基于超结构光纤光栅的全光编解码性能分析

分析了光码分多址(OCDMA)系统中超结构光纤光栅(SSFBG)编解码器的相关特性, 考虑了输入脉冲宽度、SSFBG编解码光栅之间的波长偏移以及光栅的折射率调制振幅对全光编解码性能的影响。结果表明, 随着输入脉冲宽度和编解码光栅之间的波长偏移量的增加, 自相关峰值旁瓣比和自互相关峰值比下降, 即编解码性能出现下降; 编解码器的插入损耗和相关性能间存在矛盾, 需要折中考虑SSFBG折射率调制振幅的选取。建立了基于SSFBG编解码器的时域相位编码OCDMA系统的数学模型, 考虑了差拍噪声、多址干扰、接收机噪声以及接收机的带宽限制对系统性能的影响, 采用全光阈值技术和turbo编码来提高相干扩时OCDMA的系统性能。     

Particle confinement and density profile behaviour on HL-1M

In this paper the density profile behaviour and the particle confinement operation regime on HL-1M have been studied under the pellet injection (PI), supersonic molecular beam injection (SMBI), gas puffing (GP) and lower hybrid current drive experimental situations. The relationships between density profile, particle confinement time and edge safe factor have been explored. The density profile, which is measured by six-channel far-infrared ray laser interferometer has been analysed by using the peaking coefficient calculation code. Changes of the outward and inward diffusion velocities before and after the peaking of the central density profile have been calculated using the global particle balance equations. The particle confinement operation regimes have been discussed. The peaking density profile can be easily obtained under the condition of efficient fuelling. In ohmic discharges, confinement time increases as the peaking density profile factor rises, and is saturated at a critical value related to the fuelling efficiency. The particle confinement time of SMBI lies between the values of GP and PI, and its value is about 3-5 times of the energy confinement time.     

轴对称平板二极管空间电荷限制流的2维效应

 应用精度较高的体积加权电荷、电流分配模型,对轴对称平板二极管的空间电荷限制流2维效应进行了粒子模拟研究。选取电压分别为100 kV和1 MV两种情况,对空间电荷限制流受二极管尺寸影响的规律进行了模拟。模拟结果表明,2维效应使空间电荷限制流密度随二极管形状因子(阴极发射半径与阴阳极间隙的比值)的减小而增大,且受相对论效应的影响不明显。经数值拟合得到了空间电荷限制流2维效应与形状因子相关的二阶经验公式,其一阶系数与一阶理论结果基本一致,约为1/4。     

GaAs/AlAs量子阱中受主束缚能和光致发光

从实验和理论上,研究了量子限制效应对GaAs/AlAs多量子阱中受主对重空穴束缚能的影响。实验中所用的样品是通过分子束外延生长的一系列GaAs/AlAs多量子阱,量子阱宽度为3~20nm,并且在量子阱中央进行了浅受主Be原子的δ-掺杂。在4,20,40,80,120K不同温度下,分别对上述样品进行了光致发光谱测量,观察到了受主束缚激子从基态到激发态的两空穴跃迁,并且从实验上测得了在不同量子阱宽度下受主的束缚能。理论上应用量子力学中的变分原理,数值计算了受主对重空穴束缚能随量子阱宽度的变化关系,比较发现,理论计算和实验结果符合地较好。     

AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件的电容电压特性的经验拟合

利用蓝宝石衬底的AlGaN/AlN/GaN 高电子迁移率器件(HEMT)的电容电压(C-V)特性,对电子费米能级与二维电子气面密度的经验关系进行表征,其结果对器件电荷控制模型的建立,跨导及电容表达式的简化有重要意义.文章创新性地提出参数α用于表征二维势阱对沟道电子限制能力,并认为α越小则二维势阱的沟道电子限制能力越强.利用上述经验关系来拟合电容,可以获得与实测电容很好的一致性. 关键词： HEMT 费米能级 C-V特性')" href="#">C-V特性 二维势阱的电子限制能力     

N-DBR和双氧化限制层对VCSEL电、光、热特性的影响

根据增益波导垂直腔面发射激光器直接耦合的准三维理论模型,通过有限差分法对注入电流密度、载流子浓度、光场和热场分布方程求自洽解.研究了垂直腔面发射激光器的电、热和光波导特性,同时提出了一种具有双氧化限制层的增益波导垂直腔面发射激光器结构,并通过对比研究了N-型分布布喇格反射镜和双氧化限制层对增益波导垂直腔面发射激光器特性的影响.计算结果表明,如果忽略N-型分布布喇格反射镜的影响将与实际的垂直腔面发射激光器有较大偏差;双氧化限制层结构对激光器特性有较大的改善,它为增益波导垂直腔面发射激光器提供了一种降低阈值,抑制高阶横模的方法.     

