格矩阵的行列式与伴随矩阵

研究了格矩阵的行列式与伴随矩阵,给出了它们的一些代数性质,同时给出了由一个格矩阵构造一个传递矩阵的方法.     

H(o)lder度量下一类(0,p(D))三角插值多项式的逼近和饱和

在H(o)lder度量下一类(0,P(D))三角插值算子的逼近和饱和问题,确定了饱和类和饱和阶.     

有关实正定方阵行列式的几个不等式

本得到实正定方阵行列式的几个不等式，改进了近期研究的一些结果。     

点可迁图中的正则因子

设图G是一个K-正则连通点可迁图.如果G不是极大限制性边连通的,那么G含有一个(k-1)-因子,它的所有分支都同构于同一个阶价于k和2k-3之间的点可迁图.此结果在某种程度上加强了Watkins的相应命题:如果k正则点可迁图G不是k连通的,那么G有一个因子,它的每一个分支都同构于同一个点可迁图.     

SiO2玻璃掺杂固溶半导体(ZnxCd1-xS)的光致发光研究

利用Sol-Gel工艺制备了掺杂固溶半导体ZnxCd1-xS的SiO2玻璃.吸收光谱研究表明材料的吸收边随Zn含量的增加而向短波方向移动;温度提高有利于生成较完整的晶粒.以短脉冲激光为激发光源对材料的光致发光效应作了分析,认为光致发光光谱是由电子与空穴复合发光和表面态与缺陷的复合发光组成,电子-空穴复合发光分布在较大的波长范围内,并且随Zn含量的增加向短波方向移动,材料热处理温度提高有助于降低表面态与缺陷的复合发光强度.     

单模光纤中四阶色散控制的孤子族

研究了单模光纤中最小群速度色散波长附近的孤子传输,利用最小作用量原理得到了由四阶色散控制的一族孤子解,在这族孤子解中包含了原来文献中报道的精确解且解析解与数值模拟结果一致.     

矩阵的正则逆的求法

本利用广义行列式和广义伴随矩阵的概念，给出了矩阵的正则逆的一种求法。     

五氧硼酸钾结构的~1H NMR研究

给出相对于外磁场不同取向的五氧硼酸钾（ＫＢ５）单晶的１ＨＮＭＲ室温谱．发现当外磁场在晶体的ｂｃ平面里，１ＨＮＭＲ谱最多有６个峰．而在ａｈ或ａｃ平面里，最多仅有５个峰．用计算机拟合ＮＭＲ谱表明：在五氧硼酸钾中，氢原子是以羟基和水分子集团的形式存在．在羟基集团中，Ｏ—Ｈ的距离为０．１００５±０．００１ｎｍ和０．１０５４±０．００１ｎｍ；而在水分子中，Ｏ—Ｈ的距离为０．０９８３±０．００１ｎｍ和０．０９６８±０．００１ｎｍ，并且Ｈ—Ｏ—Ｈ夹角为１０８°±１°．这些显示本文的数据与中子衍射结果相近，而Ｘ射线衍射所得到的质子位置的数据则与我们的结果相距甚远．     

全非负阵的Hadamard—Fischer不等式的几个改进

本文讨论了全非负阵与其逆矩阵的关系，改进了关于全非负矩阵的Hadamard－Fischer不等式的几个近期结果．