氮气氛中高温退火对ZnO薄膜发光性质的影响

以二乙基锌和水汽分别作为锌源和氧源,用LP-MOCVD方法在p型Si(100)衬底上生长了单一取向的ZnO薄膜。对得到的样品在氮气气氛中进行高温热处理,退火温度分别为900,1000,1100℃。利用室温PL谱、XRD、AFM、XPS等方法对样品的性质进行了研究。研究表明:(1)随着退火温度的升高,样品的结晶性质也逐渐提高,从表面形貌观察到晶粒尺寸逐渐增大;(2)当退火温度从900℃升高至1000℃时,样品的光致发光谱中可见光波段的发光强度有所减弱,而紫外波段的发光强度明显增强;当退火温度升高至1100℃时,可见光波段的发光几乎完全被抑制,而紫外波段的发光强度急剧增强。分析认为,高温退火改善晶体结晶质量的同时调制了样品的Zn/O比,氮气气氛下的热处理使得样品内的氧原子逸出,来自受主缺陷OZn的可见发射随温度升高逐渐减弱,而当退火温度达到1000℃以上时样品成为富锌状态,此时与施主缺陷Zni有关的紫外发射急剧增强。     

嵌段共聚物薄膜快速自组装方法

嵌段共聚物 (BCP) 薄膜可通过不同的退火方法诱导其微相分离,从而获得大面积圆柱状、层状和球状等纳米图案。这些长程有序的纳米结构形态,已经广泛应用在纳米光刻和电子器件等多个领域中。目前,有效且快速的退火方法仍然是BCP薄膜自组装技术中的研究热点。本文首先介绍了制备BCP薄膜纳米结构图案常用的退火技术,然后综述了三种新型快速退火技术,最后分析总结了这些退火技术的优缺点。     

聚乙烯单晶的退火效应

用混合晶红外光谱法和ＳＡＸＳ、ＤＳＣ和ＬＡＭ等方法研究了聚乙烯单晶在７５℃、９０℃和１０５℃退火前后的结构变化，发现在９０℃以下和１０５℃以上退火，遵循不同的退火机制     

用条带织构装饰技术研究液晶全芳共聚酯B-N的取向和非取向膜

用条带织构装饰技术研究液晶全芳共聚酯Ｂ—Ｎ的取向和非取向膜董炎明（厦门大学化学系,厦门,３６１００５）关键词共聚芳酯,条带织构,退火,取向膜,微纤全芳共聚酯Ｂ—Ｎ在分子量较高时能出现黑白相间的条带织构［１～５］,但分子量低时由于极易松驰,不能用普通剪...     

添加剂和溶剂退火协同优化制备高性能厚膜有机太阳能电池

通过溶剂添加剂1-氯萘(CN)和二硫化碳(CS₂)溶剂退火(SVA)协同优化了基于窄带隙小分子受体的厚膜活性层形貌,揭示了该策略对共混膜形貌的调控机理,研究了其对活性层中的载流子动力学以及器件光伏性能的影响.结果表明,CN添加剂可以有效促进受体材料结晶聚集,CS₂溶剂退火能够进一步提升活性层材料分子堆积的有序性,同时优化给受体材料相分离尺寸,降低共混膜表面的粗糙度,实现了良好的纳米尺寸相分离形貌.基于CN+SVA处理的PM6∶Y6厚膜(300 nm)器件的电荷传输和复合性质得到改善,取得了15.23%的光电转换效率(PCE),显著高于未经处理(PCE=11.75%)和仅用CN处理(PCE=13.48%)的光伏器件.该策略具有良好的适用性,将基于PTQ10∶m-BTP-PhC6器件的光伏性能从13.22%提升至16.92%.     

非晶聚对苯二甲酸乙二醇酯薄片在低温退火过程中的声发射现象

Acoustic emission during sub-Tg annealing fort amorphous polyethylene terephthalate (PET) sheet quenched from melt has been observed. The mechanical properties, texture and glass transition of annealed specimens have been studied. It is shown that some of PET chains change from non-equilibrium state to equilibrium state during sub-Tg annealing, which leads to stress concentration in specimen. When the level of internal stress approaches to the limit, the acoustic waves are emitted due to sudden releasing of stress and the micro-defects are for-med. This is one of the important reasons,the causes the loss of mechanical properties to an-nealed specimens.     

EXAFS研究Ni-B和Ni-Ce-B超细非晶态合金的退火晶化

采用同步辐射EXAFS技术定量地研究化学还原法制备的Ni-B和Ni-Ce-B超细非晶态合金中Ni原子的局域环境结构随退火温度升高而产生的变化,结果表明,对于Ni-B和Ni-Ce-B超细非晶态合金初始样品：Ni-Ni最邻近配位壳层的平均键长RNi-Ni、配位数N、热无序σT、结构无序σs分别为0．275nm,11.9.0.0069nm,0.034nm;0.276nm,12.4,0.0067nm,0.035nm,Ni-B最邻近配位壳层的RNi-B,N, σT,σs分别为0．215nm,2.7,0.0055nm,0.0048nm;0.214nm,2.0,0.0058nm,0.0042nm,Ni-Ni配位的σs很大,是其σT的4－5倍,比Ni－B配位的σs大近一个数量级,在300℃退火后,Ni－B样品开始发生晶化生成晶态Ni3B,其RNi-Ni和σs分别为0．254nm和0．011nm,σs降低近2倍;而．3％原子比的Ce掺入后使Ni-Ce-B超细非晶态合金的晶化温度升高100℃左右。在500℃退火后,Ni－B样品的结构参数与Ni箔的相近,但Ni-Ce-B样品中的Ni-Ni配位的σs仍为0．0073nm,Ni-B配位的N为1．2,表明稀土元素Ce（以CeO2)显著增强了Ni与B的相互作用,且同时使退火晶化成的Ni晶结构产生畸变。     

退火温度对KDP晶体光学均匀性的影响研究

 研究了磷酸二氢钾（KDP）晶体热退火前后光学均匀性的变化，发现适当温度下退火可以降低KDP晶体的内应力，提高晶体的消光比，从而提高晶体的光学均匀性。实验证明，50℃下退火即可消除部分内应力，110℃下退火可以消除生长鬼影和鬼线。但是,退火温度太高（如170℃）,也可能使晶体的均匀性降低。     

尼龙1010骤冷退火样品的晶体结构

尼龙1010的晶体结构属三斜晶系.作者最近导出了X射线衍射法(WAXD)测定尼龙1010结晶度的公式,进而考查了等温结晶时结晶温度T_C对结晶度X_C、晶粒尺寸L_(100)和氢键面相对衍射强度R的影响.发现X_C和L_(100)均随T_C升高而增大,达196℃后又减小;而R与T_C的关系则相反,呈线性降低.结晶速率快有利于分子链在垂直于氢键面的(100)晶面生长,但R值却降低了.本文利用WAXD考查了尼龙1010不同骤冷退火条件样品的晶体结构.     

Effect of thermal-annealing on the magnetoresistance of manganite-based junctions

Thermal-annealing has been widely used in modulating the oxygen content of manganites. In this work, we have studied the effect of annealing on the transport properties and magnetoresistance of junctions composed of a La0.9Ca0.1MnO3＋6 film and a Nb-doped SrTiO3 substrate. We have demonstrated that the magnetoresistance of junctions is strongly dependent on the annealing conditions： Prom the junction annealed-in-air to the junction annealedin-vacuum, the magnetoresistance near 0-V bias can vary from ～-60% to N～0. A possible mechanism accounting for this phenomenon is discussed.