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111.
一类Narcissistic反应过渡态的优化   总被引:1,自引:0,他引:1  
我们对一类narcissistic 反应XCH_2-CH_2Y→[过渡态TS]→YCH_2—CH_2X (1)进行了研究,结果表明其过渡态能在对称性限制下由能量极小化方法较容易地给出. 采用IMSPAK分子轨道从头算程序,在IBM VM/370计算机系统上用STO—3G极小基组以平衡几何构型的能量梯度优化方法,在对称性限制下对反应(1)的几种反应体系的过渡态构型进行了优化,其结果列于表1.  相似文献   
112.
杨宇  黄醒良 《发光学报》1995,16(4):285-292
采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1-xGex/Si量子阱发光材料。发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估。背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好。低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合。并讨论了生长温度对量于阱发光的影响。  相似文献   
113.
关于体上分块矩阵的群逆   总被引:1,自引:0,他引:1  
卜长江 《数学杂志》2006,26(1):49-52
本文利用分块矩阵方法.研究了体上两个矩阵乘积的群逆的存在性及表示形式,给出了体上两个矩阵乘积群逆存在的充分必要条件和表示形式.并且在一定条件下.给出了体上分块矩阵的群逆存在性及表示形式.  相似文献   
114.
一种改进的计算探测器校正因子的相关抽样方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
对于小尺寸探测器处于大块介质的情形, 在探测器的校正因子的Monte Carlo模拟中, 存在两个难题: 一是由于探测器尺寸很小粒子难以到达探测器并发生碰撞; 二是两个随机变量比值难以达到要求精度. 本文使用经过改进的粒子碰撞自动重要抽样方法, 再结合相关抽样方法, 解决了这两个难题, 并在MCNP-4C程序平台上加以实现. 除了粒子碰撞自动重要抽样以外, 还选用了其他3种方法: 直接模拟、区域分裂、强迫碰撞+Dxtran球分别与相关抽样方法结合, 对一个简化的探测器校正因子计算模型进行了计算. 实际计算结果表明, 相关抽样方法无论与哪种方法结合, 都起到了提高相关量计算效率的作用; 而它与粒子碰撞自动重要抽样结合, 比其他方法具有明显的优越性.  相似文献   
115.
焦蕾  赵培标 《数学学报》2007,50(3):679-692
Klein发表著名的埃尔兰根纲领,由群论角度研究了空间变换群的不变量,从而引进了各种不同的几何学.本文利用Felix Klein的观念,研究Carnot-Caratheodory空间{M,Q,g}(又称为次黎曼流形)上的类似问题,给出了次黎曼流形中的共形不变量和射影不变量.本文给出的共形和射影不变量可视为黎曼情形的一种自然推广.由于次黎曼流形与黎曼流形之间有着本质的差异,故此,本文通过次黎曼流形上存在的唯一非完整联络(Nonholonomic connections)来刻画所提的问题.  相似文献   
116.
黄仙山  谢双媛  羊亚平 《物理学报》2006,55(5):2269-2274
讨论了量子测量对各向异性光子晶体中Λ型激发态原子衰减的影响,主要包括衰减的抑制和加速效应.研究发现,这样的量子测量效应不仅与原子共振频率相对于光子晶体带边的位置有关,还与量子测量本身的频率大小相关.由于各向异性光子晶体的影响,较小频率的量子测量也能得到抑制衰减的效应. 关键词: 量子测量 量子Zeno 和 反Zeno效应 光子晶体  相似文献   
117.
利用 Schn-Tremblay 理论计算了 Pb、Sn 超导薄膜在注入准粒子且注入电压很小(ev<2△(?))时的能隙微小增加的效应.同时,把此理论扩展到 ev>>2△_i 的大电压情况,计算出能隙明显减小及超导-正常混合态的结果.  相似文献   
118.
119.
X分形晶格上Gauss模型的临界性质   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
李英  孔祥木  黄家寅 《物理学报》2002,51(6):1346-1349
采用实空间重整化群变换的方法,研究了2维和d(d>2)维X分形晶格上Gauss模型的临界性质.结果表明:这种晶格与其他分形晶格一样,在临界点处,其最近邻相互作用参量也可以表示为K=bqiqi(qi是格点i的配位数,bqi是格点i上自旋取值的Gauss分布常数)的形式;其关联长度临界指数v与空间维数d(或分形维数df)有关.这与Ising模型的结果存在很大的差异. 关键词: X分形晶格 重整化群 Gauss模型 临界性质  相似文献   
120.
A temperature-dependent photoluminescence measurement is performed in CdSe/ZnSe quantum dots with a ZnCdSe quantum well.We deduce the temperature dependence of the exciton linewidth and peak energy of the zero-dimensional exciton in the quantum dots and two-dimensional exciton in the CdSe wetting layer.The experimental data reveal a reduction of homogeneous broadening of the exciton line in the quantum dots in comparison with that in the two-dimensional wetting layer,which indicates the decrease of exciton and optical phonon coupling in the CdSe quantum dots.  相似文献   
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