非均匀晶化Bi和Ba代替DyIG膜的法拉第效应研究

报道了快速循环晶化Ｂｉ和Ｂａ代替ＤｙＩＧ磁光膜的实验结果，发现在累加退火时间小于３分钟时（温度６５０～６８０℃）膜内部存在非晶区域和沿厚度晶化不均匀现象。导出晶相与非晶相界面法拉第角计算公式。计算结果表明，界面效应导致膜整体法拉第效应减弱。     

高温高压下SrB4O7：Eu2+玻璃的晶化

 利用X射线衍射和Eu²⁺发射光谱方法研究了非晶玻璃SrB₄O₇在高温高压下的晶化。结果表明：在5.0 GPa压力下，200 ℃仍为玻璃态，只有几个强度极低的小峰，表明有晶化的迹象；600 ℃时已基本晶化，但为SrB₄O₇正交相与SrB₄O₇高压立方相二相共存；当温度提高到1 000 ℃时，晶化成了近单相的与常压SrB₄O₇粉末晶体相同的正交结构。伴随晶化度的加强，Eu²⁺发射强度增强，与Ｘ射线衍射结果相一致。     

ZnSe－ZnS量子阱的光学非线性

半导体量子阱及超晶格材料具有室温激子效应以及强的光学非线性从而得到人们广泛的重视。利用半导体量子阱和超晶格可以制备出高速度、低闭值、小尺寸及室温工作的半导体激光器、光双稳器件等一系列光电子器件.     

Z-阶化李超代数的斜超导子和P-结合型

设L为特征P>2的域上的Z-阶化李超代数,L*为其对偶空间.为刻画L到L*的斜超导子,研究了L上的P-结合型,其中P为L的子代数.     

以新型原子距边矢量ν估计和预测烷烃核磁共振碳谱(13C NMR)化学位移(CSC)

系统研究了核磁共振碳谱与化学位移和规律,以及分子拓扑指数在定量[结]构[波]谱关系（QSSR）中的应用. 本文基于分子路径长度矢量p=（P\-1, P\-2, P\-3,\:, P\-m）与分子中原子相互作用, 提出了一种新型原子距边矢量并发现它与烷烃13C NMR 化学位移有良好线性相关性, 回归方程及其统计参数为: CSC=aν+ap\-3=∑m\-j=0a\-jν\-j+a\-10p\-3=a\-0(ν\-0=1)+a\-1ν\-1+a\-2ν\-2+a\-3ν\-3+a\-4ν\-4+bP\-3, R>0.990, EV=94.5%, RMS<0.772, F=49.069-3513.18,结果良好.     

保等价部分变换半群的变种半群上的正则元

在现有的保等价部分变换半群的基础上,引入了一个新的运算,得出保等价部分变换半群的变种半群的概念,利用格林关系及幂等元的正则性,讨论了这类半群中元素的正则性,给出了保等价部分变换半群的变种半群中一个元是正则元的充要条件     

K_3Ba_3C_(60)在不同温度下的Raman光谱研究

研究了K3Ba3C60 在不同温度下的Raman光谱 .发现Raman光谱随温度的变化发生有规律的变化 .随着温度的降低 ,所有模的线宽和强度的变化情况与纯的C60 的情况明显不同 .径向Ag(2 )模的频率在 2 0K到室温之间有一个反常大的向高频漂移 (9cm-1) ,这表明在C60 分子和掺杂离子之间存在着轨道杂化 .另外Raman光谱中Ag(1)模两个分量的相对强度随着温度的降低发生有规律的变化 .     

35MeV/u~(40)Ar ~(197)Au中的熵产生

根据量子统计模型 (QSM )的计算分析 ,找到了一个提取核反应过程中熵产生的新的可观测量 .核反应过程中约化d的产额d/ (d t 3 He 4 He)和熵有单调的函数关系 ,并且和体系的碎裂密度 (ρ/ ρ0 )及体系的N/Z都无关 ,可以作为提取核反应过程中熵产生的一个观测量 .和目前已经有的其他方法相比 ,约化d产额这一提取熵方法可以用于较低能量的重离子核反应中 ,并且数据处理分析简单 .对于 35MeV/u4 0 Ar 197Au的核反应过程所提取的熵和利用约化带电粒子多重性提取的熵结果一致 .结合后角类靶热核发射体系实验提取的同位素核温度为 4 7±1 2MeV及S/A =2 5± 0 5 ,根据熵和核温度的关联关系 ,可以确定其Breakup密度接近但小于 0 1(ρ/ ρ0 )     

复双球面上变系数奇异积分方程的正则化

利用复双球面上的立体角系数的方法和置换公式,讨论复双球垒域上变系数奇异积分方程的正则化问题,推广了复超球面上变系数奇异积分方程的结论．     

ND阵列加权乘积和的完全收敛性

设（Xni：1≤i≤n,n≥1）为行间ND阵列,g（x）是R^＋上指数为α的正则变化函数,{αni：1≤i≤n,n≥1}为满足条件max1≤i≤n｜ani｜=0（（g（n））^-1）的实数阵列．本文采用截尾的方法,得到了使ND随机变量阵列加权乘积和完全收敛的条件,并推广了以前学者的结论．