首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   7556篇
  免费   2492篇
  国内免费   1353篇
化学   1592篇
晶体学   256篇
力学   1346篇
综合类   243篇
数学   1133篇
物理学   6831篇
  2024年   60篇
  2023年   230篇
  2022年   302篇
  2021年   271篇
  2020年   209篇
  2019年   247篇
  2018年   148篇
  2017年   252篇
  2016年   266篇
  2015年   309篇
  2014年   760篇
  2013年   499篇
  2012年   477篇
  2011年   550篇
  2010年   509篇
  2009年   577篇
  2008年   647篇
  2007年   471篇
  2006年   458篇
  2005年   453篇
  2004年   416篇
  2003年   480篇
  2002年   433篇
  2001年   371篇
  2000年   306篇
  1999年   235篇
  1998年   197篇
  1997年   186篇
  1996年   163篇
  1995年   207篇
  1994年   135篇
  1993年   86篇
  1992年   113篇
  1991年   102篇
  1990年   94篇
  1989年   91篇
  1988年   38篇
  1987年   21篇
  1986年   9篇
  1985年   5篇
  1984年   3篇
  1983年   3篇
  1982年   7篇
  1980年   2篇
  1979年   2篇
  1975年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
151.
Photoelectrical response characteristics of epitaxial graphene (EG) films on Si- and C-terminated 6H-SiC, and transferred chemical vapor deposition (CVD) graphene films on Si-terminated 6H-SiC have been investigated. The results show that upon illumination by a xenon lamp, the photocurrent of EG grown on Si-terminated SiC significantly increases by 147.6%, while the photocurrents of EG grown on C-terminated SiC, and transferred CVD graphene on Si-terminated SiC slightly decrease by 0.5% and 2.7%, respectively. The interfacial buffer layer between EG and Si-terminated 6H-SiC is responsible for the significant photoelectrical response of EG. Its strong photoelectrical response makes it promising for optoelectronic applications.  相似文献   
152.
The interfacial characteristics of Al/Al2O3/ZnO/n-GaAs metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitor are investigated. The results measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) show that the presence of ZnO can effectively suppress the formations of oxides at the interface between the GaAs and gate dielectric and gain smooth interface. The ZnO-passivated GaAs MOS capacitor exhibits a very small hysteresis and frequency dispersion. Using the Terman method, the interface trap density is extracted from C-V curves. It is found that the ZnO layer can effectively improve the interface quality.  相似文献   
153.
基于光子在生物组织中的辐射传输理论以及Feng模型,应用频域近红外光谱法研究生物组织中异质体位置的变化,对出射光的光强和相位变化的影响及规律。设计了一仿真实验,用牛奶代替强散射性质的生物组织,并在牛奶中放置一个高度可控的具有一定吸收系数和散射系数的小球。移动小球在牛奶中的高度,检测出射光的交流幅度AC、直流光强DC和相位延迟Phase的值,绘制小球位于不同深度时AC,DC和Phase的曲线,并探讨其变化规律。结果表明,随着小球在牛奶中深度的变化,光强AC,DC和相位Phase呈现一定的相关性;随着光源和检测器之间距离的增加,检测到的光强和相位曲线的波谷点均向右偏移;当小球偏离光源和检测器越远,对检测到的光强和相位的影响越小。验证了光子在生物组织中的传输规律,为用频域近红外光谱法进行组织光学参数的检测及组织中异质体位置的定位奠定了基础。  相似文献   
154.
吡喃酮型花色苷衍生物是一类具有非氧鎓离子结构和内酯型吡喃环结构的新型多酚类化合物。本研究以植物花色苷为原料,通过羧基吡喃花色苷形成及微氧化等两步反应法,结合柱色谱分离纯化技术,制备高纯度的吡喃酮花色苷衍生物A (Oxovitisin A)标准品;高效液相色谱-光电二极管阵列检测器-串联质谱法(HPLC-DAD-ESI-MS/MS)分析鉴定出纯化后反应产物Oxovitisin A的纯度达99%以上。利用荧光光谱仪、紫外可见光谱仪及超微弱化学发光光谱仪研究了Oxovitisin A及其前体物质花色苷(锦葵素-3-葡萄糖苷,Mv-3-gluc)与羧基吡喃花色苷A(Vitisin A))的光谱特性、色泽稳定性及抗氧化活性。结果表明:Oxovitisin A在440 nm激发波长下有最大荧光峰,最大发射波长490 nm,而具有氧鎓离子结构的两种前体物质无荧光特性。紫外光谱结合LAB色泽空间表征参数显示Oxovitisin A在不同pH值条件下具有不同的结构稳定性和色泽稳定性。Mv-3-gluc,VitisinA和Oxovitisin A在不同体系中均表现出良好的抗氧化活性,清除超氧阴离子自由基的IC50值分别为71.4,30.7和19 μg·mL-1(抗坏血酸28 μg·mL-1),清除羟自由基的IC50值分别为1.68,3.524,2.854 μg·mL-1(抗坏血酸8.441 μg·mL-1),对双氧水清除率的IC50值分别为1.311,0.4098和0.288 μg·mL-1(抗坏血酸3.265 μg·mL-1),表明Oxovitisin A清除自由基和抗氧化的能力均高于反应前体物Mv-3-gluc和VitisinA及抗坏血酸。  相似文献   
155.
