聚(辛二酸-四甘醇酯)的合成及其微相分离结构的研究

通过熔融缩聚合成了一种新型的两亲性聚酯——聚(辛二酸-四甘醇酯)(PTEGSub),利用GPC,NMR,FTIR,TG,DSC等手段对聚合物的结构进行了表征.研究发现,在25℃时,PTEGSub在水中可以形成胶束,粒径主要集中在20～120nm之间,其临界胶束浓度(CMC)随分子量的升高而降低.通过TEM观察了在选择性溶剂中的胶束形态.利用AFM研究了PTEGSub的微相分离,发现聚合物膜中存在有球状的相分离结构.     

环硅氧烷负离子乳液聚合中活性中心浓度的变化规律

以八甲基环四硅氧烷(D4)为单体,十二烷基二甲基苄基氢氧化铵(BDAH)为乳化剂兼催化剂,进行环硅氧烷负离子乳液聚合,采用凝胶色谱(GPC)测定聚合产物的转化率及分子量.在此基础上,分析基元反应,提出活性中心生成机理,并应用环硅氧烷开环聚合普适动力学模型计算乳液聚合平衡之前的活性中心浓度变化规律.结果发现,聚合温度较低时,活性中心浓度随时间逐渐增加,最终恒定;聚合温度较高时,活性中心浓度随时间仅单调递增.结果与机理相符.     

SnO2的制备及催化臭氧氧化活性

采用沉淀法制备了SnO2催化剂,以SnO2催化臭氧氧化降解糖蜜酒精废水脱色为探针反应,对催化剂的活性进行了评价.采用X射线衍射、红外光谱及热分析(TG-DSC)等技术对催化剂进行表征,研究了沉淀剂及焙烧温度等制备参数对SnO2催化臭氧氧化活性的影响.结果表明,SnO2催化剂对臭氧氧化降解糖蜜酒精废水脱色具有较高的催化活性,反应60 min后,糖蜜酒精废水的脱色率从单独臭氧氧化的43.04%提高到60.24%.沉淀剂对SnO2催化剂的活性影响很大,其中以氨水为沉淀剂制备的SnO2催化剂去羟基化反应程度高,所制得的催化剂活性最大.催化剂适宜的焙烧温度为723 K.SnO2吸附吡啶的红外光谱表明,催化剂表面存在L酸中心.臭氧在SnO2表面吸附的红外光谱表明,通过臭氧的末端氧原子与表面羟基及L酸中心成键,生成的活性氧可氧化降解糖蜜酒精废水.     

Dependence of electron dynamics on magnetic fields in semiconductor superlattices

Numerical simulation results are presented for a drift-diffusion rate equation model which describes electronic transport due to sequential tunneling between adjacent quantum wells in weakly coupled semiconductor superlattices （SLs）. The electron dynamics is dependent on the external magnetic field perpendicular to the electron motion direction, and a detailed explanation is given. Using different parameters, the system shows different dynamic behaviors, and three distinct phenomena are observed and controlled by increasing magnetic field. （i） For a lower doping density, the system state transfers from stable state to oscillationary state. （ii） An opposite result is obtained to that in the case （i） for an intermediate value of the doping density, and the state changes from oscillationary to stationary. （iii） The state varies between oscillationary and stationary when doping density is large. Then, a detailed theoretical analysis is given to explain these surprise phenomena. The distribution of the electric-field domain along the SLs is plotted. We find the structure of the domain is almost uniform for a lower doping density, and no domain occurs in the SLs. By adding an external ac signal, complex nonlinear behaviors are observed from the Poincaré map and the corresponding phase diagrams when the driving frequency changes.     

Co:BaTiO3/Si(100)纳米复合薄膜制备、微结构及其紫外光电子能谱研究

采用脉冲激光气相沉积(PLD)方法,在Si(100)晶面上制备了Co:BaTiO3纳米复合薄膜.采用X射线衍射(XRD)结合透射电镜(TEM)方法研究了两种厚度Co:BaTiO3纳米复合薄膜的晶体结构,当薄膜厚度约为30 nm时,薄膜为单一择优取向;当薄膜厚度约为100 nm时,薄膜呈多晶结构.原子力显微镜(AFM)分析表明,当膜厚为30 nm时,薄膜呈现明显的方形晶粒.采用紫外光电子能谱(UPS)研究了Co的价态和Co:BaTiO3纳米复合薄膜的价带谱.研究表明:当Co浓度很高时其态密度(DOS)与晶体BaTiO3明显不同.此外,嵌埋纳米Co颗粒的BaTiO3薄膜的能带结构可用纳米颗粒的浓度来调制,从而也可对其光学和电学性质进行改性.     

