填充式方钴矿化合物CeOs4Sb12近藤相互作用的非弹性中子散射研究

CeOs₄Sb₁₂晶体中由于导电电子与Ce³⁺ 4f¹电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs₄Sb₁₂物理性质，如近藤绝缘体行为、Ce³⁺磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs₄Sb₁₂进行测量时，可以得到不同温度下CeOs₄Sb₁₂的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs₄Sb₁₂中存在近藤相互作用，其作用强度为3.1 meV，证实了CeOs₄Sb₁₂为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs₄Sb₁₂德拜温度为317 K. 关键词： 非弹性中子散射 填充式方钴矿 近藤绝缘体     

非负定阵元素的扰动和正定完备化

在保持非负定性不变的前提下,本文对矩阵每一元素容许多大的扰动作了进一步的研究, 将本文的结论和C．R．Johnson提出的部分正定阵的正定完备化进行比较,容易发现对已知的正定矩阵求扰动,本文的结论比用C．R.Johnson的正定完备化计算扰动形式上更简单,同时也给出了不同于C．R．Johnson的部分正定阵的正定完备化表示的另外一个公式,推出了这些正定完备化矩阵应具有的若干性质．     

Clifford分析中无界域上正则函数的边值问题

在引入修正Cauchy核的基础上,讨论了无界域上正则函数的带共轭值的边值问题：a(t)Φ (t) b(t)Φ (t) c(t)Φ-(t) d(t)Φ=g(t)．首先给出了无界域上正则函数的Plemelj公式,然后利用积分方程方法和压缩不动点原理证明了问题解的存在唯一性．     

大口径高光学均匀性磁旋光玻璃研制成功

由中国科学院西安光机所承担研制的“大口径高光学均匀性磁旋光玻璃研制”项目日前通过专家鉴定．专家表示，该成果填补了国内空白，主要技术指标达到国际先进水平．同时建议进一步加强该项目的应用推广，力争研制更大尺寸的磁旋光玻璃，以满足我国科研工作和国家经济建设事业的需要．     

TWO-POINT BOUNDARY VALUE PROBLEM FOR A CLASS OF SECOND-ORDER DIFFERENCE EQUATIONS

In this paper, we apply a critical point theorem and obtain the condition for the existence of three solutions to two-point boundary value problem of a second order nonlinear difference equation.     

解析函数的p叶性条件

本文指出 Ｍ．Ｊａｈａｎｇｉｒｉ的评论［Ｍａｔｈｅｍａｔｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗｓ　９８ｅ：３００２０］错误，并且导出解析函数ｐ叶星形性与ｐ叶凸性的某些充分条件．     

完全非线性偏微分方程解的Gevrey微局部正则性

本文中，我们首先简要回顾了Gevrey类中的仿微分运算，然后考察了相关的完全非线性偏微分方程的象征的一些性质。作为应用，我们得到解在椭圆点附近的Gevrey微局部正则性。     

系数变号的半线性椭圆方程的正解

本文研究半线性椭圆方程Dirichlet问题-△u=α（x）f(u），x∈Ω， u（x）=0，x∈ЭΩ，正解的存在性，其中Ω为R^n中有界的带光滑边界的区域，α(x)可以变号。     

方程w"-w+f(t,w)=O的Dirichlet边值问题的正解存在性与多解性

考察了下列常微分方程的Dirichlet边值问题的正解[w″(t)-w(t) f(t,w(t))=0,0≤t≤1 w(0)=w(1)=0建立了n正解的存在性，其中n是一个任意的自然数。     

非光滑非凸多目标规划解的充分条件

Kuhn-Tucker型条件的充分性一直是最优化理论中引人注意的一个问题.本文对非光滑函数提出了几个非凸概念,然后,讨论了非光滑非凸多目标规划中Kuhn-Tucker型条件和Fritz John型条件的充分性,在很弱的条件下,建立了一系列充分条件.