F－L模型的状态方程与退禁闭相变图象

用温度场论方法计算了Ｆ－Ｌ模型在有限温度和密度下的状态方程，分析了压强对净重子数密度的等温线．结果表明，在平均场近似下，Ｆ－Ｌ模型所给出的退禁闭相变为一级相变．     

d轨道分裂和过渡金属化合物性质的研究

用群的表示来讨论过渡金属化合物中心离子在不同对称场中d轨道分裂 ,并通过群链的分解 ,应用广义Wigner-Eckart定理来研究d轨道分裂能。然后进一步解释过渡金属二硫属化合物电子结构、电学性质的特点和宝石的致色机理     

Na3的电子结构与构形

应用离散变分方法，计算了Ｎａ３的基态势能面，并由此得到平衡构形参数、振动频率、Ｊａｈｎ－Ｔｅｌｌｅｒ稳定能Ｊａｈｎ－Ｔｅｌｌｅｒ局域能等，所得结果与实验符合得较好。     

Three New Diarylpropanes from Dioscorea composita

Three new diarylpropanes were isolated from the dried rhizomes of Dioscorea composita Hemsl., and their structures were determined as 1, 3-bis-(2-hydroxy-4-methoxyphenyl) propane (1), 1, 3-bis-(2, 4-dihydroxyphenyl)propane (2), 1-(2′-hydroxy-4′-O-β-D- glucopymnosy-phenyl)-3-(2“, 4“-dihydroxyphenyl)propane (3), by spectroscopic analysis, respectively.     

关于双重时序AR-MA模型的相关结构及与ARMA模型的比较

本文在文［４］的基础上讨论了双重时序ＡＲ（１）－ＭＡ（ｑ）模型的相关结构，在不假定白噪声序列为正态的情况下，证明了安鸿志［２］关于模型的相关结构的猜想是正确的，具体地构造了ＡＲ（１）－ＭＡ（３）模型的相关结构，并与ＡＲＭＡ模型进行了初步的比较，给出了一些抛砖引玉的讨论．     

Pseudo-Spin-Valve Trilayer Using Amorphous CoNbZr Layer： Giant Magnetoresistance, Domain Structures and Potentials for Spin-Electronic Devices

We propose a pseudo-spin-valve (PSV) trilayer using amorphous CoNbZr Mloy for soft magnetic layers. The giant magnetoresistance (GMR), domain structures and their variation upon thermal annealing are investigated. The GMR effect is not only stable up to 300℃ but also enhanced due to the improvement of the interfaces between Cu and magnetic layers. With high annealing temperature, the magnetoresistance (MR) ratio decreases rapidly as a result of serious layer interdiffusion. Dense stripe domains, which disappear after annealing at 300℃ for 1h, are observed in the sandwiched films. It is found that after patterning to elliptic stripe with aspect ratio of 6:1, the trilayers have a single domain and their MR ratio increases. The dynamic MR behaviour under an ac magnetic field indicates that the patterned stripes have good linear MR responses. Therefore, it is believed that the CoNbZr/Cu/Co PSV trilayers have strong potentials for spin-electronic devices including magnetic random access memory.     

一种新型有机电致微腔结构的双模发射

采用结构Glass／DBR／ITO／NPB／NPB：Alq／Alq／Al制作了有机微腔电致发光器件。将空穴传输材料与发光材料以一定比例混合作为发光层，为了便于对比，在不改变有机层的膜厚的情况下同时制作了传统的异质结微腔器件，发现两种器件的发光光谱有很大不同，器件的复合效率与传统的异质结器件相比也得到了很大提高，这是因为将两种有机材料混合能消除界面势垒，提高器件的复合效率，从而提高了器件的发光性能，实现了微腔双模发射，且两个模式的半峰全宽分别为8nm和12nm。通过进一步优化器件结构可以实现微腔白光发射。     

醇体系中合成CuGaS2纳米晶及其形貌演变

以CuCl2·2H2O,自制的GaCl3和(NH2)2CS为原料,在乙二醇体系中合成了花状结构的CuGaS2纳米晶．产物分别用X射线粉末衍射仪、透射电子显微镜、场发射扫描电子显微镜、高分辩透射电子显微镜和X射线光电子能谱仪进行了表征．实验结果表明,220℃反应24 h得到均匀的花状纳米结构CuGaS2,它是由厚度80-100 nm的片晶组成．同时,通过反应时间的控制,可以清楚的看到由纳米颗粒到纳米球以及花状纳米结构的演变过程．另外,研究了反应温度、反应时间、溶剂等对产物和形貌的影响．此外,对花状结构纳米晶的生长机理进行了初步的探讨．室温荧光光谱表明,随粒径的降低,发光位发生了部分蓝移．     

从结构电算谈设计概念

使用计算机进行结构设计虽然能大大减轻计算工作量，但不能取代人的设计概念，只有在设计人员具备较全面的设计概念；有一定设计经验；同时深入了解程度的情况下，才能确保工程设计的质量。     

动力学自发破缺的模型在有限温度和密度下的状态方程和相结构

本文在Lurie模型的基础上,建立了一种近似计算状态方程的方法.得到了Lurie模型的状态方程所满足的参数方程.该模型的手征相变的相图表明:存在一个临界点c将一级相变和二级相变分开.仔细分析压强对净重子数密度的等温线,其结果表明:发生一级相变时,有过冷和过热的亚稳态,存在有自发破缺的破缺相和无自发破缺的正常相的两相共存.