软门限去噪法在X射线能谱分析中的应用

从函数空间的剖分和理想滤波器组的角度分析了多分辨率信号的分解与重构，提出了一种X射线能谱去噪的方法，即应用Mallat算法对谱信号进行小波分解，然后应用一个非线性软门限函数在小波域内将噪声抑制和消除，最后重构得到去噪后的能谱。该方法明显改善了能谱定量分析的结果。     

大学物理中几个常见超越方程解的渐近表示

简要介绍了布尔曼一拉格朗日级数,并推出了几个常见超越方程的解的渐近表示.     

映照z■e~(az+bz~2)(a,b∈IR)的动力系统 (Ⅰ)爆炸区域

我们拓广了Devaney R.L.关于爆炸线段的定义,定义了系统g(a,b)(z)的爆炸区域,并确定了(a,b)一平面上两个爆炸区域,D_C~o和D_C~∞.文末我们提出了如下猜测D_C=D_C~o∪D_C~∞其中D_C是系统g(a,b)(z)的爆炸点集.     

A threshold voltage model MOSFETs considering for high-k gate-dielectric fringing-field effect

In this paper, a threshold voltage model for high-k gate-dielectric metal-oxide-semiconductor field-effect transistors （MOSFETs） is developed, with more accurate boundary conditions of the gate dielectric derived through a conformal mapping transformation method to consider the fringing-field effects including the influences of high-k gate-dielectric and sidewall spacer. Comparing with similar models, the proposed model can be applied to general situations where the gate dielectric and sidewall spacer can have different dielectric constants. The influences of sidewall spacer and high-k gate dielectric on fringing field distribution of the gate dielectric and thus threshold voltage behaviours of a MOSFET are discussed in detail.     

两总体下双参数指数分布门限参数的比较

本文研究了当刻度参数未知时,双参数指数分布门限参数的检验问题.利用了似然比检验的方法,获得了检验统计量及检验水平的上下界.该方法应用在两个截尾数相等情形下,所得到的检验水平是真实的.     

关于Hayman的一个问题和Tumura—Clunie定理

[1]证明了ψ=f′-αf^n(n≥5。f为超越亚纯函数，α≠υ）取任何有究复数无限次。[1]和[2]举例说明n≥5是精确的。本文用完全不同方法找出了n=4,3,2时ψ＝f′-αf^n取任何有究复数无限次的条件。并举出例子说明本文的条件是精确的。而且本文还找出了Tumura-Clunie定理成立的最佳条件。     

四滚柱式超越离合器外环接触应力计算

作者用弹性力学方法计算出超越离合器外环的接触应力，并用光弹性实验验证，结果吻合良好．     

基于门限面板模型的我国能源利用效率研究

根据三要素的柯布-道格拉斯生产函数,构建我国能源利用效率的门限面板模型,对2000~2014年我国30个省份(不含西藏)的样本数据,进行实证分析.研究表明:能源利用效率变量存在明显的三门限值,把我国30个省份分成四大类,不同类别的地区在能源效率和能源投入规模上存在显著差异.能源利用效率比较高的地区能源利用效率随能源投入增加而变大,而能源利用效率较低地区则相反.另外能源利用效率高的地区,能源投入规模大,能源产出弹性也大,说明在一定程度上对经济的贡献率也比较大,且未来继续靠能源拉动经济的可能性也比较大.     

关于微分多项式的几个结果

本文研究了较一般形式的微分多项式的值分布问题,改进了W.K.Hay-man,C. C.Yang和W.Doeringer等人的有关定理。例子证实了本文结果是最佳的。