Design and Fabrication of 1.06 μm Resonant-Cavity Enhanced Reflective Modulator with GaInAs/GaAs Quantum Wells

A resonant-cavity enhanced reflective optical modulator is designed and fabricated, with three groups of three highly strained InGaAs/GaAs quantum wells in the cavity, for low voltage and high contrast ratio operation. The quantum wells are positioned in antinodes of the optical standing wave. The modulator is grown in a single growth step in an molecular beam epitaxy system, using GaAs/AlAs distributed Bragg reflectors as both the top and bottom mirrors. Results show that the reflection device has a modulation extinction of 3 dB at -4.5 V bias.     

荷兰专家制成最小超导量子干涉仪

不久前，荷兰研究人员制造出目前世界上最小的超导量子干涉仪，可以用来提高未来量子干涉仪显微镜的分辨能力。     

Average Property of Isospin Effects Induced by Neutron-Halo Nuclei

We study the average property of the isospin effects of reaction mechanism induced by neutron-halo nuclei within the isospin-dependent quantum molecular dynamics model. We find that the extended neutron density distribution for the neutron-halo projectile brings an important isospin effect into the reaction mechanism, which induces the decrease of nuclear stopping R; however, it induces the obvious increases of the neutron-proton ratio of nucleon emissions （n/p）nucl for all of the beam energies in this work, compared to the same mass stable colliding system.     

铁电体表面效应的唯象理论及其与横场Ising模型的关系

分析了铁电体横场Ising模型与Landau唯象理论的关系,得出了有表面的铁电体的Landau自由能表达式,指出原有的表达式中面积分部分仅含与极化平方成正比的项只在特殊情况下成立,一般情况下还应包含与极化四次方成正比的项.利用所得出的自由能表达式,计算了铁电薄膜自发极化和Curie温度与厚度的关系,使原先用唯象理论不能理解的一些实验现象得到了解释     

韧性金属裂纹尖端损伤区内应变场测量——数字散斑相关法应用

本文用数字散斑相关方法测量了五种不同幂硬化指数韧性金属材料(铝和铜),双边裂纹尖端细观区域内应变场.对所得结果用韧性损伤模型进行了分析.在此法中以金属自然表面结构为散斑场,不同加载状态的散斑场进行比较,得到相对变形与应变.图象之间相关性 C 是变形参数或是位移及其导数的泛函.使其相关性 C 取最大值的试凑变形即为其真实变形场.这一方法在细观测量中应用得到满意的结果.     

2-[（4'-N，N-二甲胺基）苯乙烯基]-5-二米基硼-噻吩的合成-结构与光物理性质

合成了以含硼（III）基团为电子受体，以二甲胺基为电子给体，以苯乙烯基 噻吩为共轭桥的新化合物2-[（4'-N，N-二甲胺基）苯乙烯基]-5-二米基硼-噻吩 trans-2-[(4'-N, N-dimethylamino) styryl]-5-dimesitylboryl-thiophene（简 写为DMASBT，5）。X射线衍射方法测定其单晶结构表明，硼原子与π共轭桥之间的 硼碳键相对于其它的硼碳键明显缩短，硼与π共轭桥之间存在除了σ键之外的p-π 共轭作用。研究了它在不同溶剂中的光物理性质，发现它具有突出的溶致变色效应 。在极性较大的溶剂中，有较高的荧光量子产率和较长的荧光寿命。激光实验发现 ，DMASBT在近红外波段（750～850 nm）有较强的非线性吸收，用波长为800 nm的 红色飞秒激光激发时，DMASBT在四氢呋喃中发现波长为559 nm的强的绿色上转换荧 光。     

几种改进的CoMFA方法比较研究血小板活化因子拮抗剂

由于传统的比较分子场分析(CoMFA)方法本身存在一些缺陷，使得分子的叠合 规则以及叠合分子的空间取向和空间位置等因素对q~2的影响很大，因此相继提出 了几种改进的CoMFA方法。为了优化CoMFA结果，应用传统的CoMFA方法和交叉验证 的R~2引导的区域选择法(q~2-GRS)、全取向搜索法（AOS）、全空间搜索法（APS） 以及比较分子相似性指数(CoMSIA)等四种改进的CoMFA方法，对18个pinusolide类 衍生物这类新发现的血小板活化因子（PAF）拮抗剂进行了比较研究。结果表明四 种改进的CoMFA方法得到的q~2值均比传统CoMFA的高。q~2-GRS方法得到的q~2值有 所提高，但综合结果并不理想，AOS与APS得到的q~2较为理想，而在CoMSIA中， q~2几乎不受空间取向或空间位置的影响。同时我们引人基于样本的偏最小二乘法 （SAMPLS）取代原AOS／APS程序中的传统PLS进行统计分析，明显提高了其运行速 度。最后，根据q~2最高的CoMFA模型和CoMSIA模型设计了几个预测活性更高的 pinusolide类似物。     

量子限制效应对多孔硅液相电致发光的影响

着重研究多孔硅在阴极偏压下过硫酸铵溶液中电压调制的电致发光现象 .随阴极偏压的增大 ,电致荧光峰位蓝移 ,荧光强度增大 ,同时发现定电压下 ,发生电致发光随时间的衰减伴随着光谱的红移现象 .通过红外光谱、AFM及电化学等手段对电致发光的电位调制机理及荧光衰减机制进行了研究 ,结果表明电致发光与光致发光具有相同的起源 ,电压选择激发不同粒径的多孔硅 ,而导致了发光峰值能量的电位选择性 .在电致发光过程中 ,强氧化剂向多孔硅注入空穴使其表面氧化导致小粒径的硅晶逐渐被剥落 ,使光谱高能部分首先衰减出现了随时间的电致发光红移现象 .这些结果支持量子限制效应在多孔硅液相电致发光中起着重要作用