多孔硅中的1.54μm光发射

本文报道了利用离子注入技术制备多孔硅中Er³⁺的1.54μm光发射发光材料的实验,并对样品的低温光致发光特性进行了实验研究。实验表明多孔硅中的Er³⁺发光与单晶硅中的Er³⁺发光(同样注入条件,退火工艺制备)相比,发光强度有成数量级的提高,同时发光峰更宽,伴线更丰富。     

Ni离子注入多晶ZrO2的表面电性能和结构

对氧化钇(Y₂O₃)部分稳定氧化锆(ZrO₂)样品在室温下进行了Ni离子注入(140kev,5×10¹⁵-2×10¹⁷ios/cm²)和热退火处理.应用电学测量,Rutherford背散射技术(RBS),X射线光电子能谱(XPS)和喇曼光谱方法研究了Ni离子注入多晶ZrO₂的表面电性能,注入层结构及其热退火的影响。     

InSb中离子注入二次缺陷研究

本文用平面的透射电子显微术(TEM)、剖面的透射电子显微术(XTEM)以及卢瑟福背散射和沟道谱(RBS),研究InSb中离于注入Zn⁺,Mg⁺,Be⁺产生的二次缺陷。以及它们的退火特性。结果表明,轻离子Be⁺注入产生的二次缺陷比重离子Zn⁺注入产生的要少得多,而Mg⁺离子介于Be⁺离子和Zn⁺离子之间,在中等剂量下(1×10¹³cm^-2附近),注入损伤并不严重,而且容易恢复。从360℃到440℃之间作了退火温度的研究。从研究结果发现,退火温度以360℃为佳。离子注入InSb中的二次缺陷的形貌与Si中的不同,InSb中的二次缺陷以位错网为主,位错环所占比例不大且尺寸较小,而沉淀物和层错四面体也出现在其中。 关键词：     

用M-C方法计算低能V+注入花生种子的深度-浓度分布

实验表明,低能重离子注入植物种子后的深度-浓度分布曲线是一个非对称高斯分布,直接用LSS理论计算该分布,与实验结果差别甚大.本文根据植物种子的结构特点,对靶材料进行了处理,并对LSS理论进行了修正,用M-C方法计算了初始能量为200keV的V 注入花生种子的深度-浓度分布,得到了与实验结果符合较好的分布曲线.     

离子注入合成β-FeSi2薄膜的显微结构

采用MEVVA源(MetalVaporVacuumArcIonSource)离子注入合成βFeSi2薄膜,用常规透射电镜和高分辨电镜研究了不同制备参数下βFeSi2薄膜的显微结构变化.研究结果表明:调整注入能量和剂量,可以得到厚度不同的βFeSi2表面层和埋入层.制备过程中生成的α,β,γ和CsCl型FeSi2相的相变顺序为γFeSi2→βFeSi2→αFeSi2,CsClFeSi2→βFeSi2→αFeSi2或βFeSi2→αFeSi2.当注入参数增加到60kV,4×1017ionscm2,就会导致非晶 关键词： β-FeSi2 半导体薄膜 金属硅化物 离子注入 透射电子显微镜     

离子注入GaAs实现双包层掺镱光纤激光器被动调Q锁模

用离子注入的半绝缘GaAs晶片作为吸收体和输出镜，在双包层掺镱光纤激光器上实现了调Q锁模. 离子注入的能量为400keV的As+离子，注入剂量为1016/cm2，然后在600℃下退火20min. 当抽运功率为5W时, 脉冲平均输出功率为200mW, 调Q包络重复频率为50kHz, 半高宽为4μs，锁模脉冲重复频率为15MHz. 关键词： 离子注入GaAs 掺镱光纤激光器 被动调Q锁模     

氮气退火对二氧化钛薄膜光学性能的影响

 提出了一种利用离子注入和后续退火制备氮掺杂TiO₂薄膜的方法。首先在室温下向石英玻璃中注入Ti离子,随后在氮气中退火到900 ℃,从而制备了氮掺杂的玻璃基TiO₂薄膜。SRIM2006程序模拟和卢瑟福背散射谱（RBS）研究表明注入离子从样品表面开始呈高斯分布,实验结果和模拟结果吻合很好。X射线光电子能谱（XPS）研究结果表明注入态样品中形成了金属Ti和TiO₂,900 ℃退火后金属Ti转变成TiO₂,同时N原子替代少量的晶格O原子形成了O－Ti－N化合物。紫外-可见吸收光谱（UV-Vis）结果显示,当退火温度至500 ℃时,在吸收光谱中开始出现TiO₂的吸收边,随退火温度升高到900 ℃,由于O－Ti－N化合物形成,TiO₂的吸收边从3.98 eV红移到3.30 eV,TiO₂吸收边末端延伸到可见光区,在可见光区的吸收强度明显增加。     

氘化及氦离子注入对钪膜的表面形貌和相结构的影响

采用XRD, SEM, AFM等详细研究了氘化及氦离子注入对钪膜的表面形貌和相结构的影响. 结果表明,在单晶硅及抛光Mo基片上制备的钪膜均具有(002)晶面择优取向;钪膜氘化后表面会出现大量孔洞, 氘化后氘化钪(ScD₂)晶粒长大,但内部会残留少量未完全氘化反应的晶粒尺寸较小的 ScD_0.33/Sc晶粒;氦离子注入对钪及氘化钪的表面形貌没有明显影响, 离子注入的氦将在钪及氘化钪晶格中聚集成泡,导致氦离子注入层中的钪及氘化钪衍射峰向低角度偏移, 并且氦泡的聚集具有择优取向性.     

在不同的退火温度下钴注入二氧化钛结构与磁性

选用能量为180 keV,温度为623 K,注入4×10¹⁶ cm^-2剂量的钴离子束注入TiO₂样品.在不同的退火温度下,用高分辨的扫描电镜、同步辐射X射线衍射、卢瑟福背散射/沟道实验和超导量子干涉仪,分别对样品进行结构与磁性的测试. SR-XRD和HRTEM测试结果表明: 在Co注入TiO₂后,形成了钴的体心立方(hcp)相和面心立方(fcc)相,且在TiO₂中,钴-纳米粒子也已经形成. 随着退