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981.
代换序列,强诣零性质与混沌 总被引:4,自引:0,他引:4
本文的第一部分利用Morse序列研究并解决了一个代数问题,在第二部分中研究了Sturmian系统的动力学性质,指出该系统不存在Li-York意义下的混沌集。 相似文献
982.
本文提出了负反馈级联三能级体系产生亚Poisson光的方案.利用Langevin量子理论证明了:在输出的两光束之间存在一定的相关,将其中一束光负反馈去控制抽运源,则可以抑制抽运噪声.文中还进一步讨论了,当抽运噪声完全抑制时,腔内场的光子数噪声比标准量子极限降低50%,而外场噪声的降低与原子的个数N有关,当N较大时,外场的光子数噪声为标准量子极限;当N较小时,在腔带宽范围内,外场出现亚Poisson光,随着N趋于1,输出光子流起伏趋于零.本文的结论具有普遍性. 相似文献
983.
Weibull分布尺度参数的收缩估计 总被引:1,自引:0,他引:1
讨论了Weibull分面尺度参数的收缩估计。在两种不同的参数先验信息场合,给出了不同的收缩估计。对以检验统计量函数形式给出的收缩系数进行了讨论,并用Mionte-Carlo模拟方法研究了收缩估计的相对效。 相似文献
984.
985.
986.
987.
本文以常规的激光热处理工艺为基础,建立相应的数学物理模型,导出热流传导的偏微分方程。从激光加工工艺中各项参数对温度场分布的影响出发,理论上作了多方面的计算与分析,得出了一些与实用相联系并具有一定应用价值的结论。运用计算机作数值计算和绘图处理,所得结果进一步说明了这些结果的规律性。 相似文献
988.
本实验首次观察到用MOCVD方法在GaAs基片上外延生长AlxGa1-xAs/GaAs薄膜结构时,生长中所用的Ⅴ/Ⅲ比对外延层中Al组份x的分布的影响.当Ⅴ/Ⅲ比较低时,外延层中的Al组份出现很明显的层状阶梯形三层分布:靠近基片的一层中x值较低,而在外延层的表面层中x值较高.随着生长中所用的Ⅴ/Ⅲ比增加时,Al组份的分布趋于均匀.利用GaAs的高温热分解和Ga、As离子在晶体中的热扩散及其对外延生长的影响,对这一现象作了初步解释. 相似文献
989.
本文讨论了传统的应变式压力传感器检测电路,给出了改进措施,提高了视在输出,实现了零点调整,补偿了由于温度变化引起的受力弹性体的弹性系数变化和应变片灵敏度系数变化,满足了输出线性度要求。 相似文献
990.
使用时域有限差分法对近场耦合状态下的光学微腔进行了计算。系统地研究了微腔中不同阶径向模式的各方面性能的差异。并在此基础上讨论了通过改变耦合参数,选择性增强特定模式的途径。研究了数种非均匀介质微腔的性能改变,指出选择性增强特定模式,可以通过以下两类方法:一是对于均匀介质分布的微腔,通过改变耦合参数来改变修逝波场的场强和相位分布,例如改变入射波的入射角,改变耦合间距。二是通过区域性改变微腔的折射率分布来改变微腔的修逝波场的场强和相位分布,如折射率改变(△n)折射率梯度(dn/dr)。探讨选择性抑制高阶模形成改善微腔性能的途径。使得基模获得到高能量密度,和更低的模式体积为研究原子或离子与微腔的相互作用提供更好的环境。 相似文献