臭氧在SnO2表面吸附的红外光谱研究

以SnO2催化臭氧化降解高浓度糖蜜酒精废水为探针反应,研究SnO2催化臭氧化降解糖蜜酒精废水的活性,并采用红外光谱研究臭氧在SnO2及金属氧化物改性的SnO2催化剂表面的吸附行为。结果表明:由纯氧源制得的O3在SnO2表面吸附的红外光谱上的1 027和1 055 cm-1及2 099和2 122 cm-1处存在两处明显的吸收双峰,而空气制备的O3在SnO2表面与CO及CO2等存在竞争吸附,使得O3的吸附减少,催化臭氧化降解糖蜜废水的降解率下降。催化剂助剂对SnO2催化臭氧化降解糖蜜酒精废水有较大的影响。采用Fe2O3,NiO,CuO,ZnO,MgO,SrO及BaO等金属氧化物为助剂改性的SnO2在2 236和2 213 cm-1,1628和1 599 cm-1出现强度相似的吸收峰,但是几种催化剂对CO2和CO的吸附差别较大,过渡金属改性的SnO2在1 580~1 070 cm-1处出现较宽的吸收峰,碱土金属氧化物改性的SnO2催化剂在1 580~1 070 cm-1之间,出现了1 298和1 274 cm-1两个新的峰,从而引起了不同助剂催化臭氧化的活性差别,碱土金属改性的SnO2对糖蜜酒精废水的催化臭氧化脱色效果明显优于过渡金属改性的SnO2,其中BaO改性的SnO2催化剂的活性最好。     

用染料激光增益降低二元混合物中少量化合物的受激拉曼散射可探测浓度

在二元混合物构成的圆形谐振腔中,用染料的激光增益增强了少量化合物(乙醇溶液中的甲醇、水溶液中的乙醇)的受激拉曼散射（SRS）光谱,将少量化合物在悬垂液滴中的瞬态SRS探测极限提高了近一个数量级. 用受激拉曼散射理论,解释了增强少量化合物SRS的机理. 关键词： 受激拉曼散射 染料激光增益 二元混合物 最小可探测浓度     

高斯多峰拟合用于烷基葡萄糖苷临界胶束浓度测量

报道了可见吸收光谱线型的高斯多峰拟合用于新型非离子表面活性剂烷基葡萄糖苷(APG),如辛基-β-D-葡萄糖单苷(C₈G₁)和癸基-β-D-葡萄糖单苷(C10G₁)的临界胶束浓度(CMC)的测定。具体作法是以结晶紫(crystal violet,CV)为探针,测量一系列不同浓度的APG-CV水溶液体系的可见吸收光谱。其光谱特征是CV单体吸收峰598～609 nm和二聚体吸收峰538～569 nm叠合在一起。用高斯多峰拟合法实现了体系可见光谱吸收叠合峰的分峰、峰面积(积分吸光度)、频移及半高宽等光谱线型参数计算。单体和二聚体峰面积比(相对积分吸光度A₂/A₁)、频移(Δλ)及半高宽(w₁,w₂)对APG浓度图形在CMC处发生突变。首次发现可见吸收光谱线型参数半高宽对APG聚集行为敏感,并成功用于APG的CMC测量。     

白光LED用Ca7（SiO4）2Cl6∶Eu2+荧光粉的光谱性能研究

通过高温固相法制备了用于紫外激发白光LED的蓝绿色Ca7(SiO4)2Cl6∶Eu2+荧光粉,并对样品进行了XRD分析和发光性能测试。结果表明,合成的样品为单相Ca7(SiO4)2Cl6;在紫外光激发下,样品的发射谱包括418和502nm两个发射峰。分别监测这两个发射峰,得到了峰值位于290和360nm处的两个宽带激发谱,说明Eu2+离子在基质晶格中可能占有两个不同的格位。研究了Eu2+离子浓度对发光强度的影响,最佳掺杂浓度为0.75mol%。结果表明该荧光粉是一种较好的蓝绿色发光材料。     

不同生长条件下ZnO薄膜电学性质的研究

ZnO薄膜中的高的背景电子浓度能够对p型掺杂形成补偿,从而对p型掺杂造成障碍,了解高背景电子浓度的来源有助于对p型掺杂的研究。本文采用分子束外延技术在不同真空度下在a面蓝宝石衬底上生长了一系列氧化锌薄膜,发现在低真空度下生长的样品的载流子浓度较高,为10¹⁹ cm^-3量级;而高真空度下生长的样品,其载流子浓度比低真空生长的样品显著降低,降低了3个数量级。在相同条件下生长的样品,通过不同的后处理手段进行处理后,其电子浓度未发生明显变化,说明氧空位等本征缺陷不是ZnO薄膜中电子的主要来源,高背景电子浓度应该与生长过程中非故意引入的杂质相关。通过低温光致发光表征,发现低真空度下生长的样品在低温下3.366 eV处有强的施主束缚激子发光峰,而高真空度下生长的样品的此发光峰显著变弱。由此,高电子浓度被归结为与生长过程中非故意引入的氢杂质相关。