2009年宁夏高考理综卷物理试题评析

宁夏是国家教育部新课程改革率先实验的四省区（山东、广东、宁夏、海南）之一,自2007年进行了第一次新课标高考,至2009年已进行了三次．经过三年的精心探索与实践,宁夏的新课程高考已趋于成熟,分析2009年宁夏高考理综卷物理试题（简称2009年试题）,对于预测宁夏今后的高考命题趋向,研究高考对策,组织高考复习,提高教学效率,贯彻新课程改革有着很重要的意义．     

寻找解题的“切入点”

在解难度稍大、综合性稍强的物理综合题时,常听到有些同学抱怨"一头雾水"、"无从下手",甚至在高考大题上一片空白,留下终生遗憾,究其原因,是未找准解题的"切入点",俗话讲"良好的开端,是成功的一半"、"入门即不难",可见解题时选准切人点是解题的基础和关键,切人的策略可有以下几个方面.     

基于MODA算法的有机朗肯循环多目标优化

针对中高温烟气驱动的有机朗肯循环发电系统进行多目标优化设计,以热效率和单位输出功率的系统总投资成本(PER)为多目标函数,选取蒸发温度和冷凝温度为决策变量,引入多目标蜻蜓算法(MODA)对工质苯的最佳循环参数进行寻优,采用一维向心透平效率模型取代固定透平等熵效率,并对工质进行敏感性分析。结果表明:透平效率随蒸发温度增加单调减少,随冷凝温度增加单调增加;在帕累托前沿中,随着热效率的增加,变透平效率寻优结果中PER迅速增加,定透平效率寻优结果中PER增加相对较平缓;热源温度越高,定透平效率寻优结果和变透平效率寻优结果差异越大。     

展示思维过程 指导思维调节——浅谈物理解题教学的策略

1 问题的提出 在解决一些综合性强或情景陌生的问题时,我们都遇到过这样的情况:读了半天题目,却不知道题目说了些什么,弄不清题目描述的物理情景是什么样的;有时,虽然初步了解了物理过程的大致情况,却不知道应该选用什么物理知识来解决该问题,找不到进入题目的切入点,不知道该如何"下手";又有时,有一定的思路,也能解决部分问题,但在解答过程中的某个地方又被"卡"住了,后面该怎么做却没有了办法.遇到这些难题时,我们应该如何展开思维,怎样使思维走到正确的道路上来,这是教师和学生都应该研究的问题.     

GaN/In_xGa_(1-x)N型最后一个量子势垒对发光二极管内量子效率的影响

GaN/In_xGa_(1-x)N型最后一个量子势垒结构能有效提高发光二极管(LED)器件内量子效率,缓解LED效率随输入电流增大而衰减的问题.本文综述了该结构及其结构变化——In组分梯度递增以及渐变、GaN/In_xGa_(1-x)N界面极化率改变等对改善LED器件性能的影响及优势,归纳总结了不同结构的GaN/In_xGa_(1-x)N型最后一个量子垒的工作机理,阐明极化反转是该结构提高LED性能的根本原因.在综述该结构发展的基础之上,通过APSYS仿真计算,进一步探索和深入分析了该结构中In_xGa_(1-x)N层的In组分及其厚度变化对LED内量子效率的影响.结果表明:In组分的增加有助于在GaN/In_xGa_(1-x)N界面产生更多的极化负电荷,增加GaN以及电子阻挡层处导带势垒高度,减少电子泄漏,从而提高LED的内量子效率;但GaN/In_xGa_(1-x)N型最后一个量子势垒中In_xGa_(1-x)N及GaN层厚度的变化由于会同时引起势垒高度和隧穿效应的改变,因而In_xGa_(1-x)N和GaN层的厚度存在一个最佳比值以实现最大化的减小漏电子,提高内量子效率.     

太阳能转化效率路线图

自“人造树叶”概念提出以来,科学家一直对其寄予厚望,希望它最终能带来一种廉价的自控制系统,为发展中国家的数十亿人口提供电力。据物理学家组织网近日报道,美国麻省理工学院（MIT）的一个研究小组对“人造树叶”系统的效率限制因素进行了详细分析和再设计,使其更接近现实,并有望实现一种实用、廉价的商业化样机。相关论文发表在美国《国家科学院院刊》（PNAS）上。     

电解水制氢的实验研究

搭建了电解水制氢的实验装置,并利用该装置研究了氢气与氧气的产生率与电流及时间的关系,同时测定电解装置的能效因数.     

Improved Programming Efficiency through Additional Boron Implantation at the Active Area Edge in 90nm Localized Charge-Trapping Non-volatile Memory

As the scaling-down of non-volatile memory （NVM） cells continues, the impact of shallow trench isolation （STI） on NVM cells becomes more severe. It has been observed in the 90nm localized charge-trapping non-volatile memory （NROMTM） that the programming efficiency of edge cells adjacent to STI is remarkably lower than that of other cells when channel hot electron injection is applied. Boron segregation is found to be mainly responsible for the low programming efficiency of edge cells. Meanwhile, an additional boron implantation of 10°tilt at the active area edge as a new solution to solve this problem is developed.