单光子量子密钥分发系统中干涉稳定性分析

为了研究位相编码量子密钥分发系统中的干涉稳定性, 运用解析和数值计算方法详细研究了光纤双折射、温度变化、非对称性以及耦合器分光比对量子密钥分发系统干涉条纹可见度的影响, 结果表明光纤双折射、温度变化和非对称性都将影响系统的干涉可见度, 调整接收端的调制位相能消除温度变化的影响, 并减小非对称性对系统的影响, 但不能改善光纤双折射对系统干涉的影响. 另外, 耦合器分光比影响系统的效率.     

Matuyama-Brunhes转换期间古地磁场的测定

本文报道由山东蓬莱铜井玄武岩剖面测定的Matuyama-Brunhes转换期间古地磁场测定结果,在此基础上,对地磁场处于极性转换期间的特征作了分析研究,并对造成虚地磁极(VGP)处于低纬度的机制作了新的探讨。     

非对称耦合量子阱中亚毫米波辐射及其带间激子复合发光特性的理论研究

基于V形三能级模型运用密度矩阵方程研究了非对称耦合量子阱退局域化现象，并具体分析了导带中电子作阱间振荡所产生的亚毫米辐射和激子复合所产生的近红外发射物理过程.理论结果表明：阱间电子波包振荡等效为一经典阻尼振子，其寿命由载流子与纵向光学声子散射时间和电子穿过势垒的渡越时间决定，所产生的亚毫米波辐射强度衰减仅与阱间阻尼系数有关，其线性服从洛仑兹分布.由带间激子复合所产生的近红外辐射频率随电子阱间振荡频率增加而减小，表现为量子限域斯塔克红移，即非对称量子阱在近红外发光区特性随反向偏压而变.这一结果预示着耦合量子 关键词： 非对称耦合量子阱 电子波包振荡 亚毫米波辐射 近红外发射     

α-环糊精/水杨酸等包络物的NMR自扩散研究

用脉冲梯度场NMR测量自扩散系数的方法研究了水杨酸、水杨酸根、苯酚及苯甲酸根和α-环糊精（α-CD）形成包络物的相互作用. 研究发现4种客体的扩散系数均随着环糊精含量增加而减小. 利用测得的扩散系数计算出了4种客体和环糊精形成包络物的平衡常数，发现平衡常数随空间位阻变小而变大，同时也随着疏水性增强而增大，该结果和2D-ROESY（Rotating Frame Overhauser Effect Spectroscopy）谱均表明，在水杨酸等客体与α-环糊精相互作用过程中，芳香环与环糊精内腔的疏水相互作用起主导作用，不同客体和α-环糊精的结合比均为1∶1.     

一维μ介子模型原子的超强场高次谐波发射

本文提出了一个一维μ介子原子模型,用数值积分方法求解了在超强激光场作用下该模型原子的含时Schrdinger方程,得到了它的高次谐波发射谱.该谱表明,借助于这一奇异原子模型,可将相干辐射由XUV波段推向γ-射线波段.针对这个体系的高次谐波发射效率低的缺点,引入双色场后使发射效率提高了两个数量级.     

孤立的Eu2+在立方晶场中基态能级的分裂

用量子力学微扰论方法计算了Eu^2 在立方晶场中基态能级分裂的一级修正，并给出了相应能级的零级近似波矢。     

InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究

降低InGaN的维数是提高GaN基发光器件发光效率的一种非常有效的方法，本文的工作主要集中在高密度InGaN量子点的生长和分析上。在MOCVD设备上，经过钝化和低温两个特殊工艺条件，在高温CaN表面生长了一层低温岛状GaN．形成表面形貌的起伏，进而导致表面应力的不均匀分布。在这一层低温岛状GaN的诱导性作用下生长并形成InGaN量子点。通过原子力显微镜、透射电子显微镜和光致发光谱对其徽观形貌和光学性质进行了观察和研究。从原子力显微镜以及透射电子显微镜观察得到的结果表明：InGaN量子点为平均直径约30nm、高度约25nm、分布较均匀的圆锥，其密度约10^11cm^-2。室温下，InGaN量子点材料的PL谱强度大大超出相同条件生长的InGaN薄膜材料。这些现象表明，用InGaN量子点代替普通InGaN薄膜．有望获得发光效率更高的GaN基发光器件。     

定域内对称和规范场--为杨-米尔斯场五十周年而作

文章为杨-米尔斯的历史性论文发表50年而写，扼要阐述非阿贝尔规范场理论这篇原创论文的主要思想和它的巨大影响。     

用变分法研究FK模型的量子特性

到目前为止，人们对ＦＫ模型和ＣＩ相变的量子效应知之甚少。本文提供了一种适用于这方面研究的有效方法－－变分法。     

含Eu3+离子的Na2O-K2 O-SiO2-Al2O3系统玻璃的制备及其变温发射光谱与结构特性

通过高温熔融法制备了含Eu^3 离子的Na2O-K2O-SiO2-Al2O3系统玻璃。在488nm波长光的激发下，系统地研究了上述玻璃从77K到700K温度范围的变温发光特征。发现总的荧光强度首先随温度的升高而大幅度升高，然后随温度的升高而减少，用声子辅助吸收与热激活过程及温度淬灭效应定性地解释了上述强度的变化，同时测量与分析了Eu^3 离子的晶格场参量。结果表明，Eu^3 离子与氧离子的距离随着温度升高而变短，而Eu^3 离子的配位数不随温度而变化。