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11.
二、3乘(一)本个数位乘数0246813579本个数0628439517(二)进数位乘数0123456789本个数0000111222(三)位积位积=本个+后进(允许够10数)合成位积的训练最好先用一笔清,然后再用脑算盘清理。有够10进位用“左手”。够10进位多数是后数有3与6的地方。例13×37,269........||||||||||虚半替半||||||||||}}够4进1够7进23×37269=0117073进03本个9,7进2,为17本个12本个6,6进1,为76本个8,9进2,为09本个7脑算盘清理为111,807。例23×68,194脑算盘清理为204,582。例33×94,762例43×29,507三、4乘(一)本个数位乘数0246813579本个…  相似文献   
12.
一类阿基米德半群的构造及其同余格   总被引:4,自引:0,他引:4  
朱聘瑜 《数学学报》1993,36(3):392-396
本文引入同底的π-左、右零半群的夹群积并用来刻划带本原幂等元的阿基米德半群的构造.文中讨论了有限阶阿基米德半群的同余格,并证明了当有限阶阿基米德半群的正则R,L类的个数不超过5时,它的同余格是半模格.  相似文献   
13.
14.
集值Lebesgue—Stieltjes积分   总被引:8,自引:2,他引:6  
本文首先刻划了B(R_ )上的集值测度,其次建立了(R_ B(R_ ))上的集值Lebesgue-Stieltjes积分.最后,进—步建立了集值随机Lebesgue-Stietjes积分的理论.  相似文献   
15.
刘海霞  姚海楼 《数学学报》1997,40(6):921-932
设A是代数闭域K上的一个具乘基B的有限维含幺结合代数,称半群B∪(0)为A的基半群。本文给出了0-J-严格单半群的定义,对于基半群为O-J-严格单半群的零直并的代数,完全研究了它的代数表示型。  相似文献   
16.
纳米硅量子线的发现与研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
俞大鹏 《物理》1998,27(4):193-195
一维纳米材料是当今介观物理学研究的前沿领域.文章报道了一种利用脉冲激光成功地制备纯度高、直径分布均匀的纳米硅量子线(SiNWs)的方法,介绍了纳米量子线的形貌、显微结构、生长机理和物理性能研究的最新结果.纳米硅量子线的发现具有重要的科学意义和潜在的应用前景.  相似文献   
17.
唐西林  刘仲奎 《数学杂志》1997,17(3):397-403
本文利用逆半群上的同余扩张,讨论了一类逆半群的亚直可约性,并刻划了这类逆半群的幂等元集的特征。  相似文献   
18.
n进制中非零数字之积函数的均值公式   总被引:8,自引:0,他引:8  
设 N =a1nk1+ a2 nk2 +… + asnks( 1 aik2 >… >ks 0 ) ,a( N,n) =a1a2 … as,本文给出了均值 Ar( N ,n) =∑m相似文献   
19.
激光淀积YBa2Cu3O7外延超导薄膜   总被引:4,自引:2,他引:2  
利用准分子脉冲激光成功地在(100)SrTiO_3与(100)Y-ZrO_2衬底上淀积了 YBa_2Cu_3O_7超导薄膜,T_c(R=0)>90K,J_c(T<82K)>1×10~6A/cm~2.研究了衬底温度对外延YBa_2Cu_3O_7薄膜超导性能及结构的影响.  相似文献   
20.
磁控溅射技术制备ZnO透光薄膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用RF磁控溅射方法,在玻璃衬底上制备了择优取向的ZnO薄膜;通过台阶仪、X射线衍射技术、原子力显微镜和分光光度计分别测量了不同溅射功率条件下淀积的ZnO薄膜厚度(淀积速率)、结晶质量、表面形貌与粗糙度、透光光谱,报道了该薄膜结晶质量、薄膜粗糙度与其在可见光区透光率的关系.  相似文献   
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