利用空间电荷限制电流方法确定三(8-羟基喹啉)铝的电子迁移率特性初步研究

材料的迁移率是其关键电学特性之一.有机材料迁移率的研究对于有机电致发光器件、 有机太阳电池、有机薄膜场效应晶体管性能的提高有重要的意义. 应用简单易行的空间电荷限制电流方法,对基于三(8-羟基喹啉)铝(Alq₃) 的四种单载流子器件电流密度-电压曲线特性进行研究, 根据空间电荷限制电流模型,拟合出Alq₃材料在四种器件中的零场电子迁移率和电场依赖因子,并且给出Alq₃电子迁移率随外加偏压的变化趋势. 实验结果表明,顶电极铝蒸镀到缓冲层氟化锂(1 nm)和Alq₃ (100 nm)的表面后, 可以明显改善Alq₃的零场迁移率和电场依赖因子. 认为产生这种现象的原因是氟化锂可以使铝和Alq₃发生络合反应, 形成Li⁺¹Alq^-1粒子,形成良好的欧姆接触,使得电子的注入效率大大提高.     

InP基1×4多模干涉耦合器的设计与制作

在密集波分复用系统中,多波长DFB激光器阵列与多模干涉耦合器集成光源器件具有重要的应用前景.为了研制多波长集成光源中的宽带可用低损耗光耦合器,利用三维有限差分光束传播法仿真设计了一种具有强限制作用的InP/InGaAsP材料的多模干涉型耦合器.输入/输出端波导均采用楔形结构以降低多模干涉型耦合器的插入损耗,提高各个输出端口的出光平衡度.根据仿真结果,结合波导芯层为采用外延生长设备,采用反应离子刻蚀工艺制作了1×乘4多模干涉型耦合器.利用自动对准波导耦合测试系统对所制作器件的插入损耗和出光平衡度进行测量.测试结果表明,该器件在1 550nm波长附近的40nm带宽范围内获得了约2.6dB的通带平坦度,在1 550nm通信波长处,器件的插入损耗低于10dB.     

应用限制球形卷积解析弓状束的结构特性与语言理解表现的相关性

通过限制球形卷积(constrained spherical deconvolution,CSD)和神经纤维追踪技术(tractography),以了解大脑左右半球的弓状束(arcuate fasciculus,AF)神经结构完整性与语言理解能力的相关性.该文使用磁共振成像(MRI)仪对14例大脑左半球罹患肿瘤的右利手患者进行了术前术后扫描(每次扫描均伴随一次波士顿失语症测试),并用分析软件DSI Studio计算术前术后左右半球弓状束的四项扩散指标,并进行了比较.结果发现左脑弓状束有两项指标在术前术后有非常显著的差异(p0.01),而右脑四项指标均无显著改变(p0.05).另外,该文还将扩散指标与患者相对应的语言测试所反映的语言理解能力进行了相关性分析,发现无论术前术后,左半球弓状束与语言理解能力相关系数r介于0.6~0.8之间,而右半球则仅介于0.3~0.4之间.上述结果表明,语言理解能力与左侧弓状束密切相关(p0.01),而与右侧弓状束相关性不大,此结果与以往研究者对大脑侧化的认知相符.     

CdTe纳米晶及层状纳米晶薄膜的生长及其光荧光性质

用湿化学法在水溶液中合成了单分散的、大小尺寸可控的、巯基包裹的胶体CdTe纳米晶体,并利用CdTe纳米晶体和双功能分子poly（diallyldimethylammonium chloride）（PDDA）在Si衬底表面自组织生长了有序的层状纳米晶薄膜,荧光光谱研究了层状纳米晶体之间的共振能量迁移过程.结果表明：层状自组织生长的样品中纳米晶粒的间隔几乎一样,表明它们是有序排列的;而用直接干燥形成的样品中,小尺寸和大尺寸的纳米晶体之间间隔较短,发生荧光共振能量迁移,较小尺寸的纳米晶粒荧光峰（即波长较短处的晶 关键词： CdTe纳米晶体 量子限制效应 共振能量迁移