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THE EIGENVALUE PERTURBATION BOUND FOR ARBITRARY MATRICES 总被引:1,自引:0,他引:1
Wen Li Jian-xin Chen 《计算数学(英文版)》2006,24(2):141-148
In this paper we present some new absolute and relative perturbation bounds for theeigenvalue for arbitrary matrices, which improves some recent results. The eigenvalueinclusion region is also discussed. 相似文献
63.
高智 《应用数学和力学(英文版)》2004,25(8):917-928
Interactions between different scales in turbulence were studied starting from the incompressible Navier-Stokes equations. The integral and differential formulae of the shortrange viscous stresses, which express the short-range interactions between contiguous scales in turbulence, were given. A concept of the resonant-range interactions between extreme contiguous scales was introduced and the differential formula of the resonant-range viscous stresses was obtained. The short- and resonant-range viscous stresses were applied to deduce the large-eddy simulation ( LES ) equations as well as the multiscale equations, which are approximately closed and do not contain any empirical constants or relations. The properties and advantages of using the multiscale equations to compute turbulent flows were discussed. The short-range character of the interactions between the scales in turbulence means that the multiscale simulation is a very valuable technique for the calculation of turbulent flows. A few numerical examples were also given. 相似文献
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在扩散限制凝聚(DLA)模型基础上,采用Monte Carlo方法模拟了具有幂次相互作用的磁性粒子动力学凝聚过程.重点研究了在不同幂指数。值下团簇的形貌及其分形维数Df随耦合参数膨的演化规律.模拟结果表明:对于较大的α值,即α=5时,团簇形貌随雕的变化较小,其分形维数Df一般在1.60~1.70;而随着α值的减小,团簇形貌随参数βC有一明显的演化过程,在模拟范围内,分形维数Df在1.20~1.95. 相似文献
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CHENKe'an GaryH.Koopmann 《声学学报:英文版》2003,22(4):360-368
Active control of low frequency sound radiation using planar secondary sources is theoretically investigated. The primary sound field originates from a vibrating panel and the planar secondary sources are modeled as simply supported rectangular panels in an infinite baffle. The sound power of the primary and secondary panels is calculated, and then a series of formulae are derived to obtain the optimum reduction in sound power. Finally, active reduction for a number of secondary panel arrangements is examined, it is concluded that when the modal distribution of the secondary panel does coincide with that of the primary panel, one secondary panel is sufficient. Otherwise four secondary panels can guarantee considerable reduction in sound power over entire frequency range of interest. 相似文献
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在25℃,I=0.10 mol/L KNO3的实验条件下,用pH电位法测定了吲哚-3-乙酸(IAA)在甲醇-水混合溶剂中的质子化常数,讨论了有机溶剂对质子化常数的影响,结果表明在实验范围内溶剂甲醇含量对质子化常数的影响呈线性关系.确定了二元体系M(Ⅱ)-IAA(M=Fe、Co、Ni、Cu、Zn和Cd)在甲醇含量为50%(V/V)的混合溶剂中主要存在的配合物物种,并测定了配合物的稳定常数.实验数据的处理运用计算机程序Hyperquad、Glee和Hyss完成. 相似文献
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The energy transfer of homogeneous scalar turbulence is studied numerically by triad interaction in spectral space. The different transfer properties between turbulent kinetic energy and turbulent scalar energy reveal that non-local energy transfer exists as important as the local energy transfer in scalar turbulence. The non-local energy transfer of scalar turbulence results from non-local triad interaction. As a result there will be longer inertiaconvective range in scalar turbulence than the inertial subrange in turbulent kinetic transfer at Reλ = Peλ. The non-local transfer of turbulent scalar energy generates more energy transfer into dissipation range. The discovery of non-local transfer of turbulent scalar energy indicates that this phenomenon should be concerned carefully in numerical scheme and subgrid modelling of direct numerical simulation or large eddy simulation scalar turbulence. 相似文献
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1引言关于两个正数a,b的平均数,《普通高中课程标准实验教科书》中的算术平均与几何平均是我们熟知的两种平均,在中学数学中常见的平均有:(1)A(a,b)=a+b/2为a,b两个数的算术平均;(2)G(a,b)=ab1/2为a,b两个数的几何平均; 相似文献
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采用从头计算(ab initio)的方法对Si和Si1-xGex合金半导体材料中CiCs 缺陷的性质进行探讨,同时也对比调查了CiOi 缺陷在Si和Si1-xGex合金中的性质. 在不同Ge含量的Si1-xGex合金中CiCs和CiOi缺陷的结构都具有较好的稳定性;从能量学角度,Ge原子不能与C或O原子直接成键. CiCs缺陷的A型和B型结构在Si1-xGex合金中表现出的行为基本类似,但是A型结构随着Ge含量的增加形成能逐渐减小,结构越来越稳定,而B型结构的形成能先有所下降后逐渐增加;A型和B型结构的能量差值随着Ge含量的增加先在小范围内变化后迅速下降. CiOi缺陷形成能的变化特征较为复杂. 纯Si体系在1000K及以上温度的等温退火过程中,CiCs缺陷的A型结构会向B型结构转变;Si1-xGex合金在进行等温退火时CiCs缺陷的A型结构的变化特征与退火温度、Ge含量和Ge取代的位置等因素有关. 相似文献