2:1(V／V／V)，最佳分离温度为50℃。d、l-色氨酸对映体相对比移值α为1．35。     

F-H实验仪与光栅光谱仪连用观测253.7nm谱线

通过F-H实验仪和光栅光谱仪的连用，可实时观测汞原子从6s6s1So态激发到6s6sSP1态，退激时，辐射出能量为4．9eV的光量子，其波长为253．7nm．     

CID-ICP-AES检测煤中不同形态的硫

研究了CID-ICP-AES检测煤中硫酸盐和硫铁矿形态硫的方法。较现有国标方法快速、简便，常见元素不干扰，加标回收率在98．5％-103．0％之间，10次测定的RSD在0．76％-1．59％之间。     

混合效应模型中的D-最优设计

本研究的是混合效应-Ⅱ模型，首先，给出二阶模型存在D-最优回归设计点的必要条件。其次，组合D-最优回归设计和D-最优区组设计BIBD构造D-最优设计并给出寻找新的D-最优设计点的方法。以两种有代表性的组合误差分布为例，阐明新的D-最优设计点的获得过程，并给出了数值结果。     

最大2-正则诱导子图的长度

设G是2-连通图，c(G)是图G的最长诱导圈的长度，c′(G)是图G的最长诱导2-正则子图的长度。本文我们用图的特征值给出了c(G)和c′(G)的几个上界。     

高斯光束计算平板波导自由传输区远场分布及其修正

对近轴近似条件下求解亥姆霍兹方程得到的高斯光束显式传播公式做了分析，同时，基于基尔霍夫衍射理论，在菲涅耳近似的条件下给出了相应的高斯光束在远场的传播公式，在此基础上，对近轴近似条件做出了定量分析，给出了这个近似条件引入的误差，提出了一种计算高斯光束远场分布的修正方法，并采用有限差分-光束传播方法(FD-BPM)来检验各种方法的准确性。把这种修正方法应用到平面光集成波导器件，如阵列波导光栅(AWG)、蚀刻衍射光栅(EDG)等器件的设计和模拟中，可以大大降低工作的复杂性，同时可以得到精确的结果。     

邻域并与泛圈图

本文中 ,我们用邻域并对泛圈图进行深入的研究 ,主要取得了“2连通 n( n≥ 3 )阶图 G,满足下列条件之一 ,则 G是泛圈图 : :δ≤ ( n-7) /3 ,N C≥ ( 2 n-3 ) /3 ; :( n-6) /3≤ δ≤ ( n+2 ) /3 ,N C≥ 2 n/3 ; :δ≥ ( n+3 ) /3 ,N C≥ ( 2 n-3 ) /3 .当 3≤ n≤ 14时 ,N C≥ 2 n/3”