毫米波技术应用的基础是物体在毫米波波段的辐射特性的差异,但现阶段物体在毫米波波段的辐射特性的研究缺乏相关理论和试验验证支撑,因此进行了8mm波段砂土辐射特性和含水量相关关系的建模和仿真研究,通过菲涅尔折射定律及理想介质面波的连续性推导出了理想介质面的反射率计算公式,然后利用该公式进行了8mm波段水面辐射特性和含水量对砂土辐射特性影响的仿真,最后通过测量和计算增加砂土含水量对砂土辐射特性影响的定性试验进行仿真结果的定性验证。试验结果和仿真结果一致,砂土随着含水量的增加发射率在下降,砂土的亮温在下降,通过这一结论可以通过砂土亮温的变化定性反演出砂土含水量的变化,从而为毫米波技术在监测含水量等方面的应用提供一定的理论研究和试验验证支撑。  相似文献   
156.
通过金属有机化学气相淀积(MOCVD)和半导体后工艺技术制备了852 nm半导体激光器,它在室温下的阈值电流为57.5 m A,输出的光谱线宽小于1 nm。测试分析了激光器的输出光功率、阈值电流、电压、输出中心波长随温度的变化。测试结果表明,当温度变化范围为293~328 K时,阈值电流的变化速率为0.447m A/K,特征温度T0为142.25 K,输出的光功率变化率为0.63 m W/K。通过计算求得理想因子n为2.11,激光器热阻为77.7 K/W,中心波长漂移速率是0.249 29 nm/K,实验得出的中心波长漂移速率与理论计算结果相符。实验结果表明,该半导体器件在293~303 K的温度范围内,各特性参数能够保持相对良好的状态。器件如果工作在高温环境,需要添加控温设备以保证器件在良好状态下运行。  相似文献   
157.
反射式光纤传感器光纤参量对调制系数的影响   总被引:5,自引:1,他引:5  
介绍了反射式强度型光纤传感器的光强调制原理,并以最简单的光纤对为基础,仿真研究了光纤参量对光强调制特性的影响规律.给出了这类传感器设计的指导原则.  相似文献   
158.
微槽道气体流动的统计模拟   总被引:3,自引:0,他引:3  
谢翀  樊菁  沈青 《计算物理》2002,19(5):377-382
利用基于分子模型的统计模拟方法——信息保存方法(IP)统计模拟了实验条件下微槽道气体流动,仔细讨论了用IP方法模拟长槽道稀薄气流时遇到的问题,并给出了解决的方法,即采取守恒形式的控制方程避免质量流量计算误差积累,并利用超松弛方法使收敛过程加速.将IP计算结果与压力分布和质量流量实验数据进行了比较.  相似文献   
159.
FED器件的发展迫切需要具有化学和热稳定性 ,高亮度 ,长寿命的新型荧光材料。本文合成了Gd3 +离子共掺杂的YAGG∶Tb获得了YAGG∶Tb ,Gd ,并将其用于 0~ 30 0 0V低压范围 ,对其在不同电压和电流密度下的发光特性进行了测试。结果表明 ,该种材料特性优于ZnO∶Zn并且不存在电压与电流饱和  相似文献   
160.
在环形腔主动锁模光纤激光器中引入啁啾光纤光栅,利用啁啾光纤光栅的大色散特性,通过调节调制频率,实现波长调谐,调谐范围2nm。所得脉冲为重复频率2.5GHz,脉宽约60ps的正啁啾脉冲,。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号