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Effects of External Electric Field on Ferroelectric Superlattice with Two Alternating Layers 下载免费PDF全文
The effects of the external electric field on the ferroelectric superlattice with two alternating layers have been studied using the transverse Ising model based on the effective-field theory with the differential technique. The hysteresis loops and susceptibility of the system have been given. The stronger the external electric field, the smaller the susceptibility, reflecting that the polarization is weaker. 相似文献
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达草灭对莱茵衣藻(Chlamydomonas reinhardtii) 品系遗传后效应的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过将莱菌衣藻(Chlamydomonas reinhardtii)6种达草灭抗性突变株分别与野生型株、丧失合成叶绿素b能力的cbnI-43等基因突变株和精氨酸依赖型突变株杂交对其后代进行四分析与随机分析,发现在Nfr-4-Nfr-7突变株中达草灭抗性状只有单一核基因遗传的性质,而在Nfr-1、Nfr-3~Nfr-7抗性株的抗性性状都是由同一个nfr-1基因(norflurazon resisanse)的突变所决定的,而Nfr-4抗性株的抗性性状是由另一滚突变等位基因nfr-2所决定的。在Nfr-1和Nfr-3抗性株中除了nfr-1基因的突变还有nfr-3基因突变的参与。 相似文献
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纳米科技于20世纪70年代兴起,进入21世纪越来越被大家耳熟。纳米科技在促进科技进步,提高社会文明程度,改善人类生存质量,更新对物质世界的认知及观念上扮演了举足轻重的角色。纳米是长度单位。一纳米为一米的十亿分之一,如果你的拇指指甲盖宽14毫米,这个比例就相当于拇指指甲盖宽度与地球直径间的比例。纳米科技所接触、研究、开发的是100纳米~0.1纳米范围内物质的性质和应用。一个分子或一个原子大小的数量级大致在10纳米。因此,纳米科技也可以说是在分子水平上观察、分析、研究物质的物理、化学性质并加以开发利用。 相似文献
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对一种工业用大功率电子加速器(450kW)的加速管中的空间电荷效应作了5点假设,建立了物理模型。对模型的束内外径向电位分布、空间电荷对轴上电位的影响,以及空间电荷力对束流传输的影响等进行了理论分析,得到了束内径向电位分布。结果表明:束流内部径向电位沿径向均呈抛物线变化,并在轴上达到最小值;而空间电荷产生的束内电场与半径呈线性变化;空间电荷不仅会引起轴上电位的跌落,而且对束流有发散作用,特别是在电子速度较低时更为明显。在考虑了空间电荷效应后,强流静电加速管的电场设计关键在加速管的前端,与弱流加速管相比,强流加速管的电场变化要大得多。 相似文献
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Spin-Polarized Tunnelling Magnetoresistance Effects in La0.833K0.167MnO3/SrTiO3 Polycrystalline Perovskite Manganites 下载免费PDF全文
A sample of La0.833K0.167MnO3-SrTiO3 (LKMO/STO) is fabricated by the sol-gel method. The microstructure,magnetic and transportation properties have been studied. X-ray diffraction patterns indicate that the structure of LKMO/STO is a homogeneous solid solution phase. The resistivity of LKMO/STO shows the insulator behaviour, which is different from La0.833K0.167MnO3 (LKMO) whose resistivity shows metal-insulator transition with decreasing temperature. The low-field (moH = 0.02 T) magnetoresistance decreases from 11% to 0.2% with the increasing temperature from 4 K‘to 220K for the LKMO/STO sample. The magnitude of magnetoresistance in a strong field (μoH = 5.5 T) almost increases linearly with decreasing temperature and reaches the maximum of 65% at the low temperature of 4.2K, which is much higher than that oE LKMO (40%). The enhanced low-field magnetoresistance effects are quantitatively explained by the spin-polarized tunnelling at grain boundaries. 相似文献