Ag/Ni双元素注入玻璃光吸收和磁学特性

将MEVVA源（metal vapor vacuurm arc ion source）71出的Ag，Ni离子以不同的剂量比在室温条件下注入到高纯非晶二氧化硅玻璃，透射电镜明场像以及光学吸收谱证明了该样品中形成了Ag，Ni会属纳米颗粒．样品在空气中邀火，随着退火温度的升高，光学吸收淆变得平缓，当退火温度达到600℃时，Ni被部分氧化，用超导量子干涉仪（SQUID）测最样品的磁学特性，结果显示在外磁场为0～80kA／m时表现为铁磁性，在外磁场为80-240kA／m时表现为抗磁性。     

Optical and magnetic properties of InFeP layers prepared by Fe~+ implantation

InFeP layers are prepared by ion implantation of InP with 100-keV Fe＋ ions to a dose of 5 ×10^16 cm-2 and investigated by optical, magnetic, and ion beam analysis measurements. Photoluminescence measurements show a deep-level peak at 1.035 eV due to Fe in InP and two exciton-related luminescences at 1.426 eV and 1.376 eV in the implanted samples annealed at 400℃. Conversion electron Mossbauer spectroscopy reveals a doublet corresponding to Fe3＋ ions in the indium sites. Atomic force microscopy and magnetic force microscopy show that magnetic clusters are formed in the annealing process. The magnetization-field hysteresis loops show ferromagnetic properties persisting up to room temperature with a coercive field of 100 0e （10e = 79.5775 A-m-1）, saturation magnetization of 4.35 × 10-5 emu, and remnant magnetization of 4.4× 10 6 emu.     

介质靶表面的充电效应对等离子体浸没离子注入过程中鞘层特性的影响

针对等离子体浸没离子注入技术在绝缘体表面制备硅薄膜工艺，采用一维脉冲鞘层模型描述介质靶表面的充电效应对鞘层厚度、注入剂量及靶表面电位等物理量的影响.数值模拟结果表明：随着等离子体密度的增高，表面的充电效应将导致鞘层厚度变薄、表面电位下降以及注入剂量增加，而介质的厚度对鞘层特性的影响则相对较小. 关键词： 等离子体浸没离子注入 脉冲鞘层 绝缘介质 充电效应     

注镧Co-Cr合金表面氧化膜生长规律与微观结构表征

采用热重分析(TGA)方法研究了离子注镧对Co-40Cr合金在1000℃空气中的恒温氧化和循环氧化行为的影响. 用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对表面氧化膜的微观形貌和结构进行了研究. 用二次离子质谱(SIMS)对合金表面元素铬结合能的变化情况以及氧化膜中元素镧的深度分布进行了测试, 并用激光拉曼谱(Raman)对掺杂镧引起的氧化膜内应力改变进行了测量研究.结果表明, 离子注镧后Co-40Cr合金在1000℃空气中的恒温氧化速率显著降低, 表面Cr₂O₃ 关键词： 离子注入 镧 拉曼谱 二次离子质谱     

铝合金等离子体淹没氮离子注入层的摩擦学性能研究

用等离子体淹没离子注入技术对ＬＹ１２和ＬＤ１０铝合金表面进行氮离子注入。用俄歇电子能谱分析离子注入层中氮的浓度分布，在此基础上进行了摩擦磨损试验。用扫描电观察和分析磨损表面特征。研究表明：氮离子注入铝合金形成细小，弥散的硬质ＡｌＮ析出相，铝合金表层的显微硬度增加，摩擦系数降低；耐磨性随着注入剂量和电压的增加而提高。磨损机制主要为粘着磨损，随离子注入剂量的增加，粘着磨损趋行减轻。     

含氮类金刚石薄膜的紫外辐照研究

 用射频等离子体方法在玻璃基底上制备的类金刚石（DLC）薄膜，采用离子注入法掺氮，并对掺氮DLC薄膜紫外（UV）辐照前后的性能变化进行了研究。研究结果表明：随氮离子注入剂量及UV辐照时间的增加，位于2 930cm^-1附近的SP ³C-H吸收峰明显变小，而位于1 580cm^-1附近的SP2C-H吸收峰则明显增强，薄膜的电阻率明显呈下降趋势；随UV辐照时间的增加，位于1 078cm^-1附近的Si-O-Si键数量及位于786cm^-1附近的Si-C键数量明显增加。即氮离子注入和UV辐照明显改变了DLC薄膜的结构与特性。     

离子注入n型GaN光致发光谱中宽黄光发射带研究

利用离子注入方法和光致发光技术系统研究了注入离子对n型GaN宽黄光发射带的影响.实验采用的注入离子为：N，O，Mg，Si和Ga，剂量分别为10¹³，10¹⁴，10¹⁵和10¹⁶/cm²，注入温度为室温.注入后的样品在900 ℃流动氮气环境下进行热退火，退火时间为10 min，并对退火前后的样品分别进行室温光致发光测量.通过实验数据的分析，独立提出了提取注入离子对晶体黄光发光特性影响的半经验模型.利用该模型导出的公式，可以确定注入的N，O，Ga，Mg和Si离子对黄光发射带的影响随注入剂量的变化关系以及该影响的相对强弱. 关键词： 氮化镓 光致发光谱 离子注入