用振荡偶极子模型计算能级寿命

对能级寿命的物理意义作了较全面的阐述，并运用半径费、半量子理论近似，采用振荡偶极子模型对能级寿命进行了计算，所得结果与各种文献所用结论十分一致。     

高阻恒流LED产生亚泊松光的理论研究

本文研究高阻恒流源驱动的光发射二极管（ＬＥＤ）的输出光场的振幅噪声压缩与电，光量子效率，漏电流效应，泵浦残余噪声频率的关系，指出高阻恒流技术不仅使任意纵模产生振幅噪声压缩，而且由于仅在高阻恒流下各纵模间存在负量子相关，使得ＬＥＤ总输出光场的振幅噪声压缩加深。     

高速CCTS光双稳激光器的研究

从速率方程出发对双区共腔（ｃｏｍｍｏｎ－ｃａｖｉｔｙｔｗｏｓｅｃｔｉｏｎ简称ＣＣＴＳ）光双稳激光器进行了精确的理论分析与计算，并对其稳态特性进行了实验研究和测试，得出了定量和定性的分析结果，同时还首次发现当激光输出高态出又出现了一次光双稳和开关效应。经研究确认是量子阱探测器的自电光效应，并提出一种可集成双逻辑功能显示的新型网络模型器件。     

表示张量积与量子对称

利用量子对称群的概念，我们给出Ｕ＿ｑ（ｓｌ＿ｎ）－多项式、Ｕ＿ｑ（ｓｌ＿ｎ）－外积的定义，说明Ｕ＿ｑ（ｓｌ＿ｎ）的ｑ－振子、ｑ－旋量表示不过是Ｕ＿ｑ（ｓｌ＿ｎ）标准表示的量子对称、量子反称张量积，这和经典情形是一致的。     

用深能级瞬态谱方法研究赝晶Si/Ge0.25Si0.75/Si单量子阱的价带偏移

应变的Ge_xSi_1-x层和未应变的硅层间的能带偏移主要是价带偏移。量子阱中载流子的热发射能与界面的能带偏移有着密切的关系。本文用深能级瞬态谱(DLTS)研究分子束外延生长的p型Si/Ge_0.25Si_0.75/Si单量子阱的价带偏移,阱宽为15nm,考虑到电场的影响和量子阱中第一子能级的位置,对从DLTS得到的热发射能进行适当的修正,可以计算出Si/Ge_0.25Si_0.75/S 关键词：     

GaAs/GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件

采用分子束外延技术生长含有大周期数的GaAs/GaAlAs多量子阶(MQW)及分布布喇格反射器(DBR)的PIN结构器件。研究了量子限制斯塔克效应(QCSE),分布布喇格反射及非对称腔模(ASFP)效应对光的反射调制作用及这三种效应的兼容性对光调制及逻辑器件的重要影响。给出我们研制的反射型光调制器及自电光效应器件的实验结果。对于常通型及常闭型调制器,其两态衬比度可达10dB.所研制的SEED器件,其导通光能耗低于10fJ/(μm)²,实现其光学双稳态及R-S光触发器工作。     

ZnCdTe-ZnTe多量子阱的电场效应

本文报导了电场作用下ZnCdTe-ZnTe多量子阱的激子发光特性.用激子局域化的观点解释了激子发光峰随电场增强而增强的现象.在Zn0.8Cd0.2Te-ZnTe多量子阱中观察到了电场作用下自由激子发光谱峰较大的红移和较快的发光淬灭     

非核子自由度与发展核基本理论的ABC计划

在分析核内运动，特别是其中非核子自由度的基础上提出了一个分三步发展原子核基本理论的ＡＢＣ计划。     

金属薄膜中的量子尺寸效应

运用最子统计的方法，计算金属薄膜中电子的态密度、电子密度、弛豫时间、计算结果表明：这些物理量都是金属薄膜厚度的函数，且随着薄膜厚度作周期性振荡。     

Paul阱中两个超冷离子的量子统计特性

讨论两个囚禁在Ｐａｕｌ阱的对称轴上的超冷离子的量子统计特性，可以发现，它们的稳定囚禁不仅与阱的稳定区有关，而且与它们自身的自旋和电荷数大小有关。